InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展 被引量：7

1

作者 胡伟达 李庆 +3 位作者 温洁 王文娟 陈效双 陆卫 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第3期201-208,共8页

近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响... 近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响,对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述,同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望。 展开更多

关键词 ingaas/inp红外雪崩光电探测器 暗电流机制 单光子探测 表面等离共振效应

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基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速单光子探测器雪崩特性研究（英文） 被引量：10

2

作者 李永富 刘俊良 +1 位作者 王青圃 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期427-431,共5页

报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子... 报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子探测器的探测效率及暗计数率均呈指数衰减,而后脉冲概率先增大到一个峰值,然后减小.研究表明,为获得更高的性能,需要尽量降低单光子探测器的鉴别电平. 展开更多

关键词 ingaas/inp雪崩光电二极管 单光子探测器 短波红外

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10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器 被引量：5

3

作者 李庆伟 李伟 +2 位作者 齐利芳 尹顺政 张世祖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期280-284,共5页

利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pi... 利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pin高速光电探测器材料结构。通过优化腐蚀工艺与钝化工艺,解决了器件腐蚀形貌和钝化问题。结合其他微细加工工艺完成了器件的制备,器件光敏区直径50μm。测试结果显示,在反向偏压为5 V时,暗电流小于1 nA,电容约为0.21 p F。此外,在1 310 nm激光辐照下,器件的响应度约为0.95 A/W,-3 dB带宽超过10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求。 展开更多

关键词 光电探测器 ingaas/inp 响应度 响应速度 台面腐蚀

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宽波段响应硅雪崩光电探测器研究

4

作者 彭红玲 卫家奇 +6 位作者 宋春旭 王天财 曹澎 陈剑 邓杰 ZHUANG Qian-Dong 郑婉华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期464-471,共8页

本文基于目前对宽波段探测器的应用需求,设计了一种在250~1100 nm范围有较高响应的硅雪崩光电探测器(Si APD),不需要拼接即可实现紫外-可见-近红外波段光的高效探测。分别对硅的紫外增强和(近)红外增强进行了分析,在此基础上,为获得宽... 本文基于目前对宽波段探测器的应用需求,设计了一种在250~1100 nm范围有较高响应的硅雪崩光电探测器(Si APD),不需要拼接即可实现紫外-可见-近红外波段光的高效探测。分别对硅的紫外增强和(近)红外增强进行了分析,在此基础上,为获得宽波段响应Si APD,对器件结构进行模拟设计,采用光背入射等方式,提高短波吸收,同时保证近红外吸收。模拟优化的Si APD器件峰值波长940 nm左右,在250 nm和1100 nm处响应光电流均超过峰值的15%,这种结构的器件适用于多光谱及未来高精度探测等应用领域。 展开更多

关键词 硅雪崩光电探测器 宽波段响应探测器 紫外增强 近红外增强

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宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器

5

作者 归强 裴为华 陈弘达 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期62-64,共3页

报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性... 报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性的探测器。封装后光电探测器在0.6～1.0μm波段的响应度大于0.2A/W,其中,在1.0μm～1.65μm波段的响应度超过0.8A/W,5V偏压下的暗电流小于2nA。经过老化试验,探测器的寿命可以超过105h,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。 展开更多

关键词 ingaas/inp 宽光谱响应 高响应度 光电探测器 探测器阵列

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InGaAs/InP台面型pin高速光电探测器 被引量：1

6

作者 韩孟序 齐利芳 尹顺政 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期196-200,共5页

介绍了一种应用于5G通信系统的高速光电探测器,设计了InP基台面型pin高速光电探测器材料结构,通过理论计算及软件模拟得到响应度和带宽随耗尽层厚度的变化规律,并对材料结构进行优化。制备了光敏面直径为20μm及耗尽层厚度分别为1.0、1.... 介绍了一种应用于5G通信系统的高速光电探测器,设计了InP基台面型pin高速光电探测器材料结构,通过理论计算及软件模拟得到响应度和带宽随耗尽层厚度的变化规律,并对材料结构进行优化。制备了光敏面直径为20μm及耗尽层厚度分别为1.0、1.3和1.5μm的器件。对比响应度和带宽的理论值与实测值,结果表明实测值与理论值相符,当耗尽层厚度为1.3时响应度可达到0.89A/W,带宽可达23GHz以上,可满足25Gibit/s的传输速率要求。建立了探测器小信号模型对器件的带宽特性进行仿真,仿真结果与理论值一致,进一步验证理论分析的正确性。 展开更多

