一种新型双极型LDO线性稳压器的设计 被引量：6

1

作者 孙作治 李玉山 +1 位作者 李先锐 来新泉 《现代电子技术》 2003年第6期71-74,共4页

L DO线性稳压器的低漏失电压、低静态电流特性使电池使用具有高效率和长寿命。针对这 2个主要特性和使能开关、过温过流保护等功能 ,本文设计并实现了一种新型的双极型 L DO线性稳压器 ,调整管采用自由集电极纵向 PNP管。

关键词 ldo线性稳压器 漏失电压 静态电流 自由集电纵向PNP管 双极型

在线阅读 下载PDF 职称材料

双极型LDO线性稳压器的设计 被引量：2

2

作者 卢艳 辛伟德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期871-874,879,共5页

在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并... 在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并实现了一款双极型LDO线性稳压器。采用SA-5V工艺中特有的横向pnp管做调整管,使得调整管集电极寄生电阻RC只有10Ω,工艺流片后测试线性调整率为5 mV,负载调整率为14 mV,最大输出电流为30 mA,最小漏失电压为280 mV,在频率为20 Hz～50 kHz输出噪声为80μVRMS,具有良好的应用前景,可适合大规模批量生产。 展开更多

关键词 ldo线性稳压器 低漏失电压 低静态电流 过温过流保护 带隙基准电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种超低静态电流LDO线性稳压器的设计 被引量：1

3

作者 王媛 汪西虎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期145-151,共7页

为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流... 为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。 展开更多

关键词 超低静态电流 基准放大器 负载检测 自适应偏置电流 低压差(ldo)线性稳压器

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器

4

作者 李飞宇 陈君涛 +1 位作者 周爵 朱安康 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期282-288,共7页

设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了... 设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了LDO的设计和流片,其核心芯片的面积为700μm×750μm。测试结果表明,在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、负载电流为200 mA时,LDO的启动时间约为150μs,在1 kHz处的噪声为-138.15 dBV/√Hz,10 Hz~100 kHz内均方根(RMS)积分噪声约为17.0μV。 展开更多

关键词 低噪声 低压差线性稳压器(ldo) 超低通滤波器 负载电流 启动时间

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种带阻抗补偿的低功耗低压差线性稳压器 被引量：4

5

作者 程红丽 王冠军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期28-32,共5页

为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率范围且不消耗大电流。完成了一款在全... 为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率范围且不消耗大电流。完成了一款在全负载范围内有足够相位裕度的低功耗LDO的设计,并采用HHNEC 0.18μm CMOS工艺实现版图设计,芯片的尺寸为150μm×120μm,输出电压为1.8 V,空载静态电流为5μA,额定电流为20 mA。与普通的LDO相比,本款LDO具有更高的相位裕度和更好的瞬态特性,在全负载范围内相位裕度的最小值大于65°,负载调整率小于2%。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 低功耗 缓冲器 阻抗补偿 相位裕度

在线阅读 下载PDF 职称材料

高精度低噪声的低压差线性稳压器设计 被引量：5

6

作者 王宇星 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期345-351,共7页

为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流... 为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流片。仿真结果显示,LDO线性稳压器输出线性调整率为0.05%/V,负载调整率为5.5%,温度系数为1.8×10^-5/℃;10 GHz带宽以内的电源抑制比在低频下能达到98 dB,静态电流最高仅为32μA。测试结果表明,芯片可以在3.3~40 V电源电压下正常工作,输出电压为3.3或5 V,最大负载电流为150 mA,可应用于USB和便携电子产品等多种设备。 展开更多

关键词 低压差(ldo)线性稳压器 电源抑制比(PSRR) 带隙基准 误差放大器 静态电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计 被引量：2

7

作者 徐静萍 来新泉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1056-1059,共4页

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电... 介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电路采用HYNIX 0.5μmCMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性。 展开更多

关键词 ldo线性稳压器 旁路滤噪 低噪声 动态补偿

在线阅读 下载PDF 职称材料

适用于高速闪存的超快无片外电容LDO

8

作者 冉峰 郭家荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期338-342,共5页

提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率。高能效基准电路在静态模式输出... 提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率。高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率。设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2~3.6 V和存储容量为64 M的闪存中。测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8 V,最大输出电流为40 m A,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 m V,满足高速闪存的要求。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 片外电容 并联反馈 高能效基准 负载瞬态响应

