空间调制(Spatial Modulation, SM)技术和OFDM多模子载波索引调制(OFDMMulti-Mode Index Modulation, MM-OFDM-IM)技术分别在能量效率(Energy Efficiency,EE)和频谱效率(Spectral Efficiency,SE)上有着很大的优势。多维度索引调制技术...空间调制(Spatial Modulation, SM)技术和OFDM多模子载波索引调制(OFDMMulti-Mode Index Modulation, MM-OFDM-IM)技术分别在能量效率(Energy Efficiency,EE)和频谱效率(Spectral Efficiency,SE)上有着很大的优势。多维度索引调制技术相结合能够应用多种物理资源,应对无线通信系统对数据传输和系统容量的高需求,由此将SM与MMOFDM-IM系统灵活结合,构建基于空频结合的多模复合索引调制(OFDM-Multiple-Mode Space Frequency Composite Index Modulation,MM-OFDM-SFCIM)系统,保留传统子载波索引调制技术中的静默子载波,拓展新的复合系数维度,提高系统的SE和EE。针对系统的复杂特性,提出了基于符号能量及对数似然的联合检测算法(REML based on symbolic Energy and LLR,EL-REML)。仿真结果表明,MM-OFDM-SFCIM系统比传统的空频结合系统在SE上提高了约30%,并且MM-DFDM-SPCIM系统中提出的EL-REML算法比LLR算法在误码率上提高了3~4 dB,相比传统的ML算法,其计算复杂度更低。展开更多
采用数值模拟研究PVT法φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数。研究表明φ150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,优化的加热频率在5 k Hz以下,系统分析不同生长参数下生长腔内...采用数值模拟研究PVT法φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数。研究表明φ150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,优化的加热频率在5 k Hz以下,系统分析不同生长参数下生长腔内径向及轴向温度梯度的变化规律。在此基础上初步的进行了φ150 mm 4H-SiC单晶的生长工作,获得了无裂纹、直径完整的高质量SiC衬底材料。拉曼光谱Mapping测量显示φ150 mm SiC衬底全片无多型,均为4H-SiC晶型。X光摇摆曲线显示半宽小于30 arcsec。采用掺杂过渡金属V杂质,获得了电阻率超过5×109Ω·cm的150 mm SiC衬底。展开更多
文摘空间调制(Spatial Modulation, SM)技术和OFDM多模子载波索引调制(OFDMMulti-Mode Index Modulation, MM-OFDM-IM)技术分别在能量效率(Energy Efficiency,EE)和频谱效率(Spectral Efficiency,SE)上有着很大的优势。多维度索引调制技术相结合能够应用多种物理资源,应对无线通信系统对数据传输和系统容量的高需求,由此将SM与MMOFDM-IM系统灵活结合,构建基于空频结合的多模复合索引调制(OFDM-Multiple-Mode Space Frequency Composite Index Modulation,MM-OFDM-SFCIM)系统,保留传统子载波索引调制技术中的静默子载波,拓展新的复合系数维度,提高系统的SE和EE。针对系统的复杂特性,提出了基于符号能量及对数似然的联合检测算法(REML based on symbolic Energy and LLR,EL-REML)。仿真结果表明,MM-OFDM-SFCIM系统比传统的空频结合系统在SE上提高了约30%,并且MM-DFDM-SPCIM系统中提出的EL-REML算法比LLR算法在误码率上提高了3~4 dB,相比传统的ML算法,其计算复杂度更低。
文摘采用数值模拟研究PVT法φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数。研究表明φ150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,优化的加热频率在5 k Hz以下,系统分析不同生长参数下生长腔内径向及轴向温度梯度的变化规律。在此基础上初步的进行了φ150 mm 4H-SiC单晶的生长工作,获得了无裂纹、直径完整的高质量SiC衬底材料。拉曼光谱Mapping测量显示φ150 mm SiC衬底全片无多型,均为4H-SiC晶型。X光摇摆曲线显示半宽小于30 arcsec。采用掺杂过渡金属V杂质,获得了电阻率超过5×109Ω·cm的150 mm SiC衬底。
