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功率MOSFET寄生电容劣化对开关瞬态响应的影响 被引量:4
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作者 戴宇晟 王国辉 +2 位作者 关永 吴立锋 李晓娟 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期661-664,共4页
为解决功率MOSFET寄生电容劣化影响寿命的问题,在MOSFET非线性模型基础上,深入分析MOSFET寄生电容参数和开关管瞬态响应信号之间的关系,推导了各参数和瞬态响应之间的关系表达式,并用Saber仿真实验进行验证。由于栅极对MOSFET的性能影... 为解决功率MOSFET寄生电容劣化影响寿命的问题,在MOSFET非线性模型基础上,深入分析MOSFET寄生电容参数和开关管瞬态响应信号之间的关系,推导了各参数和瞬态响应之间的关系表达式,并用Saber仿真实验进行验证。由于栅极对MOSFET的性能影响至关重要,所以此次实验分析了和栅极相关的栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd。结果表明,在寄生参数相同劣化程度时,栅源电容对瞬态响应的影响达到7.08%,而栅漏电容近似只有1.6%。栅源电容的劣化更大程度上影响瞬态响应,为MOSFET劣化提供了新的研究思路。 展开更多
关键词 mosfet 寄生电容 瞬态响应 软件仿真
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超短沟道高k栅MOSFET寄生电容
2
作者 王敏 王保童 柯导明 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期822-829,共8页
寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式.... 寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式.研究结果表明,减小源/漏区尺寸和栅极厚度可以减小寄生电容,沟道长度的变化对寄生电容几乎没有影响,栅介电常数的增加会使边缘电容减小.模型求解时精度高、运算量小,可直接用于电路模拟程序和器件设计. 展开更多
关键词 超短沟道 寄生电容 高K材料 半解析模型
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MOSFET寄生电容对E类功率放大器影响的研究
3
作者 王永吉 葛小宁 金太东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期138-142,共5页
针对Class-E功率放大器传输效率受MOSFET寄生电容的影响,提出了一种提高传输效率的方法。通过调节RLC回路中串联谐振电容的数值,提高旁路电容的数值,调节负载回路,使其超过MOSFET自身的输出寄生电容,以达到提高输出效率的目的。计算及... 针对Class-E功率放大器传输效率受MOSFET寄生电容的影响,提出了一种提高传输效率的方法。通过调节RLC回路中串联谐振电容的数值,提高旁路电容的数值,调节负载回路,使其超过MOSFET自身的输出寄生电容,以达到提高输出效率的目的。计算及仿真结果表明该方法在13.56 MHz下,可以将Class-E的旁路电容的值提高到120~160 pF,大大超过了IRF510的102.98 pF的寄生输出电容。最后,通过MSO3012混合信号示波器测量电路的传输效率,并对解决方案评估和改进,将Class-E的能量传输效率从改进前的37.1%提高到改进后的54.4%。据此,实现了Class-E在神经假体中数据与能量传输的应用。 展开更多
关键词 Class—E功率放大器 寄生电容 漏极输出电压 旁路电容 传输效率
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一种考虑寄生电容影响的H8逆变器共模电压抑制方法
4
作者 高铭聚 李珊瑚 +2 位作者 蔡敏 刘旭 孙庆国 《太阳能学报》 北大核心 2025年第7期614-623,共10页
针对H8逆变器提出一种抑制共模电压的有效全开路零矢量调制策略。通过推导有效全开路零矢量下H8逆变器的共模电压时域模型,研究共模电压与直流母线开关管S_(7)、S_(8)结电容值和交流输出侧对地寄生电容之间的内在关系,定量分析共模电压... 针对H8逆变器提出一种抑制共模电压的有效全开路零矢量调制策略。通过推导有效全开路零矢量下H8逆变器的共模电压时域模型,研究共模电压与直流母线开关管S_(7)、S_(8)结电容值和交流输出侧对地寄生电容之间的内在关系,定量分析共模电压值和系统效率随附加并联电容的变化趋势。为兼顾共模电压抑制效果和系统效率,S_(7)、S_(8)选择的附加并联电容值约为寄生电容值的30倍,将有效全开路零矢量下的共模电压降低到0,系统效率达到98%,同时避免死区问题引起的共模电压尖峰。最后通过实验验证上述方法的有效性。 展开更多
