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Effects of silica fume on the multi-scale material properties of composite Portland cement-based cutoff wall backfill
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作者 ZHOU Tan HU Jian-hua +2 位作者 ZHAO Feng-wen GUO Meng-meng XUE Sheng-guo 《Journal of Central South University》 2025年第1期205-219,共15页
Soil cement bentonite(SCB)is a common material for constructing vertical cutoff walls to prevent groundwater migration at contaminated industrial sites.However,site contaminants can degrade the durability of the cutof... Soil cement bentonite(SCB)is a common material for constructing vertical cutoff walls to prevent groundwater migration at contaminated industrial sites.However,site contaminants can degrade the durability of the cutoff wall.To enhance its performance,this study developed a silica fume-SCB(SSCB).The macroscopic and microscopic properties of SSCB were assessed by unconfined compressive strength test,variable head permeability test,X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM)and nuclear magnetic resonance(NMR)spectroscopy.The correlation between its multi-scale properties was analyzed based on pore characteristics.The results indicate that increasing the silica fume substitution ratio improved SSCB strength,especially in the middle and late curing stages.Moreover,increasing the substitution ratio decreased SSCB permeability coefficient,with a more pronounced effect in earlier curing stages.Silica fume addition also refined SSCB pore structure and reduced its porosity.The fractal dimension was used to quantify SSCB pore structure complexity.Increasing silica fume content reduced small pore fractal dimension in SSCB.Concurrently,SSCB strength increased and SSCB permeability coefficient decreased.The findings of this research will demonstrate the great potential of SSCB backfill for practical applications. 展开更多
关键词 silica fume sscb cutoff wall multi-scale material properties engineering properties microscopic mechanism
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基于SiC MOSFET的固态断路器栅极失效及老化特性研究 被引量:1
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作者 桂雷 庞士宝 王勇 《电源学报》 北大核心 2025年第4期316-321,共6页
基于SiC MOSFET的直流固态断路器SSCBs(solid-state circuit breakers)因其具有快速分断故障电流的能力而广受瞩目,然而SiC MOSFET的失效机理较为复杂,有别于传统功率半导体器件的热失效模式,SiC MOSFET具有特殊的栅极失效及老化特征,... 基于SiC MOSFET的直流固态断路器SSCBs(solid-state circuit breakers)因其具有快速分断故障电流的能力而广受瞩目,然而SiC MOSFET的失效机理较为复杂,有别于传统功率半导体器件的热失效模式,SiC MOSFET具有特殊的栅极失效及老化特征,但是相关特性及机理尚不明确,为固态断路器的失效及老化判别带来了较大困难。针对上述问题,以基于SiC MOSFET的400 V直流固态断路器为研究对象,探究器件在断路器这一特殊工况下的单次及多次硬开关特性,验证了SiC MOSFET在单次或多次动作过程中均有可能发生栅极失效,且出现了栅极电压降低这一新的老化特性。采用有限元仿真进行器件级分析,得到其内部在动作过程中的温度分布及热应力分布情况,结果表明器件栅极结构附近的温升接近1000 K,并会产生1.4 GPa的热应力。通过对失效器件的开封、切片及电镜扫描处理,确认了栅极氧化层的裂缝存在,验证了SiC MOSFET由于热应力导致栅极结构开裂,并导致栅极失效及老化的机理。 展开更多
关键词 固态断路器 SiC MOSFET 失效分析 老化特征
