基于XRD和PL光谱分析的InGaAs/GaAs量子阱生长温度依赖性研究

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作者 李博 马淑芳 +9 位作者 阳智 程睿思 刘思敏 王嘉惠 郝晓东 尚林 仇伯仓 董海亮 韩丹 许并社 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第6期1584-1591,共8页

InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可... InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可以高精度的控制材料的组分和厚度,从而优化光学性能。尽管InGaAs/GaAs MQWs在许多方面取得了进展,但在In组分较高的InGaAs量子阱中,由于晶格失配会导致位错产生,进而引发界面缺陷,影响材料的晶体质量和光学性能,所以通过MBE生长调控来提高晶体质量对改善光学性质极具意义。在MBE生长过程中,利用生长温度来优化生长动力学,进而调控原子在界面的迁移,尤其是In、Ga原子的迁移,对于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和晶体质量有着至关重要的作用。为了探究生长温度对MQWs晶体质量、界面质量和发光性能的影响,我们采用MBE方法分别在505和490℃下生长了两组InGaAs/GaAs MQWs样品,并使用高分辨率X射线衍射(HRXRD)、光致发光(PL)进行了晶体质量和光学性能表征分析。HRXRD结果表明,由于高温下生长有利于提高Ⅲ族原子动力学和原子扩散长度,使得生长工艺中In和Ga原子的迁移增加,这有利于原子在外延层表面找到能量较低的位置形核;因此,在505℃生长的MQWs样品的缺陷密度为1.02×10^(5) cm^(-2),较小,缺陷少应力小,具有较好的晶体质量和界面质量。此外,光致发光性能测试分析结果表明,在505℃生长的MQWs样品发光强度高,发光均匀性良好,并进一步证明其晶体质量优于490℃生长的样品。说明了合适的生长温度有利于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和光学性能。该工艺参数对MBE制备MQWs材料具有重要的参考意义。 展开更多

关键词 ingaas/GaAs多量子阱 MBE生长 高分辨率X射线衍射谱 光致发光谱

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低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

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作者 万文坚 尹嵘 +3 位作者 韩英军 王丰 郭旭光 曹俊诚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1523-1526,共4页

采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电... 采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632×106Ω/Sq,载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明:InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。 展开更多

关键词 低温ingaas ingaas inalas 多量子阱 分子束外延

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InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

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作者 金峰 孙可 +5 位作者 俞谦 王健华 李德杰 蔡丽红 黄绮 周钧铭 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第6期24-26,共3页

在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原... 在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于SiO2刻蚀液的钻蚀导致SiO2绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作带宽。 展开更多

关键词 光调制器 电吸收 多量子阱 ingaas/inalas

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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究 被引量：1

4

作者 张权生 刘峰奇 +3 位作者 张永照 王占国 Honghai Gao A.Krier 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-43,共3页

简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .

关键词 量子级联 激光器 制备 V-I特性 光功率/电流特性 发光特性 ingaas inalas 半导体激光器

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高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵 被引量：6

5

作者 刘迪 宁永强 +2 位作者 张金龙 张星 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2147-2153,共7页

为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P... 为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶。对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析。分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能。实验结果表明,当注入电流为110A时,发光面积为0.005cm2的In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.084×4VCSEL列阵获得了123 W的脉冲峰值功率,比具有相同发光面积的In0.2Ga0.8As/GaAs列阵器件的脉冲峰值功率大13%,前者相应的功率密度和斜率效率分别为45.42kW/cm2和1.11W/A。连续和脉冲工作下的p值分别为15和13,表明器件在两种工作条件下都具有相对较好的输出性能。得到的结果证明,包含3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱的4×4VCSEL列阵器件能够获得较高的功率输出。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器列阵 峰值功率 功率密度 ingaas/GaAsP应变量子阱

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InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响 被引量：3

6

作者 于永芹 黄柏标 +7 位作者 尉吉勇 潘教青 周海龙 齐云 陈文澜 秦晓燕 张晓阳 任忠祥 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期345-349,共5页

本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效... 本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。 展开更多

