Sn含量对PbSnO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3三元系压电陶瓷相结构和电性能的影响 被引量：1

1

作者 王大伟 赵全亮 +2 位作者 曹茂盛 崔岩 ZHANG Shu-Jun 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期28-32,共5页

采用两步钶铁矿前驱体工艺制备了PbSnO3-Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3（PSn-PMN-PT） 三元系压电陶瓷, 研究了Sn含量的变化对PSn-PMN-PT 三元系压电陶瓷结构和性能的影响。XRD结果表明, 所选成分均处于三方相和四方相共存的准同型相界上, ... 采用两步钶铁矿前驱体工艺制备了PbSnO3-Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3（PSn-PMN-PT） 三元系压电陶瓷, 研究了Sn含量的变化对PSn-PMN-PT 三元系压电陶瓷结构和性能的影响。XRD结果表明, 所选成分均处于三方相和四方相共存的准同型相界上, 当Sn含量减少时, PSn-PMN-PT的XRD图谱基本没有发生变化, 而当Sn含量增加时, 在XRD图谱中逐渐出现烧绿石相。电性能研究表明, 缺失少量Sn可以提高PSn-PMN-PT的压电、介电和铁电性能, 减小损耗; 而添加过量Sn明显损害其压电和铁电性能, 增加损耗。缺失0.2mol%Sn的PSn-PMN-PT具有最佳的压电和铁电性能, d33： -530 pC/N, kp： -56.4%, Qm： -570, εr： -3070, tanδ： -0.32%, Pr： -28.9 μC/cm2, EC： -8 kV/cm。 展开更多

关键词 压电陶瓷 pbSno3-pb(mg1 3nb2 3)o3-pbtio3 压电性能 准同型相界

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{110}_(cub)切型Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3单晶铁电相变的研究

2

作者 郭益平 罗豪甦 +2 位作者 曹虎 徐海清 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期220-224,共5页

测试了PMNT68/32{110}cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线,发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.研究结果表明,相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因,即在<110>取向施加电场诱导出来的... 测试了PMNT68/32{110}cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线,发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.研究结果表明,相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因,即在<110>取向施加电场诱导出来的正交相是本征亚稳的,它的稳定性不仅取决于所施加的极化电场大小,而且与单晶中PbTiO3含量的变化密切相关. 展开更多

关键词 {110]cub切型pb(mg1/3nb2/3)o3-pbtio3单晶 pmnt单晶 铁电相变 铁电体 压电性能 介电性能

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MnO2对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3微观结构和微波介电性能的影响 被引量：3

3

作者 田中青 刘韩星 +1 位作者 余洪滔 欧阳世翕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1403-1406,共4页

研究了MnO2助烧剂对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的微观结构和微波介电性能.MnO2可以有效地使Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的致密化温度由1550℃降低到1400℃左右.随MnO2掺量的增加,Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的1:2超晶格衍射峰的强度减弱,但是没有第二相出... 研究了MnO2助烧剂对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的微观结构和微波介电性能.MnO2可以有效地使Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的致密化温度由1550℃降低到1400℃左右.随MnO2掺量的增加,Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的1:2超晶格衍射峰的强度减弱,但是没有第二相出现.1400℃烧结4h陶瓷的晶粒尺寸在1.5μm左右.MnO2的掺入改善了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的微波介电性能,MnO2掺量为1%mol的Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷具有最好的微波介电性能:εr≈31.5,Qf=68000,τf=3.11×10-5/℃,这可归功于陶瓷具有相当高的相对密度. 展开更多

关键词 Ba(mg1/3nb2/3)o3 MNo2 微波陶瓷 介电性能

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(1-y)Ca_(1-x)La_(2x/3)TiO_3-yCa(Mg_(1/3) Nb_(2/3))O_3系陶瓷的缺位结构与微波介电性能研究 被引量：2

4

作者 王浩 陈文 刘涛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期515-518,共4页

采用固相合成法制备了 (1-y)Ca1 -xLa2x 3TiO3-yCa(Mg1 3Nb2 3)O3系列固溶体陶瓷材料 ,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系。研究结果表明 :当体系组成为 0 .5Ca0 .6 La0 .2 6 7TiO3 0 .5Ca(Mg1 3Nb2 3)O3时 ,在 14 0 0... 采用固相合成法制备了 (1-y)Ca1 -xLa2x 3TiO3-yCa(Mg1 3Nb2 3)O3系列固溶体陶瓷材料 ,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系。研究结果表明 :当体系组成为 0 .5Ca0 .6 La0 .2 6 7TiO3 0 .5Ca(Mg1 3Nb2 3)O3时 ,在 14 0 0°C下烧结保温 4小时所得到材料的微波介电性能最佳 :εr=5 5 ,Q×f值 =4 5 0 0 0GHz(7.6GHz下 ) ,τf=0 .0 4× 10 - 6 °C。同时还探讨了三价阳离子La3+ 固溶时产生的A点缺陷VCa2 + 对固溶体结构及微波介电性能的影响。 展开更多