关键词 逆变器 脉宽调制 矢量 共模电压 寄生电容 死区效应
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发电机定子环形励磁绕组寄生电容解析模型与容值降低方法
5
作者 朱姝姝 刘倩倩 +2 位作者 原熙博 王凯 刘闯 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第19期7806-7816,I0027,共12页
励磁控制器是调节发电机励磁电流,控制发电机电压的核心部件。采用宽禁带功率器件(例如碳化硅、氮化镓器件)的励磁控制器具有损耗低、开关频率高的优点,而电路中的寄生电容会影响功率管的开关性能,增加开关损耗,带来震荡和电磁干扰问题... 励磁控制器是调节发电机励磁电流,控制发电机电压的核心部件。采用宽禁带功率器件(例如碳化硅、氮化镓器件)的励磁控制器具有损耗低、开关频率高的优点,而电路中的寄生电容会影响功率管的开关性能,增加开关损耗,带来震荡和电磁干扰问题等。励磁绕组寄生电容是励磁控制电路的重要组成部分,降低其容值可有效提升控制器性能。为了探寻有效的容值降低方法,建立考虑匝间距离、匝到铁心距离和层间距离的多层绕组寄生电容解析模型;通过田口法计算参数灵敏度得到影响寄生电容的关键参数,研究寄生电容的变化规律;在考虑槽空间约束情况下得到降低多层定子环形励磁绕组寄生电容的有效方法;通过实验验证解析模型的准确性和降低寄生电容方法的有效性。 展开更多
关键词 寄生电容 解析模型 励磁绕组 距离参数
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考虑米勒电容分层耗尽的数据手册驱动型SiC MOSFET模型
6
作者 王乐衡 孙凯 +3 位作者 郑泽东 李驰 巫以凡 毕大强 《高电压技术》 北大核心 2025年第2期876-889,共14页
随着碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管(silicon carbide metal-oxide-silicon field effect transistor,SiC MOSFET)功率器件的市场规模逐渐增大,对快速、准确的SiC MOSFET器件电路仿真模型的需求持续增多。然而,现有的SiC MOSFET模型... 随着碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管(silicon carbide metal-oxide-silicon field effect transistor,SiC MOSFET)功率器件的市场规模逐渐增大,对快速、准确的SiC MOSFET器件电路仿真模型的需求持续增多。然而,现有的SiC MOSFET模型尚不完善,无法兼顾电流-电压特性的高准确度和高收敛性,且对米勒电容在低漏源电压区域的变化特性建模存在较大误差。为此,提出了一种考虑米勒电容分层耗尽的数据手册驱动型SiC MOSFET模型。首先,在已有文献中不分段电流源模型的基础上,修正模型表达式,提高了电流-电压特性准确度。接着,基于对米勒电容分层耗尽特性物理过程的分析,建立了优化的米勒电容模型以描述全偏压下的电容-电压特性。模型参数可以完全通过数据手册按照参数提取方法和步骤提取,并分析了静态参数变化对动态特性产生影响的机制。最后,以SiC MOSFET器件C3M0021120D为研究对象,在LTspice中搭建器件模型和仿真电路,并与静态特性测试及双脉冲动态特性测试结果进行对比。实验结果表明:所提模型的预测误差均在10%以内,验证了所提模型的有效性,体现了该模型具有被应用于碳化硅电力电子变换器设计与评估的潜力。 展开更多
关键词 器件建模 SiC mosfet 收敛性 参数提取 米勒电容 静态特性 动态特性
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碳化硅MOSFET静态特征参数及寄生电容的高温特性研究 被引量:3
7
作者 徐鹏 柯俊吉 +2 位作者 赵志斌 谢宗奎 魏昌俊 《华北电力大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第4期17-24,共8页