在线阅读 下载PDF 职称材料

采用AB类源跟随器的无片外电容快速瞬态响应LDO 被引量：9

9

作者 姚方舟 张章 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2022年第4期475-480,共6页

文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅... 文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅极电容的充放电电流,具有摆率增强的作用,增强瞬态响应。缓冲级采用AB类超级源跟随器,实现了动态电流提升,且不会降低电源电压要求或增加静态功耗;同时,引入负反馈实现低阻抗转化将次极点推到更高的频率,提高环路的相位裕度。采用CSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明:输入电压为2.1~4.8 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA;负载电流在2~300 mA之间变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为111、188 mV,响应时间分别为3.2、2.1μs。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 摆率增强 快速瞬态响应 AB类超级源跟随器 无片外电容 缓冲级

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于无源RFID标签的拓展PSRR带宽无片外电容LDO 被引量：1

10

作者 杨清山 梅年松 张钊锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期425-431,共7页

经过调制的射频信号整流后会为无源射频识别（RFID）标签引入数万到几十万赫兹的电源纹波。为了抑制这种电源纹波,设计了一款1 MHz带宽内高电源电压抑制比（PSRR）、超低功耗、无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。利用超级源跟随器结... 经过调制的射频信号整流后会为无源射频识别（RFID）标签引入数万到几十万赫兹的电源纹波。为了抑制这种电源纹波,设计了一款1 MHz带宽内高电源电压抑制比（PSRR）、超低功耗、无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。利用超级源跟随器结构改变传统LDO环路的极点分布,将输出极点作为环路主极点,将低频PSRR带宽有效拓展到1 MHz。利用动态偏置技术和双零点补偿结构保证环路稳定性。该LDO采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积约0.017 mm^2。测试结果表明：LDO在1 MHz频率范围内的PSRR小于-46 dB,轻负载下的PSRR可达-57 dB;电路消耗0.33-3.4μA的静态电流;在工作电压为1.1-3 V时输入电压调整率为4.6 mV/V;在负载电流为0-25μA时负载调整率为0.3 mV/μA;该LDO仅采用35 pF片上电容。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 无片外电容 电源电压抑制比(PSRR) 无源射频识别(RFID) 双零点补偿

在线阅读 下载PDF 职称材料

车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO 被引量：2

11

作者 孙力 王志亮 +2 位作者 崔子豪 章一鸣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期776-786,共11页

针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应... 针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5~55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。 展开更多

关键词 高压型低压差线性稳压器(ldo) 高压预调制 负载电流 摆率增强 电源抑制比(PSRR)

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种快速瞬态响应的LDO设计 被引量：2

12

作者 孙力 王志亮 +2 位作者 杨雨辰 谭庶欣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期690-698,共9页

针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工... 针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成了建模。仿真结果显示,负载电流为50 mA时,10、103和104Hz下的PSRR分别为108、96和80 dB;负载调整率为0.002 95 V·A^(-1);典型TT工艺角25℃/5 V条件下,1μs内负载电流从100μA跳变到500 mA,输出端上冲电压为19.16 mV,响应时间为0.4μs,下冲电压为56.41 mV,响应时间为0.2μs。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 瞬态响应 电源抑制比(PSRR) 无片外电容 摆率增强