关键词 固相合成法 微波介质陶瓷 复合钙钛矿 介电性能 A位点缺陷 (1-Y)Ca1-xLa2x/3Tio3-yCa(mg1/3nb2/3)o3系陶瓷

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O.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-O.1PbTiO3功能铁电薄膜的制备及其电性能研究

5

作者 张清涛 李艳秋 +1 位作者 尚永红 刘少波 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期359-362,共4页

利用溶胶凝胶(sol-gel)技术制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMNT)铁电薄膜,研究了不同的溶剂对溶胶的配制和溶胶稳定性的影响,得到了可以长期稳定放置的溶胶;采用热重分析和差热分析的方法研究了凝胶的热解过程,确定了420℃为溶胶的热解温... 利用溶胶凝胶(sol-gel)技术制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMNT)铁电薄膜,研究了不同的溶剂对溶胶的配制和溶胶稳定性的影响,得到了可以长期稳定放置的溶胶;采用热重分析和差热分析的方法研究了凝胶的热解过程,确定了420℃为溶胶的热解温度,750℃为合理的结晶温度;以Pt/Ti/Si(100)为衬底,成功地制备了0.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.1PbTiO3铁电薄膜.通过X射线衍射分析了热处理温度对薄膜相的影响.通过高倍显微镜研究了薄膜的表面形态,通过ZT-Ⅱ型铁电参数测试仪对PMNT薄膜进行了铁电性能测试.测试结果表明,制备的PMNT铁电薄膜为具有完全钙钛矿相的弛豫性PMNT铁电薄膜,薄膜无裂纹,致密性好,其剩余极化和矫顽场分别可达到2.5μC/cm2和45kV/cm. 展开更多

关键词 pb(mg1/3nb2/3)o3-pbtio3(pmnt) 溶胶凝胶 铁电薄膜 钙钛矿相

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Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3基陶瓷预合成和烧结工艺的研究 被引量：2

6

作者 云斯宁 王晓莉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期3-7,共5页

基于Swartz and Shrout的二次合成法,采用改进的两步法,将部分原料预合成,一次烧结合成具有100%钙钛矿结构的75Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-10PbTiO_3-15BaTiO_3固溶体陶瓷。首先一次性称量PbO,然后和ZnNb_2O_6混合,在660～800℃预合成,将... 基于Swartz and Shrout的二次合成法,采用改进的两步法,将部分原料预合成,一次烧结合成具有100%钙钛矿结构的75Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-10PbTiO_3-15BaTiO_3固溶体陶瓷。首先一次性称量PbO,然后和ZnNb_2O_6混合,在660～800℃预合成,将预合成产物粉碎后再与TiO_2和BaCO_3按化学计量称量,充分混合后,在1060～1140℃保温1～2h烧结成陶瓷试样。实验结果表明:改进的两步法工艺能够将预合成温度降为660℃,烧结温度能被拓宽到80℃获得100%钙钛矿结构的固溶体陶瓷。不同于传统的预合成和烧结,改进的两步法工艺简单、有效,在预合成阶段没有形成钙钛矿相,烧结阶段陶瓷的成瓷和致密化同时进行,完成了中间相向钙钛矿相的转变,获得了介电性能优良的陶瓷试样。 展开更多

关键词 pb(ZN1/3nb2/3)o3 电子陶瓷 烧结工艺 合成工艺 铌锌酸铝

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Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3弛豫铁电晶体的生长形貌和生长机理

7

作者 胡万辉 惠增哲 +3 位作者 龙伟 李晓娟 方频阳 吴浩 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第3期412-415,共4页

以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为... 以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为淡黄色,较小的呈赝立方形态,较大晶体逐渐趋于不规则形态,最大尺寸达4mm×4mm×3mm。晶体中存在位错蚀坑和PbO包裹等生长缺陷,生长过程中的温度波动和成分起伏等因素导致这些缺陷的出现。晶体{100}面生长速率最慢能成为热力学上稳定存在的自然显露晶面,晶体的生长机制为二维成核层状生长。 展开更多