为了获取碳化硅(Si C)MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在不同温度下对器件的静态特性及寄生电容进行测量。并基于已... 为了获取碳化硅(Si C)MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在不同温度下对器件的静态特性及寄生电容进行测量。并基于已有硅(Si)MOSFET的静态特性理论,结合碳化硅材料的温度特性,详细分析了碳化硅MOSFET静态特征参数的温度特性。研究结果表明碳化硅MOSFET的跨导具有与硅器件完全不同的温度特性,并且相比于第一代碳化硅MOSFET,第二代器件的泄漏电流表现出更低的温度依赖性。然而随着温度升高,第二代碳化硅MOSFET的导通电阻较第一代增长更快,但增长依旧远低于硅MOSFET。 展开更多
关键词 碳化硅mosfet 温度特性 理论分析 实验测量
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基于矩阵磁结构的平面电感寄生电容优化设计
8
作者 屠腾 张方华 +2 位作者 张钊荣 黄恩泽 余文浩 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2825-2832,I0025,共9页
当平面电感的单层绕组匝数超过一匝时,外侧绕组间存储的电场能量会导致寄生电容偏大。为降低平面电感寄生电容,文中将一个电感拆分为多个分立电感以实现单层一匝的绕制方案,并分析分立电感方案与单磁心方案在铁损、铜损和体积方面的变... 当平面电感的单层绕组匝数超过一匝时,外侧绕组间存储的电场能量会导致寄生电容偏大。为降低平面电感寄生电容,文中将一个电感拆分为多个分立电感以实现单层一匝的绕制方案,并分析分立电感方案与单磁心方案在铁损、铜损和体积方面的变化。针对分立电感体积增大这一问题,进一步提出矩阵磁方案,给出两电感、四电感磁集成结构。有限元仿真结果表明,相接近的体积下,矩阵磁方案降低了77%的寄生电容,并减小了69%的铜损。最后,搭建一台Buck变换器。功率实验结果表明,矩阵磁结构平面电感具有更优的性能。 展开更多
关键词 平面电感 寄生电容 矩阵磁 磁集成
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MOSFET非线性寄生电容对单管谐振正激变换器的影响及其处理
9
作者 邓俊清 陈为 贺宇航 《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第2期21-28,共8页
高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真... 高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真模型,并推导基本数学表达式;利用分段线性法计算谐振过程中电容充放电时间,并根据能量守恒建立谐振参数取值的约束方程组。计算所得的谐振参数可在不降低频率和占空比的条件下克服MOSFET非线性电容的影响,当激磁电感取其上限值时,磁损最小,此时可得最高效率。 展开更多
关键词 寄生电容 非线性 谐振正激 mosfet
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MOSFET输出电容对CLLLC谐振变换器模型的优化 被引量:1
10
作者 张新闻 刘文泽 +1 位作者 杨树德 刘百林 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第22期7228-7238,共11页
在CLLLC谐振变换器基波等效建模方法中,未虑及变压器二次电流为零及死区时间内MOSFET输出电容对输出侧H桥桥臂中点电压的影响,当开关频率低于谐振频率(欠谐振)时,变换器输出侧H桥桥臂中点电压模型的准确性有待进一步提高。该文通过解析... 在CLLLC谐振变换器基波等效建模方法中,未虑及变压器二次电流为零及死区时间内MOSFET输出电容对输出侧H桥桥臂中点电压的影响,当开关频率低于谐振频率(欠谐振)时,变换器输出侧H桥桥臂中点电压模型的准确性有待进一步提高。该文通过解析变换器欠谐振区域模型准确度较低的成因,得到变压器二次电流为零及死区时间内MOSFET输出电容电压方程,对基波等效建模方法进行了更为深入的研究,提出了状态变量(输出侧H桥桥臂中点电压、变压器二次电流)与变换器增益的优化计算方法。该方法计算式中包含开关频率、谐振频率、输出电压和MOSFET输出电容的信息,减小了状态变量稳态值求解误差,使等效输出负载与谐振腔参数更加准确,解决了欠谐振时变换器输出侧H桥桥臂中点电压模型精度相对较低的问题。最后,搭建CLLLC谐振变换器电路仿真模型与实验系统对所提方法进行验证,结果验证了该文理论分析的正确性。 展开更多
关键词 mosfet输出电容 CLLLC谐振变换器 基波等效(FHA)模型 时域分析
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寄生电容对串联谐振电容器充电电源特性的影响 被引量:67