关键词 光电探测器 ingaas/inp 光通信 响应度 带宽 小信号模型

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p-i-n InP/InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究 被引量：3

7

作者 夏少杰 陈俊 《红外》 CAS 2021年第1期1-5,32,共6页

为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电探测器的结构,并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响。结果表明,随着吸收层掺... 为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电探测器的结构,并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响。结果表明,随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大,器件的暗电流逐渐减小,结电容逐渐增大。当台阶宽度变窄时,器件的暗电流随之减小,结电容也随之变小。最后研究了光强和频率对器件结电容的影响。在低光强下,器件的结电容基本不变;当光强增大到1 W/cm2时,器件的结电容迅速增大。器件的结电容随频率的升高而减小,其峰值由缺陷能级引起。 展开更多

关键词 近红外光电探测器 inp/ingaas 暗电流 结电容

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InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器发展研究 被引量：1

8

作者 张伟 徐强 +5 位作者 谢修敏 邓杰 覃文治 胡卫英 陈剑 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期105-108,共4页

基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线... 基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线材料的界面与缺陷控制、纳米线雪崩焦平面器件制备工艺等关键技术。对发展高光子探测效率、低噪声、高增益InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器的前景进行了展望。 展开更多

关键词 传感器技术 雪崩焦平面探测器 ingaas纳米线阵列 光电二极管 探测器

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微型化自由运行InGaAs/InP单光子探测器(特邀) 被引量：3

9

作者 蒋连军 方余强 +14 位作者 余超 徐起 王雪峰 马睿 杜先常 刘酩 韦塔 黄传成 赵于康 梁君生 尚祥 申屠国樑 于林 唐世彪 张军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第3期72-79,共8页

单光子探测器具有最高的光探测灵敏度,在激光雷达系统中使用单光子探测器可以极大提升系统的综合性能。近红外二区(1.0~1.7μm)激光具有大气透过率高、散射弱、太阳背景辐射弱等优势,是大气遥感、三维成像等激光雷达系统的理想工作波段... 单光子探测器具有最高的光探测灵敏度,在激光雷达系统中使用单光子探测器可以极大提升系统的综合性能。近红外二区(1.0~1.7μm)激光具有大气透过率高、散射弱、太阳背景辐射弱等优势,是大气遥感、三维成像等激光雷达系统的理想工作波段。研制了一种基于InGaAs/InP负反馈雪崩光电二极管的微型化自由运行单光子探测器。该探测器长宽高为116 mm×107.5 mm×80 mm,在1.5μm最大探测效率超过35%,时间抖动(半高宽)低至80 ps。为满足激光雷达系统对光子飞行时间测量的需求,探测器内部集成时间数字转换(TDC)功能,时间精度100 ps。同时,探测器集成一套后脉冲修正及计数率修正算法,可以有效降低探测器所引起的雷达信号畸变。 展开更多

关键词 负反馈ingaas/inp雪崩光电二极管 近红外波段 微型化自由运行单光子探测器 时间数字转换 后脉冲修正

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InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究 被引量：1

10

作者 向梦 邵文斌 史衍丽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期873-879,共7页

高性能InP/InGaAs宽光谱探测器将前截止波长延伸到0.9mm之前,实现可见/短波双波段探测,大大丰富了探测目标的信息量,提高对目标的识别率。本文采用InP/InGaAs宽光谱探测器相机,通过设置一系列伪装实验,对比不同伪装目标的可见光波图像... 高性能InP/InGaAs宽光谱探测器将前截止波长延伸到0.9mm之前,实现可见/短波双波段探测,大大丰富了探测目标的信息量,提高对目标的识别率。本文采用InP/InGaAs宽光谱探测器相机,通过设置一系列伪装实验,对比不同伪装目标的可见光波图像与短波红外图像的差异,重点探究短波红外对伪装目标的识别特性。通过实验结果发现:短波红外对一定厚度塑料、硅胶、皮肤具有穿透性;颜料、染料等同色不同材质的物体对短波红外具有选择性吸收,基于以上特性,短波红外体现了较好的伪装识别效果。在成像对比实验的基础上,进一步选择伪装效果对可见光和短波红外具有明显差异的实验样品,分别测量了它们对短波红外和可见光的反射率等参数,以深入地分析和理解短波红外识别伪装的机理。 展开更多