关键词 pb(mg1 3nb2 3)o3晶体 高温溶液法 相结构 生长形貌 生长机制

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低温烧结0.4CaTiO_3-0.6Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3介电陶瓷的实验研究

8

作者 花银群 周莉 +4 位作者 薛青 刘海霞 叶云霞 陈瑞芳 黄新友 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第14期2023-2026,共4页

对添加H3BO3-ZnO-R(BZR)玻璃实现0.4CaTiO3-0.6Ca(Mg1/3Nb2/3)O3(0.6CMNT)介质陶瓷的低温烧结进行了系统的研究。研究结果表明,在一定BZR玻璃添加量(1m%(质量分数)～5m%(质量分数),m是比例系数,且m>0)的条件下,陶瓷的最佳烧结温度均... 对添加H3BO3-ZnO-R(BZR)玻璃实现0.4CaTiO3-0.6Ca(Mg1/3Nb2/3)O3(0.6CMNT)介质陶瓷的低温烧结进行了系统的研究。研究结果表明,在一定BZR玻璃添加量(1m%(质量分数)～5m%(质量分数),m是比例系数,且m>0)的条件下,陶瓷的最佳烧结温度均在950℃;在950℃烧结,BZR玻璃的添加量为2m%(质量分数)时,介电常数εr=47.26976,介电损耗tanδ=0.0098;BZR玻璃的添加量为3m%(质量分数)时,介电常数为εr=47.75029,介电损耗tanδ=0.0102。并且发现,添加适量的BZR玻璃,可以促进晶粒生长,但过量则会在烧结过程中产生过多的液相,且液相扩散严重,致使部分晶粒未能充分生长,而部分晶粒却异常长大,晶粒大小不均匀,影响陶瓷的介电性能。 展开更多

关键词 低温烧结 介电性能 CATIo3 Ca(mg1 3nb2 3)o3

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[001]c极化0.93Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.07PbTiO_3单晶中声表面波传播特性

9

作者 李秀明 吴广涛 +2 位作者 徐权 张锐 李玉春 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1222-1226,1253,共6页

利用室温下弛豫铁电单晶0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3的材料参数,计算了[001]c极化PZN-7%PT晶体中的声表面波传播特性。结果表明,[001]c极化0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07Pb TiO3单晶具有明显优于传统压电材料的声表面波特性。0.93Pb(Z... 利用室温下弛豫铁电单晶0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3的材料参数,计算了[001]c极化PZN-7%PT晶体中的声表面波传播特性。结果表明,[001]c极化0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07Pb TiO3单晶具有明显优于传统压电材料的声表面波特性。0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07Pb Ti O3单晶的声表面波特性随着传播方向发生明显的变化。综合考虑晶体的三种声表面波特性,发现Y切型晶体的综合声表面波性能最好,声表面波机电耦合系数k2值较大,能流角和声表面波自由表面相速度值较小,有望应用于下一代低频声表面波设备中。 展开更多

关键词 0.93pb(Zn1/3nb2/3)o3-0.07pbTio3 声表面波 机电耦合系数

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(1-x)Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-xPbTiO_3陶瓷的制备

10

作者 崔斌 田长生 史启祯 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期134-137,共4页

采用半化学法制备了 (1 -x)Pb(Ni1/ 3Nb2 / 3)O3 xPbTiO3((1 -x)PNN xPT ,x为PT的摩尔分数 ,分别为 0 ,0 1 5 ,0 2 5 ,0 3 6,0 4 5 )陶瓷。以硝酸镍代替传统氧化物混合法中的NiO ,然后与PbO、Nb2 O5和TiO2浆料混合球磨得到反应前驱... 采用半化学法制备了 (1 -x)Pb(Ni1/ 3Nb2 / 3)O3 xPbTiO3((1 -x)PNN xPT ,x为PT的摩尔分数 ,分别为 0 ,0 1 5 ,0 2 5 ,0 3 6,0 4 5 )陶瓷。以硝酸镍代替传统氧化物混合法中的NiO ,然后与PbO、Nb2 O5和TiO2浆料混合球磨得到反应前驱体 ,经 85 0℃ ,3h预烧合成了 (1 -x)PNN xPT ;再经 1 1 0 0℃和 2h烧结 ,得到了纯钙钛矿结构的 (1 -x)PNN xPT陶瓷。相比二次合成法 ,无需过量氧化镍可制得介电性能优异的 (1 -x)PNN 展开更多