11
作者 钟和清 徐至新 +3 位作者 邹云屏 郭良福 周丕璋 郑万国 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第10期40-44,共5页
软开关串联谐振电容器拓扑因其在较宽的电压范围内具有平均充电电流恒定和抗短路能力强的特点而用于对高压电容器充电。但开关频率固定的串联谐振充电电源的恒流特性因直流母线电压的波动和高压变压器以及整流单元的分布电容的影响,其... 软开关串联谐振电容器拓扑因其在较宽的电压范围内具有平均充电电流恒定和抗短路能力强的特点而用于对高压电容器充电。但开关频率固定的串联谐振充电电源的恒流特性因直流母线电压的波动和高压变压器以及整流单元的分布电容的影响,其充电电流并不是恒流。该文分析了理想和实际的串联谐振充电电源的充电电流特性。提出了采用图表法对串联谐振电源进行参数设计和调试,克服了以往高压脉冲电源设计和调试时的盲目性,具有重要的工程实用价值。 展开更多
关键词 串联谐振 电容 充电电源 电流特性 寄生电容
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高压直流输电换流系统屏蔽罩寄生电容的数值计算方法 被引量:9
12
作者 刘士利 王泽忠 孙静 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2970-2975,共6页
目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一,是建立换流系统的宽频等效电路模型,分析阀塔过电压瞬态过程,而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数,直接影响模型的正确性。为此,提出了一种基于间接边界元法的数值计算方法来计... 目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一,是建立换流系统的宽频等效电路模型,分析阀塔过电压瞬态过程,而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数,直接影响模型的正确性。为此,提出了一种基于间接边界元法的数值计算方法来计算屏蔽罩的寄生电容参数,在这种方法中,只需对导体表面进行剖分,无需离散整个场域,在求得导体表面法向电场强度后,即可得到导体系统的电容矩阵。针对国内某±500kV直流换流站,应用该方法提取了屏蔽罩寄生电容,通过对比计算,研究了不同阀层屏蔽罩对电容参数的影响,确定了计算实际屏蔽罩寄生电容的仿真模型。为换流阀塔等大尺寸复杂金属结构的电容参数计算提供了一种便捷、可行的方法。 展开更多
关键词 寄生电容 屏蔽罩 边界元法 提取 模型 复杂结构
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铁氧体环形电感器寄生电容的提取 被引量:13
13
作者 王世山 崔永生 谢少军 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期22-29,共8页
铁氧体电感器在较高频率时可等效为"电阻、电感"的串联支路与一寄生电容的并联,该电容的存在对电感器的高频性能有重要影响。建立铁氧体环形电感器2D平行平面场和3D静电场有限元模型,分别计算任意两线匝之间的杂散电容,由此... 铁氧体电感器在较高频率时可等效为"电阻、电感"的串联支路与一寄生电容的并联,该电容的存在对电感器的高频性能有重要影响。建立铁氧体环形电感器2D平行平面场和3D静电场有限元模型,分别计算任意两线匝之间的杂散电容,由此得到其等效电容网络。若在电感器输入和输出线匝间加一单位电流,基于节点电压方程,则可求解得到电感器的容性集中参数——寄生电容。在假定该寄生电容与频率无关时,利用测试电感器的谐振频率,可得到该寄生电容。计算与实验对比显示,电感器的边缘效应在静电场的模型建立中占据非常重要的地位,即包括线匝杂散电容计算在内的静电场分析必须以3D模型进行。若仅考虑相邻3匝间的杂散电容,则电感器等效寄生电容值可达考虑所有线匝间杂散电容时寄生电容的95%以上,寄生电容与铁氧体磁心和导线绝缘材料的介电常数呈线性关系,且绝缘材料的介电常数对寄生电容的影响更大。 展开更多
关键词 电感器 有限元法 寄生电容 谐振频率
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HVDC换流系统屏蔽罩寄生电容提取 被引量:8
14
作者 刘士利 王泽忠 孙静 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第2期201-206,共6页