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针对IGBT固态断路器的在线监测系统设计
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作者 周进飞 郭鹏 高阿骥 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期178-182,共5页
针对固态断路器(SSCB)和功率半导体器件在长期工作下的系统级在线监测手段匮乏的问题,设计了绝缘栅双极晶体管(IGBT)固态断路器的在线监测系统,采用微控制器单元、测量回路以及模拟实验回路相互配合,实现了对IGBT老化状态的监测与数据... 针对固态断路器(SSCB)和功率半导体器件在长期工作下的系统级在线监测手段匮乏的问题,设计了绝缘栅双极晶体管(IGBT)固态断路器的在线监测系统,采用微控制器单元、测量回路以及模拟实验回路相互配合,实现了对IGBT老化状态的监测与数据提取。实验结果表明,该系统能够对400 V直流母线电压下的114 A故障电流进行连续重复关断,而测量回路则能够实时监测待测器件(DUT)的导通压降V_(CE,on),可监测到IGBT在循环过程中出现的导通压降升高这一老化特征,所有待测器件的V_(CE,on)均在上百次循环过程中升高了10%以上。通过扫描电子显微镜(SEM)分析可知,其键合线处的缝隙宽度增大了142.44%,实际验证了IGBT的键合线老化机理。 展开更多
关键词 固态断路器(sscb) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 导通压降测量 在线监测 键合线老化 扫描电子显微镜(SEM)分析
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一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
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作者 黄浪尘 李俊桦 +2 位作者 何东 兰征 曾进辉 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2024年第9期51-63,共13页
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容... 本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容二极管(RCD)型、金属氧化物变阻器(MOV)型、RCD+MOV混合型三类经典缓冲电路应用于SiC SSCB时的工作原理,并对其性能进行了评估。基于对三类经典缓冲电路特点的全面分析,为SiC SSCB设计了一种基于金属氧化物变阻器-电阻-电容MOV-RC结构的新型缓冲电路拓扑,基于该电路的工作原理提供了适配的参数调制方法。最后,搭建了以三个1200 V/38 A常通型SiC JFET器件串联组成的1.5 kV/38 A SSCB实验样机,验证了本文所提设计方案的有效性。仿真及实验结果表明该缓冲电路不仅有效抑制了SiC SSCB故障隔离期间的过电压,还具有较快的故障清除时间和低成本的优势。 展开更多
关键词 碳化硅固态断路器 过电压 结型场效应管 缓冲电路 寄生电感
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固态断路器的应用与仿真研究 被引量:21
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作者 黄绍平 浣喜明 彭晓 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期126-128,共3页
介绍了固态断路器的基本结构和工作原理;分析了固态断路器在提高供电可靠性等方面的应用;运用MATLAB软件对固态断路器的应用与特性进行了仿真研究。
关键词 固态断路器 仿真 电力电子器件 晶闸管 MATLAB软件
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未来的用户电力技术 被引量:60
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作者 严干贵 姜齐荣 黄民聪 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2002年第1期62-69,共8页
信息电力概念的提出凸显了供电质量对未来信息社会的重要性 ,而如何保证社会可持续发展的能源供应和如何提高越来越庞大的现代电力系统的运行安全性、可靠性则是当今电力工业面临的新挑战。用于提高供电质量的动态电能质量调节技术、用... 信息电力概念的提出凸显了供电质量对未来信息社会的重要性 ,而如何保证社会可持续发展的能源供应和如何提高越来越庞大的现代电力系统的运行安全性、可靠性则是当今电力工业面临的新挑战。用于提高供电质量的动态电能质量调节技术、用于提高电能利用率及利用新能源的电能变换技术以及用于提高系统反事故能力的固态开关技术等 3类用户电力技术 ,将为解决以上问题提供有效途径。文中分析了上述各种技术产生的背景 ,展望了这几种用户电力技术在我国的发展前景。 展开更多
关键词 用户 电力技术 电能质量 电力行业 电力系统 可靠性
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自适应限流型固态断路器的直流电源设计 被引量:13
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作者 李斌 王晨阳 +1 位作者 何佳伟 叶仕磊 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2020年第5期30-37,共8页
为消除常规限流电抗对直流系统运行稳定性和直流断路器断流速度的不利影响,桥式限流型固态断路器实现了兼具自适应故障限流与断流的优异性能,但其桥电路中的直流偏置电源存在无过流保护和电源容量与投资成本相对较高的缺陷。针对桥式限... 为消除常规限流电抗对直流系统运行稳定性和直流断路器断流速度的不利影响,桥式限流型固态断路器实现了兼具自适应故障限流与断流的优异性能,但其桥电路中的直流偏置电源存在无过流保护和电源容量与投资成本相对较高的缺陷。针对桥式限流型固态断路器,文中设计了一种基于三相半波整流电路的直流偏置电源,提出了偏置电源参数选取和电压整定方法,有效减少了电力电子器件数量,实现了偏置电源过流保护电路,降低了偏置电源设计容量和制造成本。样机实验和仿真算例证明了所提出的自适应限流型固态断路器的偏置电源的优势。 展开更多