关键词 (1-x)pb(Ni1/3nb2/3)o3-xpbTio3陶瓷 铌镍酸铅 钙钛矿相 弛豫铁电陶瓷 制备 半化学法

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稀土离子对0.6Ca_(0.6)La_(0.267)TiO_3-0.4Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷微观组织结构及微波介电性能的影响 被引量：1

11

作者 徐越 杨薇 +3 位作者 任帅 雷沛沅 杨扬 傅仁利 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1196-1202,共7页

采用固相合成方法制备钙钛矿结构的0.6Ca0.6La0.267Ti O3-0.4Ca(Mg1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究了La3+、Nd3+、Sm3+、Ce4+掺杂对0.6CLT-0.4CMN体系微观组织结构和介电性能的影响。研究结果表明:稀土离子的掺杂,在0.6CLT-0.4CMN体系优... 采用固相合成方法制备钙钛矿结构的0.6Ca0.6La0.267Ti O3-0.4Ca(Mg1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究了La3+、Nd3+、Sm3+、Ce4+掺杂对0.6CLT-0.4CMN体系微观组织结构和介电性能的影响。研究结果表明:稀土离子的掺杂,在0.6CLT-0.4CMN体系优良介电性能基础上有积极的改善效果,不同程度稀土离子掺杂对该体系的晶粒尺寸、气孔率等微观组织结构也有不同的影响。La3+、Nd3+、Sm3+、Ce4+掺杂会完全固溶到0.6CLT-0.4CMN陶瓷相中,并没有改变陶瓷主晶相,但会在一定程度上发生晶面衍射峰偏移。适量掺杂Ln3+可以有效促进0.6CLT-0.4CMN陶瓷的致密化,提高0.6CLT-0.4CMN体系陶瓷的微波介电性能。La3+、Nd3+、Sm3+、Ce4+掺杂可以有效提高Q×f值,并在一定程度上降低谐振频率温度系数。其中,掺杂0.75mol%Nd3+的0.6CLT-0.4CMN体系微波介电性能最佳(εr=66.7,Q×f=13037 GHz,τf=22.59 ppm/℃) 展开更多

关键词 0.6Ca0.6La0.267Ti o3-0.4Ca(mg1/3nb2/3)o3 介电性能 微观结构 稀土离子

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La^3+掺杂对Pb(Lu1/2Nb1/2)O3反铁电单晶储能性能的影响

12

作者 杨晓明 刘颖 +3 位作者 王祖建 苏榕冰 何超 龙西法 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第6期1016-1022,共7页

采用顶部籽晶法生长了La3+掺杂Pb(Lu1/2Nb1/2)O3(PLN)反铁电单晶,晶体组分简写为xLa-PLN(x=1%、3%、5%),并详细研究了La3+掺杂对PLN晶体储能性能的影响。通过ICP测试了不同配比晶体的实际掺杂比例,分别为0.3%、1.1%、2.9%。XRD显示该晶... 采用顶部籽晶法生长了La3+掺杂Pb(Lu1/2Nb1/2)O3(PLN)反铁电单晶,晶体组分简写为xLa-PLN(x=1%、3%、5%),并详细研究了La3+掺杂对PLN晶体储能性能的影响。通过ICP测试了不同配比晶体的实际掺杂比例,分别为0.3%、1.1%、2.9%。XRD显示该晶体体系为正交相钙钛矿结构,且存在两套超晶格衍射点阵,分别由A位铅离子反平行排列和B位离子有序排列导致。介电温谱给出了晶体的介电常数、介电损耗随温度和频率的变化规律,不存在弥散相变。变温电滞回线显示,该体系均表现出典型的双电滞回线特性,且随着La3+含量的增加,有效储能密度逐渐增大,最高储能密度达到5.1 J/cm3。这主要是由于La3+掺杂导致体系的容忍因子下降,从而增强了反铁电稳定性,最终提高了PLN体系的能量存储密度。 展开更多

关键词 pb(Lu1/2nb1/2)o3 反铁电晶体 顶部籽晶法 能量存储密度

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Bi_2O_3掺杂0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的低温烧结特性研究

13

作者 张虽栓 杨文玲 +1 位作者 李秋红 赵宗彦 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第4期605-609,共5页