关键词 短波红外 可见光 inp/ingaas探测器 伪装

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基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计 被引量：3

11

作者 杨赟秀 袁菲 +5 位作者 路小龙 景立 邓世杰 呙长冬 宋海智 张伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期329-334,共6页

盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其... 盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其进行检测与提取,同时经淬灭支路将雪崩快速淬灭,一定延时后恢复支路使APD重新进入盖革状态;采用施密特触发器以增强淬灭支路的抗干扰能力,防止盖革恢复过程中导致淬灭控制信号的振荡;利用RC延迟电路实现探测器死时间可调。基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺对设计的主动淬灭电路进行了流片,电路芯片与GM-APD互连测试结果表明,该电路可实现对GM-APD的快速淬灭与恢复,淬灭时间约为887 ps,恢复时间约为325 ps,最小死时间约为29.8 ns,满足多回波探测应用要求。 展开更多

关键词 ingaas 盖革模式(GM) 雪崩光电二极管(APD) 光探测器 主动淬灭 单光子

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高速InP/InGaAs雪崩光电二极管 被引量：2

12

作者 曾庆明 李献杰 +1 位作者 蒲云章 乔树允 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期76-79,共4页

采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p 型欧姆接触、AuGeNi n 型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面 InP/InGaAs 雪崩光电二极管,器件利用 InGaAs做吸收层,InP 做增益层,光敏面直径50μm;测试... 采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p 型欧姆接触、AuGeNi n 型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面 InP/InGaAs 雪崩光电二极管,器件利用 InGaAs做吸收层,InP 做增益层,光敏面直径50μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V 左右可以得到大约10 A/W 的光响应度,在0到小于击穿电压1 V 的偏压范围内,暗电流只有1 nA 左右;器件在2.7 GHz 以下有平坦的增益。 展开更多

关键词 雪崩光电二极管 inp/ingaas 光电探测器

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10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管 被引量：1

13

作者 尹顺政 郝文嘉 +4 位作者 张宇 于浩 李庆伟 赵润 车相辉 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期516-520,共5页

基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益... 基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响。结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试。测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合。器件击穿电压为30V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10nA,-3dB带宽大于10GHz,其性能满足10Gbit/s光纤通信应用要求。 展开更多

关键词 ingaas/inp 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD) 雪崩 频率响应 光通信

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InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究 被引量：4

14

作者 李彬 陈伟 +5 位作者 黄晓峰 迟殿鑫 姚科明 王玺 柴松刚 高新江 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期420-424,共5页

通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺... 通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能. 展开更多

关键词 ingaas/inp 单光子雪崩光电二极管 顶层 掺杂浓度

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长波长InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管最佳工作特性

15

作者 李平 《光通信研究》 1990年第2期47-52,共6页

本文结合研制的InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管,讨论了SAGM-APD的技术界线和最佳工作特性。

关键词 雪崩 光电二极管 ingaas/inp SAGM

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即时全球打击(PGS)武器早期预警对光电探测器的需求分析 被引量：3

16

作者 王忆锋 余连杰 马钰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期288-292,共5页

介绍了在近地空间环境的理想条件下,即时全球打击(prompt global strike,PGS)武器地球曲率限的最大可探测距离的计算方法。根据黑体辐射理论,估算了PGS在短波红外和日盲紫外波段的辐射量值。当PGS飞行速度高于5马赫数时,其辐射峰值波长... 介绍了在近地空间环境的理想条件下,即时全球打击(prompt global strike,PGS)武器地球曲率限的最大可探测距离的计算方法。根据黑体辐射理论,估算了PGS在短波红外和日盲紫外波段的辐射量值。当PGS飞行速度高于5马赫数时,其辐射峰值波长位于短波红外波段,最适合使用短波红外探测器。虽然与短波红外能量相比,PGS的紫外辐射能量要小得非常多,但其紫外辐射光子个数仍然是一个巨量的值。具有单光子计数能力的短波红外和日盲紫外雪崩光电二极管或有实现PGS早期预警及最大可探测距离的潜力。 展开更多

关键词 即时全球打击武器 高超音速飞行器 早期预警 短波红外探测器 日盲紫外探测器 单光子雪崩光电二极管

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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性

