耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型 被引量：1

1

作者 刘莉 杨银堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期64-68,共5页

在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300～600K温度范围表面弱电场的条件下．由于杂质不完全离化作用得到充分体现．因此... 在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300～600K温度范围表面弱电场的条件下．由于杂质不完全离化作用得到充分体现．因此器件的工作状态有不同于常规模型下的特性；当温度升高时离化率的增大使得杂质的不完全离化作用得不到体现，所以文中模型的结果向常规模型的结果靠近．且都与实验结果接近。同时为了充分利用埋沟器件体内沟道的优势．对埋沟掺杂的浓度和深度也进行了合理的设计。 展开更多

关键词 碳化硅 埋沟p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 不完全离化 表面耗尽

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SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型 被引量：2

2

作者 邹晓 徐静平 +2 位作者 李艳萍 陈卫兵 苏绍斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期148-151,156,共5页

通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽... 通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。 展开更多

关键词 锗硅沟道 金属-氧化物-半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应

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应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟 被引量：2

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作者 屠荆 杨荣 +1 位作者 罗晋生 张瑞智 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期516-519,523,共5页

通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变... 通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比SiPMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注。 展开更多

关键词 应变锗硅 p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 亚阈值特性 模型 模拟

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不同沟道长度MOSFET的热载流子效应

4

作者 韩德栋 张国强 +3 位作者 任迪远 余学锋 郭旗 陆妩 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期309-311,317,共4页

对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非... 对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。 展开更多

关键词 MOSFET 不同沟道长度 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 热载流子效应

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一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现

5

作者 韩成功 郭清 +3 位作者 韩雁 张斌 张世峰 胡佳贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c... 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。 展开更多

关键词 高压p沟道金属氧化物场效应晶体管 半导体工艺及器件模拟工具 等离子扫描驱动芯片 双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺

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沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究

6

作者 韦拢 韦覃如 +5 位作者 赵鹏 李政槺 周镇峰 林晓玲 章晓文 高汭 《电子产品可靠性与环境试验》 2022年第S02期40-42,共3页

负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道... 负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道器件,沟道长度越短,NBTI效应越严重。但是,针对多个器件单元串联组成的长沟道器件,NBTI效应只与每个器件单元的沟道长度有关,与器件单元数量无关。 展开更多

关键词 负偏置温度不稳定性 沟道长度 金属-氧化物半导体场效应晶体管

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TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型 被引量：1

7

作者 张海鹏 魏同立 宋安飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期18-22,共5页

从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFE... 从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。 展开更多

关键词 SOI pMOSFET 导电机理 漏电流 二维解析模型 薄膜积累型 p沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管

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超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进 被引量：1

8

作者 张雪锋 季红兵 +4 位作者 邱云贞 王志亮 黄静 张振娟 徐静平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期507-509,517,共4页

通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝... 通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。 展开更多

关键词 p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 氮化铪界面层

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凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET特性的影响 被引量：1

9

作者 任红霞 郝跃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-24,28,共7页

为优化槽栅器件结构 ,提高槽栅 MOSFET的性能和可靠性 ,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅 PMOSFET的特性影响进行了研究。研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性 :随着凹槽拐角的增大 ,阈值电压上升 ,电流驱动能力提高 ,... 为优化槽栅器件结构 ,提高槽栅 MOSFET的性能和可靠性 ,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅 PMOSFET的特性影响进行了研究。研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性 :随着凹槽拐角的增大 ,阈值电压上升 ,电流驱动能力提高 ,而热载流子效应大大减弱 ,抗热载流子性能增强 ,热载流子可靠性获得提高 ;但凹槽拐角过大时 (例如 90°) 。 展开更多

关键词 槽栅p沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管 凹槽拐角 器件特性

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HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究

10

作者 张雪锋 季红兵 +5 位作者 邱云贞 王志亮 陈云 张振娟 黄静 徐静平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期485-488,共4页

为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁... 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。 展开更多

关键词 锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 散射 迁移率

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纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法

11

作者 崔江维 郑齐文 +5 位作者 余徳昭 周航 苏丹丹 马腾 郭旗 余学峰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期433-437,共5页

P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。... P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。 展开更多

关键词 纳米器件 p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏压温度不稳定性

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pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

12

作者 陈海峰 过立新 杜慧敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期10-13,共4页

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的... 研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。 展开更多

关键词 产生电流 衬底偏压 平带电压 p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

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HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究 被引量：1

13

作者 张雪锋 季红兵 +2 位作者 邱云贞 王志亮 徐静平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页

为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO... 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。 展开更多

关键词 锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 氮氧钽铪界面层 高介电常数介质 散射 迁移率

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GaAs MISFET制备中的选择性腐蚀研究

14

作者 陈宏江 杨瑞霞 +1 位作者 武一宾 杨克武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期22-25,共4页

研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体... 研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。 展开更多

关键词 选择湿法腐蚀 柠檬酸 调制掺杂沟道 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管

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氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响 被引量：1

15

作者 高秀秀 柯攀 戴小平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期217-221,236,共6页

为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175... 为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响。实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且沟道迁移率中库仑散射温度指数增加;高温N_(2)退火对静态电参数没有影响;界面空穴陷阱能级宽度对阈值电压的高温漂移量起主要作用;漏源电流随沟道迁移率的增加呈非线性增长。 展开更多

关键词 4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱 沟道迁移率 库仑散射 温度指数 TCAD仿真

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