SiC-MESFET器件的夹断电压

Investigation of the pinch off voltage of SiC-MESFET

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摘要考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好。 A more precise model of the pinch off voltage of SiCMESFET is given.With the effect of incomplete ionization of dopants,the interface states and the reverse current of schottky barrier diodes are considered.The theoretical calculation of this model is in good agreement with the experimental result.

作者王守国张义门张玉明张志勇阎军锋

机构地区西安电子科技大学微电子研究所西北大学电子科学系

出处《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期26-28,共3页 Journal of Northwest University（Natural Science Edition）

基金国防预研基金资助项目(No.8.1.7.3)

关键词 SiC—MESFET器件夹断电压碳化硅界面态反向漏电流非完全离化 SiC pinch off voltage interface states

分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]

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西北大学学报（自然科学版）

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