高压直流输电(HVDC)换流阀屏蔽罩的寄生电容对换流系统的宽频电路性能有重大影响,快速准确地提取屏蔽罩电容参数是目前HVDC国产化需要掌握的关键技术之一。将间接边界元方法用于换流阀屏蔽罩寄生电容参数的提取,从场分析角度,提出了用... 高压直流输电(HVDC)换流阀屏蔽罩的寄生电容对换流系统的宽频电路性能有重大影响,快速准确地提取屏蔽罩电容参数是目前HVDC国产化需要掌握的关键技术之一。将间接边界元方法用于换流阀屏蔽罩寄生电容参数的提取,从场分析角度,提出了用平面模拟倒角曲面的模型简化方法。针对国内某直流换流站,建立了屏蔽罩倒角和不倒角的仿真模型,对比计算了不同倒角情况下的寄生电容,分析了倒角对电容参数的影响。计算结果表明,该模型简化方法保证了计算精度,降低了建模难度和计算代价,为大尺寸金属架构的电容计算提供了一种便捷、可行的方法。 展开更多
关键词 寄生电容 屏蔽罩 倒角 边界元 提取
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频域寄生电容法变频电机Hertz轴承电流密度计算 被引量:5
15
作者 王禹 白保东 +1 位作者 刘威峰 陈德志 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第2期189-195,共7页
提出应用频域寄生电容法计算Hertz轴承电流密度。该种方法以电机系统内的寄生电容为研究对象,通过解析法确定其频域特性,结合电机内耦合电容拓扑结构计算轴承电流。本文以一台3k W变频电机为研究对象,通过解析法确定其各部分寄生电容的... 提出应用频域寄生电容法计算Hertz轴承电流密度。该种方法以电机系统内的寄生电容为研究对象,通过解析法确定其频域特性,结合电机内耦合电容拓扑结构计算轴承电流。本文以一台3k W变频电机为研究对象,通过解析法确定其各部分寄生电容的频域特性,并通过阻抗分析仪对计算结果进行校验。根据变频器电机系统耦合电容模型列写轴承电流线性微分方程,通过一般线性扩展法对其进行求解,求得轴承放电电流。搭建轴承电流测量平台,对轴承电流进行测量,与计算结果基本吻合。最后应用接触力学中的经典Hertz理论求得轴承接触面积,进而计算轴承电流密度。该种轴承电流密度计算方法为定量评估轴承电损伤提供了理论依据。 展开更多
关键词 变频电机 轴承 电流密度 寄生电容 Hertz模型
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高压高频变压器寄生电容实验提取方法 被引量:5
16
作者 刘晨 齐磊 +1 位作者 崔翔 赵国亮 《华北电力大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第1期1-8,共8页
高压高频变压器是大容量DC-DC变换器实现电气隔离和电压变换的关键装备。随着容量和电压等级的提高,高性能金属磁芯和油纸绝缘系统将应用于高压高频变压器以提高功率密度。高压大容量工况下金属磁芯和油箱均需接地以避免悬浮电位产生的... 高压高频变压器是大容量DC-DC变换器实现电气隔离和电压变换的关键装备。随着容量和电压等级的提高,高性能金属磁芯和油纸绝缘系统将应用于高压高频变压器以提高功率密度。高压大容量工况下金属磁芯和油箱均需接地以避免悬浮电位产生的局部放电,使得高压高频变压器绕组对地电容效应亟待研究。为了能够在不清楚变压器内部信息的情况下对寄生电容进行分析,提出了一种高压高频变压器寄生电容的实验提取方法。基于变压器的Y参数矩阵,利用直接测量和间接测量获得了一系列不同绕组端子条件下的电容约束方程。通过方程独立性分析,实现了高压高频变压器包括绕组对地电容在内共10个电容参数的有效提取。通过一台20 k Hz高压高频变压器原型机验证了所提方法的有效性。在此基础上分析了不同绕组接地情况下高压高频变压器的电压传输特性,结果表明绕组对地电容会显著影响电压传输特性的谐振频率以及工作频率下的实际电压变比。 展开更多
关键词 高频变压器 寄生电容 参数提取 传输特性
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计及寄生电容和纹波电流的电压源型逆变器死区效应与补偿方法 被引量:5
17
作者 谢晔源 谢瑞 +2 位作者 李成敏 周志超 李武华 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期16-21,共6页
电压源型逆变器中固有的死区效应降低了输出电压的品质。为了精确补偿死区效应,需要建立死区效应导致的逆变器输出电压失真的精确模型。但是,已有死区效应模型没有考虑开关管等效并联电容和电感电流纹波对于死区效应的影响,导致死区补... 电压源型逆变器中固有的死区效应降低了输出电压的品质。为了精确补偿死区效应,需要建立死区效应导致的逆变器输出电压失真的精确模型。但是,已有死区效应模型没有考虑开关管等效并联电容和电感电流纹波对于死区效应的影响,导致死区补偿结果难以优化。本文通过详细分析和推导,发现寄生电容和纹波电流会影响输出电压的精度,并给出了输出电压误差的精确数学表达式。在此基础上,本文提出一种在线、自适应的死区精确补偿方法。最后,通过仿真和实验证明了本文分析的正确性和死区补偿方法的有效性。 展开更多