采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧... 采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌,并优化电学性能。当Bi_2O_3的质量分数为1.0%时,0.35PNN-(0.60-w%)PZT+0.05V_2O_5+w%Bi_2O_3实现900℃烧结,表现出优异的电学性能:压电常数d33=580pC/N,机电耦合系数kp=0.65,介电常数εr=6 100,介电损耗tanδ=0.006 1,品质因数Qm=65。 展开更多

关键词 pb(Ni1/3nb2/3)o3-pb(Zr Ti)o3(PNN-PZT) 压电陶瓷 Bi2o3掺杂 低温烧结 电学性能 微结构

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新型热释电材料及其在红外探测器中的应用 被引量：6

14

作者 刘林华 罗豪甦 +5 位作者 吴啸 赵祥永 方家熊 李言瑾 邵秀梅 景为平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期777-785,共9页

以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和... 以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和0.42Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.28PbTiO3[PIMNT(42/30/28)]单晶的介电性能、铁电性能和热释电性能。掺杂后PMNT(74/26)单晶的介电损耗降低到0.000 5,探测优值提高到40.2×10-5 Pa-1/2,是目前所有三方四方相变温度(TRT)高于90°C的本征热释电材料中最高的。高居里温度PIMNT(42/30/28)单晶的TRT达到152°C,且具有较高的探测优值(10.2×10-5 Pa-1/2),将在更宽温度范围内得到广泛的应用。制作了基于掺锰PMNT(74/26)单晶的单元探头,其比探测率D*达到1.07×109 cmHz1/2W-1,是目前商用LiTaO3探测器的两倍,器件性能满足实用要求。 展开更多

关键词 弛豫铁电单晶 热释电 红外探测器 pb(mg1/3nb2/3)o3-pbtio3

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A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响 被引量：8

15

作者 冯小东 蹇胜勇 刘相果 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期100-102,共3页

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT... 以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。 展开更多

关键词 pb(Zn1 3nb2 3)o3-pb(Ni1 3 nb2 3) o3-pb (ZrTi) o3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷 高介电常数 高压电常数

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掺钾对PMN基陶瓷有序微区及介电和电致伸缩性能的影响 被引量：3

16

作者 屈绍波 杨祖培 +2 位作者 高峰 薛锦 田长生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期26-27,共2页

使用二次合成法制备了不同钾含量的 0 .80 Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3) O3- 0 .2 0 Pb Ti O3陶瓷 ,首先研究了掺钾对 PMN基预烧粉体和陶瓷试样相组成的影响 ,在此基础上详细研究了掺钾对 PMN基陶瓷有序微区、介电和电致伸缩性能的影响规律。掺钾... 使用二次合成法制备了不同钾含量的 0 .80 Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3) O3- 0 .2 0 Pb Ti O3陶瓷 ,首先研究了掺钾对 PMN基预烧粉体和陶瓷试样相组成的影响 ,在此基础上详细研究了掺钾对 PMN基陶瓷有序微区、介电和电致伸缩性能的影响规律。掺钾对 PMN基预烧粉体和陶瓷的相组成影响很小 ;理论计算和 Raman散射光谱分析都表明掺钾使 PMN基陶瓷的有序微区的尺寸稍微减小 ;掺钾也小幅度地减小了 PMN基陶瓷的介电和电致伸缩性能 。 展开更多

关键词 PMN基陶瓷 有序微区 电致伸缩性能 驰豫铁电体 钛酸铅 铷镁酸铅 掺钾 介电性能

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B位取代PZT体系的电子结构与压电特性研究 被引量：3

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作者 周静 陈文 +1 位作者 孙华君 徐庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期464-468,共5页

采用自洽场离散变分X_α计算方法,分别计算了Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3(简称PZY)、Pb( Zn(1/3)Nb_(2/3))O_3(简称PZN)、和Pb(Mn_(1/3) Sb_(2/3))O_3(简称PMS)体系的电子结构,研究了钙钛矿结构与烧绿石结构陶瓷的电子结构对压电性能的影... 采用自洽场离散变分X_α计算方法,分别计算了Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3(简称PZY)、Pb( Zn(1/3)Nb_(2/3))O_3(简称PZN)、和Pb(Mn_(1/3) Sb_(2/3))O_3(简称PMS)体系的电子结构,研究了钙钛矿结构与烧绿石结构陶瓷的电子结构对压电性能的影响。结果表明,PZT铁电相较顺电相稳定,O的2p轨道与B位原子的最外层d轨道的杂化是铁电性的必要条件,杂化的强弱可表明铁电性的强弱;Mn_(1/3)Sb_(2/3)、Zn_(1/3)Nb_(2/3)取代(Zr,Ti)若生成四方钙态矿结构,体系总能量降低、轨道杂化增强,可以提高PZT体系的铁电性能,若生成立方烧绿石结构,由于B—O(//轴向)与B—O(轴向)共价健强度差别太大,造成体系结构的不稳定,将导致铁电性的丧失。 展开更多

