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1
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微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究 |
徐跃杭
徐锐敏
延波
王磊
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《微波学报》
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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2
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高温SiC MESFET特性模拟研究 |
吕红亮
张义门
张玉明
何光
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
5
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3
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S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究 |
默江辉
李亦凌
王勇
潘宏菽
李亮
陈昊
蔡树军
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《微波学报》
CSCD
北大核心
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2010 |
3
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4
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大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究 |
默江辉
王丽
刘博宁
李亮
王勇
陈昊
冯志红
何庆国
蔡树军
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
6
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5
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 |
穆甫臣
李志国
郭伟玲
张万荣
孙英华
程尧海
严永鑫
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
2
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6
|
GaAsMESFET热特性电学法测量与分析 |
冯士维
谢雪松
吕长志
何大伟
刘成名
李道成
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
2
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7
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GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析 |
毛剑波
易茂祥
丁勇
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《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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8
|
快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模 |
王卓鹏
杨卫平
高国成
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《系统工程与电子技术》
EI
CSCD
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1999 |
2
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9
|
硫钝化GaAs MESFET的机理研究 |
邢东
李效白
刘立浩
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
3
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10
|
GaAs MESFET管大信号建模研究 |
王卓鹏
高国成
杨卫平
鲁成伟
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《系统工程与电子技术》
EI
CSCD
北大核心
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2002 |
1
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11
|
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响 |
吕红亮
张义门
张玉明
车勇
王悦湖
邵科
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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12
|
超宽带SiC MESFET器件的研制 |
崔玉兴
默江辉
李亮
李佳
付兴昌
蔡树军
杨克武
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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13
|
应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET |
杨林安
于春利
张义门
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《空军工程大学学报（自然科学版）》
CSCD
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2001 |
0 |
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14
|
GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响 |
丁勇
赵福川
毛友德
夏冠群
赵建龙
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2000 |
0 |
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15
|
4H-SiC MESFET的特性研究 |
徐昌发
杨银堂
朱磊
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
0 |
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16
|
高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用 |
韩德俊
李国辉
王琦
韩卫
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《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
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1992 |
0 |
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17
|
SiC-MESFET器件的夹断电压 |
王守国
张义门
张玉明
张志勇
阎军锋
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《西北大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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18
|
连续波80W大功率SiC MESFET |
李亮
默江辉
李佳
冯志红
崔玉兴
付兴昌
蔡树军
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
0 |
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19
|
栅结构对功率SiC MESFET器件性能的影响 |
李岚
王勇
默江辉
李亮
蔡树军
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
0 |
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20
|
短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型 |
黄庆安
吕世骥
童勤义
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《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
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1992 |
0 |
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