关键词 电压源型逆变器 死区效应补偿 寄生电容 纹波电流 电能质量
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考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型 被引量:3
18
作者 杨银堂 王凤娟 +2 位作者 朱樟明 刘晓贤 丁瑞雪 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3011-3017,共7页
该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85&#... 该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误差分别达到210.42%,214.81%,214.52%和211.47%,验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。Ansoft HFSS仿真结果表明,考虑MOS效应以后11S的最大减幅大约为19 dB,21S的最大增幅大约为0.01 dB,锥型TSV的传输性能得到改善。 展开更多
关键词 集成电路 锥型硅通孔 寄生电容 MOS效应 泊松方程
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高压变压器寄生电容对串联谐振变换器特性的影响 被引量:30
19
作者 刘军 郭瑭瑭 +1 位作者 常磊 何湘宁 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第15期16-23,179,共8页
高压串联谐振变换器广泛应用于电容器充电、静电除尘等系统中。然而,高压变压器寄生电容的存在,使得客观上并不存在理想的高压串联谐振变换器。定量分析了高压高频变压器的寄生电容对工作于断续谐振电流模式(discontinuous current mode... 高压串联谐振变换器广泛应用于电容器充电、静电除尘等系统中。然而,高压变压器寄生电容的存在,使得客观上并不存在理想的高压串联谐振变换器。定量分析了高压高频变压器的寄生电容对工作于断续谐振电流模式(discontinuous current mode,DCM)的串联谐振变换器特性的影响,这些特性包括临界断续谐振频率、归一化输出电流和软开关。当考虑高压变压器寄生电容后,串联谐振变换器实际上已经演变为LCC串并联谐振变换器。通过对DCMLCC谐振变换器在不同工作阶段的数学分析、推导和归一化处理,得到了具有封闭形式的电路特性的表达式。通过分析发现,随着等效电压增益的增加,DCM LCC谐振变换器的正向和反向谐振过程均由两元件谐振向三元件谐振过程转变,临界断续频率升高。以图形曲线的方式给出了量化的分析结果。通过比较两类典型的控制方法可知,第二类典型控制方法具有更高的电流输出能力和能量传输效率,是一种优化的控制方法。所得分析结果可为工作于断续谐振电流模式的高压串联谐振变换器的设计提供参考,特别对电容充电和静电除尘电源具有工程应用价值。 展开更多
关键词 寄生电容 串联谐振变换器 串并联谐振变换器 封闭表达式 断续谐振电流模式:典型控制方法
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寄生电容对LLC谐振变换器的影响分析 被引量:10
20
作者 俞珊 徐志望 董纪清 《电源学报》 CSCD 北大核心 2018年第2期124-130,共7页
在进行LLC变换器的设计过程中,极易忽略寄生电容对变换器的影响。从寄生电容的产生机理出发,分析了寄生电容对LLC变换器工作原理特性的影响。寄生电容的存在不仅影响原边开关管的软开关过程,而且会使输出电压增益在轻载或空载下出现失... 在进行LLC变换器的设计过程中,极易忽略寄生电容对变换器的影响。从寄生电容的产生机理出发,分析了寄生电容对LLC变换器工作原理特性的影响。寄生电容的存在不仅影响原边开关管的软开关过程,而且会使输出电压增益在轻载或空载下出现失真现象。在优化死区时间的基础上,综合比较已知增益失真解决方案,提出一种新颖的双滞环自适应Burst数字控制方案,在稳定变换器输出电压的同时,提升轻载下的变换效率。最后,通过样机实验验证了所提控制方案的正确性与合理性。 展开更多
关键词 寄生电容 LLC变换器 软开关 增益失真
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