关键词 直流配电网 固态断路器 直流偏置电源 故障限流
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基于MOSFET的限流式固态断路器及其过电压抑制 被引量:11
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作者 卢其威 高志宣 +2 位作者 滕尚甫 雷婷 何棒棒 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第24期42-52,共11页
针对低压交流场合,对基于功率MOSFET的限流式固态断路器关断过程中的开关管两端电压、主电路中电流变化规律进行详细的理论分析,并提出一种过电压抑制电路,在分析其工作原理的基础上,给出电路参数选择的理论依据。最后,研制一台额定输... 针对低压交流场合,对基于功率MOSFET的限流式固态断路器关断过程中的开关管两端电压、主电路中电流变化规律进行详细的理论分析,并提出一种过电压抑制电路,在分析其工作原理的基础上,给出电路参数选择的理论依据。最后,研制一台额定输入电压为220V、限流值为150A的基于MOSFET并联的固态断路器,并进行实验验证。对研发应用在低压交流场合的限流式固态断路器起到较好的理论指导作用。 展开更多
关键词 固态断路器 低压 限流 过电压分析 MOSFET
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SiC MOSFET直流固态断路器短路特性及保护电路 被引量:3
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作者 田明玉 任宇 +1 位作者 田世鹏 谭羽辰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第7期554-563,569,共11页
为了提高用于直流微电网的SiC MOSFET固态断路器(SSCB)的可靠性,对其在较大电感条件下的短路特性和短路保护电路进行了研究。首先对SSCB短路电流分断过程进行了分析,给出了金属氧化物压敏电阻(MOV)的选型依据。在此基础上通过实验研究... 为了提高用于直流微电网的SiC MOSFET固态断路器(SSCB)的可靠性,对其在较大电感条件下的短路特性和短路保护电路进行了研究。首先对SSCB短路电流分断过程进行了分析,给出了金属氧化物压敏电阻(MOV)的选型依据。在此基础上通过实验研究了不同直流母线电压、不同功率器件结温和不同故障电感下SSCB的短路特性,揭示了SSCB的短路失效模式,分析了SSCB短路电流分断能力的影响因素。设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)的电压源型退饱和保护电路,并制作了样机。实验结果表明,所设计的退饱和保护电路实现了短路保护的快速响应,响应时间为593 ns,可有效保护SSCB中的SiC MOSFET。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 固态断路器(sscb) 短路特性 退饱和保护 短路电流分断能力
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SiC MOSFET模块化直流固态断路器的集成化封装 被引量:2
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作者 田世鹏 任宇 +1 位作者 谭羽辰 田明玉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期427-434,共8页
直流断路器是关断直流输配电网中短路电流的关键设备。与机械断路器相比,使用半导体器件关断短路电流的固态断路器(SSCB)和混合断路器在响应时间方面表现出很大的优势。多个半导体器件串联有助于直流SSCB承受直流母线的高压,但会导致高... 直流断路器是关断直流输配电网中短路电流的关键设备。与机械断路器相比,使用半导体器件关断短路电流的固态断路器(SSCB)和混合断路器在响应时间方面表现出很大的优势。多个半导体器件串联有助于直流SSCB承受直流母线的高压,但会导致高成本和大体积。提出了一种基于SiC MOSFET模块化主从驱动的直流SSCB,所有串联器件仅需一个驱动器,简化了栅极驱动电路。对模块进行单面散热封装,可以减小寄生电感并优化散热,使器件的性能得到更好的发挥。实验结果表明,该直流SSCB可以承受700X V的直流母线电压(X为模块数),可在20μs内关断70 A短路电流。模块化设计具有更高的灵活性和更低的成本。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 主从驱动 模块封装 器件串联 直流固态断路器(sscb)
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低压直流微网中固态断路器缓冲电路和续流电路的交互影响分析与混合参数设计 被引量:3
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作者 俞天毅 刘飞 +2 位作者 刘文君 陈超 查晓明 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第12期60-68,共9页
当低压直流微网母线发生故障时,位于直流母线末端的固态断路器便会发挥其隔离故障区域的作用。与此同时,连接在固态断路器和母线之间的续流路径起到故障能量吸收和故障电流衰减的作用。然而在故障发生期间,与固态断路器并联的缓冲电路... 当低压直流微网母线发生故障时,位于直流母线末端的固态断路器便会发挥其隔离故障区域的作用。与此同时,连接在固态断路器和母线之间的续流路径起到故障能量吸收和故障电流衰减的作用。然而在故障发生期间,与固态断路器并联的缓冲电路所起到的过电压抑制作用会影响续流路径故障能量吸收的效果,同时续流路径的阻值也相应会影响缓冲电路的过电压抑制能力。因此,着重分析了二者之间的交互影响,并设计了实现过电压抑制与故障清除时间满足约束条件的混合参数设计方案,以±200V直流为例进行了仿真验证与初步的实验,证明了设计的可行性。 展开更多
关键词 短路故障 固态断路器 直流微网 参数设计
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