关键词 压电陶瓷 电子结构 压电特性 共价健极 pb(Zr1/2Ti1/2)o3 pb(ZN1/3nb2/3)o3 钙钛矿结构

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PT变化对PMN基陶瓷电致应变及滞后效应的影响 被引量：2

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作者 杨祖培 刘少恒 +1 位作者 高峰 田长生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期14-17,共4页

采用熔盐法制备了不同成分的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3二元系固溶体陶瓷,并研究了PbTiO3成分变化对该体系的介电性能、电致应变和电滞回线的影响。实验表明,随着PbTiO3含量的增加导致PMN基陶瓷的居里温度Tm逐渐升高,弥散相变度δ逐渐下降... 采用熔盐法制备了不同成分的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3二元系固溶体陶瓷,并研究了PbTiO3成分变化对该体系的介电性能、电致应变和电滞回线的影响。实验表明,随着PbTiO3含量的增加导致PMN基陶瓷的居里温度Tm逐渐升高,弥散相变度δ逐渐下降,最大介电常数εmax逐渐增大,最大电致应变也逐渐增大,但滞后性却逐渐增强。 展开更多

关键词 pb(mg13nb23)o3-pbtio3基陶瓷 pbTIo3 介电性能 电致应变 电滞后

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铌镁酸铅弛豫型铁电陶瓷的介电老化行为研究 被引量：2

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作者 樊慧庆 张立同 +1 位作者 张良莹 姚熹 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第6期8-12,共5页

通过典型弛豫型铁电陶瓷铌镁酸铅介电老化行为的研究，发现高温区的Ｄｅｂｙｅ 型弛豫过程与介电老化现象存在有机联系，指出复合钙钛矿弛豫型铁电体的结构缺陷特征对其介电老化起着重要作用。介电极化行为与老化行为对比分析和恒温经... 通过典型弛豫型铁电陶瓷铌镁酸铅介电老化行为的研究，发现高温区的Ｄｅｂｙｅ 型弛豫过程与介电老化现象存在有机联系，指出复合钙钛矿弛豫型铁电体的结构缺陷特征对其介电老化起着重要作用。介电极化行为与老化行为对比分析和恒温经时老化研究表明，结构缺陷上的局域化电子和空穴对铁电微畴畴壁“钉扎”效应产生弛豫型铁电体介电老化行为的快过程。 展开更多

关键词 弛豫型 铁电陶瓷 铌镁酸铅 介电老化 缺陷

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铌欠缺对PZN基陶瓷微观结构和介电性能的影响 被引量：1

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作者 屈绍波 王书文 +1 位作者 郝涛 薛锦 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2004年第7期860-862,共3页

使用化学混合法制备了PZN基陶瓷 ,研究了铌离子欠缺对其相组成、微观结构和介电性能的影响。随着铌离子欠缺量的增加 ,预烧粉体中的焦绿石相含量大幅度增加 ;但是微量铌离子欠缺对烧结后陶瓷的相组成没有什么影响 ,甚至当铌欠缺量达到 ... 使用化学混合法制备了PZN基陶瓷 ,研究了铌离子欠缺对其相组成、微观结构和介电性能的影响。随着铌离子欠缺量的增加 ,预烧粉体中的焦绿石相含量大幅度增加 ;但是微量铌离子欠缺对烧结后陶瓷的相组成没有什么影响 ,甚至当铌欠缺量达到 2 %时 ,陶瓷仍然为 10 0 %的钙钛矿结构。随着铌欠缺的增加 ,晶粒尺寸增大 ,但是陶瓷仍具有良好的成瓷性。铌欠缺使介电常数减小 ,但是对介电损耗影响很小 ;介电常数减小的原因归结为“有效有序微区” 展开更多

关键词 pb(ZN1/3nb2/3)o3 铌欠缺 相组成 微观结构 介电性能

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