在线阅读 下载PDF 职称材料

GNSS接收机射频芯片中LDO的设计 被引量：1

13

作者 苟锦航 黄海生 +1 位作者 李鑫 叶小艳 《导航定位学报》 CSCD 2023年第1期95-101,共7页

为了降低全球卫星导航系统(GNSS)接收机中射频前端芯片电源噪声对本振信号频率干扰的影响,提出一种快速瞬态响应、高稳定性全片内低压差线性稳压器(LDO):通过动态偏置缓冲器的阻抗衰减技术以及米勒补偿技术,对LDO进行动态的主极点跟踪;... 为了降低全球卫星导航系统(GNSS)接收机中射频前端芯片电源噪声对本振信号频率干扰的影响,提出一种快速瞬态响应、高稳定性全片内低压差线性稳压器(LDO):通过动态偏置缓冲器的阻抗衰减技术以及米勒补偿技术,对LDO进行动态的主极点跟踪;在整个负载电流范围内,次极点推离单位增益带宽外,保证系统的稳定性;同时动态偏置缓冲器随负载电流变化为功率管栅极充放电,以实现LDO的快速瞬态响应。该电路用于GNSS接收机中频率综合器(FS),基于中国台湾积体电路制造公司的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完成电路设计,电路输出电压为2.5 V,最大负载电流为3×10^(-1)A。仿真结果表明:该LDO在输出电容为0到2×10^(-1)0F的范围内均能稳定,最小相位裕度为60.2°;当负载电流以3×10^(-1)A/5×10^(-7)s跳变时,输出电压下冲6.5×10^(-2)V、上冲8.3×10^(-2)V,平均响应时间5.3×10^(-7)s;线性调整率为5×10^(-5)V,负载调整率为9×10^(-6)V,电源抑制比在1×10^(3)Hz下为-77.8 dB。 展开更多

关键词 全球卫星导航系统(GNSS) 低压差线性稳压器(ldo) 米勒补偿 极点追踪 快速瞬态响应 无片外电容

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种应用于AMOLED的宽电压摆幅高精度伽马校正电路设计 被引量：1

14

作者 庄则敬 尹勇生 +1 位作者 孙晓霞 雷蕾 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期529-537,共9页

针对AMOLED显示驱动芯片对高精度、低功耗的应用需求,设计了一种宽电压摆幅、高精度、具有温度补偿功能的伽马校正电路。电路通过幅值调节和斜率调节,并微调关键点,从而改变DAC输出曲线,更好地拟合灰阶-电压曲线实现高精度。通过使用轨... 针对AMOLED显示驱动芯片对高精度、低功耗的应用需求,设计了一种宽电压摆幅、高精度、具有温度补偿功能的伽马校正电路。电路通过幅值调节和斜率调节,并微调关键点,从而改变DAC输出曲线,更好地拟合灰阶-电压曲线实现高精度。通过使用轨到轨输入级及基于亚阈值跨导恒定设计的输出缓冲器电路保证了宽输入电压范围,采用Cascode Miller补偿结构以降低补偿电容大小,提高稳定性和响应速度。电路使用了温度补偿结构以平衡温度变化对灰阶电压带来的影响。仿真结果表明在UMC 80 nm的工艺下,在输入电压为0.2~6.3 V的范围内,设计的伽马校正电路的响应时间在20μs,电路输出电压的误差在3 mV以内。性能基本不受温度影响,满足了分辨率为1080×2160的AMOLED驱动芯片的设计需求。 展开更多

关键词 AMOLED显示驱动芯片 伽马校正 低压差线性稳压器(ldo) 高精度

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于LCD驱动芯片的高精度可调电压产生电路 被引量：2

15

作者 杨鑫彪 曾蕙明 +1 位作者 任罗伟 徐晟阳 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期928-934,947,共8页

针对液晶显示器(LCD)芯片中各模块不同的负载与供电需求,同时为了兼容更多同类型LCD驱动控制电路,设计并实现了一种高精度可调电压产生电路。该电路以零温漂基准电压电路为核心,由低压差线性稳压器(LDO)、电荷泵等组成。在温度检测电路... 针对液晶显示器(LCD)芯片中各模块不同的负载与供电需求,同时为了兼容更多同类型LCD驱动控制电路,设计并实现了一种高精度可调电压产生电路。该电路以零温漂基准电压电路为核心,由低压差线性稳压器(LDO)、电荷泵等组成。在温度检测电路与8 bit模数转换器的协同作用下,配合数字模块的设置值得到放大系数,并用于LDO模块得到最终的驱动电压。通过仿真得到,当电源电压(V_(DD))大于1.72 V时,带隙基准电压(V_(ref))可稳定在1.23 V;温度为-20~80℃时,V_(ref)的斜率为±15μV/℃;电荷泵在3.3 V的输入电压下输出电压为19.794 V,满足6倍的升压范围且效率满足既定目标。采用0.18μm CMOS工艺流片并对其进行测试,与仿真结果相比,实测结果存在部分因工艺模型导致的误差,但差值均在±10%的误差许可范围内,表明了此电路的可行性和实用性。 展开更多

关键词 液晶显示器(LCD) 零温漂基准电压 电荷泵 低压差线性稳压器(ldo) 温度检测

在线阅读 下载PDF 职称材料