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作者 郭子路 王文娟 +7 位作者 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期63-69,共7页

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用... InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。 展开更多

关键词 分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 ingaas/inp雪崩光电二极管

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锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的研究进展 被引量：5

18

作者 谢修敏 徐强 +5 位作者 陈剑 周宏 代千 张伟 胡卫英 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期688-694,共7页

基于锑化物Ⅱ类超晶格结构的中远红外探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的应用情况,介绍了其在中远红外雪崩光电探测器领域的研究现状。锑化... 基于锑化物Ⅱ类超晶格结构的中远红外探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的应用情况,介绍了其在中远红外雪崩光电探测器领域的研究现状。锑化物Ⅱ类超晶格探测器的部分性能指标已接近、甚至超过了碲镉汞探测器,并在部分红外装备上得到了应用。而基于锑化物Ⅱ类超晶格的雪崩光电探测器件在中远红外弱光探测领域尚处于起步阶段,与碲镉汞探测器相比还有很大差距,但同时也呈现出了巨大的发展潜力。 展开更多

关键词 探测器 锑化物 Ⅱ类超晶格 中远红外 雪崩光电探测器

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短波红外单光子探测器的发展(特邀) 被引量：3

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作者 史衍丽 李云雪 +9 位作者 白容 刘辰 叶海峰 黄润宇 侯泽鹏 马旭 赵伟林 张家鑫 王伟 付全 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第3期27-42,共16页

InP/InGaAs短波红外单光子探测器(SPAD)是目前制备技术较为成熟且获得广泛应用的单光子探测器,通过半导体热电制冷(TEC)即可达到的工作温度(-40℃左右),具有体积小、成本低,方便安装和携带的应用优势;另外,基于常规半导体二极管的芯片... InP/InGaAs短波红外单光子探测器(SPAD)是目前制备技术较为成熟且获得广泛应用的单光子探测器,通过半导体热电制冷(TEC)即可达到的工作温度(-40℃左右),具有体积小、成本低,方便安装和携带的应用优势;另外,基于常规半导体二极管的芯片制造工艺很容易实现大面阵单光子阵列,除了探测信号,还具备三维数字成像功能。国外包括美国、瑞士、意大利、韩国、日本等对InP/InGaAs SPAD进行了长期持续的研究,目前已研制出单管的货架产品,性能还在不断的优化和改进之中,其单光子探测器阵列呈现了清晰的三维成像效果,正在逐步应用。国内包括重庆光电技术研究所、中国科学院上海技术物理所、西南技术物理研究所、中国科学技术大学、云南大学等对InP/InGaAs SPAD芯片先后进行了器件设计和器件制备研究,目前单管的性能已经达到与国外报道相当的性能。国内单光子探测器阵列的研究获得了一定的进展,但芯片规模和器件性能有待提升。文中对国内外InP/InGaAs短波红外单光子探测器的发展,在设计和研制中存在的问题,以及近10年来的优化改进进行了介绍,重点介绍了高温、高速以及单光子焦平面阵列的发展,并结合新颖的离化工程和新的材料体系发展,分析了未来的短波红外单光子探测器的发展趋势。 展开更多

关键词 短波红外 单光子探测器 inp/ingaas 高温 高速 单光子焦平面

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光电探测器材料与器件

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作者 高国龙 《红外》 CAS 2003年第4期43-43,47,共2页

一、用于高速应用的光电探测器 1.用于光信息处理的光电子元部件(特邀论文)(M.R.Taghizaden,英国Heriot-Watt大学) 2.高速视频存储器中的光纤时钟分钟分布(P.B.Kosel等,美国辛辛那提大学) 3.用于10Gbit/s数据通信的GaAs PIN光电探测器(L... 一、用于高速应用的光电探测器 1.用于光信息处理的光电子元部件(特邀论文)(M.R.Taghizaden,英国Heriot-Watt大学) 2.高速视频存储器中的光纤时钟分钟分布(P.B.Kosel等,美国辛辛那提大学) 3.用于10Gbit/s数据通信的GaAs PIN光电探测器(L.Dillner等,瑞典Zarlink半导体AB公司) 4.用一种扩散结制备的新颖锗光电探测器(C.B.Morrison等,美国Spectrolab公司) 展开更多

关键词 光电探测器 光电材料 雪崩光电二极管 红外探测器 焦平面列阵 量子阱 超晶格探测器

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