关键词 ingaas/AlGaAs量子阱 量子尺寸效应 MOCVD 应变效应 金属有机物化学气相淀积 铟钙砷化合物 铝钙砷

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LP—MOCVD研制InGaAs／InP应变量子阱LD 被引量：1

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作者 刘宝林 杨树人 +4 位作者 陈伯军 王本忠 安海岩 秦福文 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第5期434-438,共5页

本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ... 本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ型和ｎ型杂质溶度和ｐ－ｎ结控制的条件，并研制出有源区阱层ＩｎＧａＡｓ与ＩｎＰ存在０．５％压缩应变量子阱激光器，这一结构ＬＤ实现室温脉冲激射，得到峰值功率为１０６ｍＷ以上，阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２。 展开更多

关键词 MOCVD 量子阱 激光器 ingaas

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InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究 被引量：1

8

作者 刘超 李国辉 +3 位作者 韩德俊 姬成周 陈涌海 叶小玲 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期170-173,共4页

为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 9... 为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移 989nm .蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大 ,并且能量比注量对蓝移的影响更大 . 展开更多

关键词 半导体激光器 量子阱混合 波长蓝移 ingaas/ingaasP 光致发光谱

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InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响 被引量：3

9

作者 赵杰 王永晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期540-548,共9页

用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和... 用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和样品存在的应力有关。具有压应力的样品产生的蓝移量比具有张应力的大。IFVD方法造成的带隙蓝移量与介质膜的种类、后继退火温度、退火时间有关。同时还发现,蓝移量与半导体盖层成分和介质层成分的组合有关,InGaAs与SiO2组合产生的蓝移比InGaAs与Si3N4组合产生的蓝移大;与此相反,InP与Si3N4组合产生的蓝移比InP与SiO2组合的大。介质层的掺杂也影响蓝移量,掺P的SiOxPyNz可以产生高达224meV的蓝移,目前尚未见其他报道。二次离子质谱(SIMS)研究说明,量子阱层元素的互扩散可能是造成带隙蓝移的主要原因。 展开更多

关键词 ingaas(P)/InP 量子阱 混合处理 光电特性 超晶格 离子注入 无杂质空位扩散 半导体光电器件 砷镓铟三元化合物 磷化铟

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InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究 被引量：1

10

作者 孔令民 蔡加法 +3 位作者 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期549-553,共5页

分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,... 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子 声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。 展开更多

关键词 ingaas/GaAs应变量子阱 光谱研究 时间分辨谱 光致发光谱 光伏谱 半导体材料 砷化镓 砷镓铟化合物 形态势模型

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InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

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作者 何国敏 郑永梅 +1 位作者 王仁智 刘宝林 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期169-174,共6页

采用有效质量理论 6带模型 ,研究量子结构变化对 In0 .53 Ga0 .4 7As/In P量子阱和量子线光学性质的影响 .计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下 ,得到更高的光学增益 ,而且具有光学各向异性 .说明量子线结构比量子阱结构... 采用有效质量理论 6带模型 ,研究量子结构变化对 In0 .53 Ga0 .4 7As/In P量子阱和量子线光学性质的影响 .计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下 ,得到更高的光学增益 ,而且具有光学各向异性 .说明量子线结构比量子阱结构提高了量子激光器光学性能 . 展开更多

关键词 量子阱 量子线 ingaas INP 半导体 光学性质

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980nm　InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器

12

作者 徐遵图 徐俊英 +5 位作者 杨国文 张敬明 肖建伟 何晓曦 郑婉华 陈良惠 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第11期4-6,共3页

报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大于１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％（镀高反膜和增透膜），５０℃、... 报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大于１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％（镀高反膜和增透膜），５０℃、８０ｍＷ恒定功率条件下老化实验结果表明：该条件下激光器寿命超过１０００小时。 展开更多

关键词 应变层 量子阱 激光器 ingaas ALGAAS 砷化镓

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应用LP-MOCVD方法研制InGaAs/InP应变量子阱LD

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作者 刘宝林 黄钟英 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期857-860,共4页

利用低压－金属有机化合物蒸汽沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）的方法研究在生长过程中温度和时间对ＰＮ结结位的影响，并用它来控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位．探讨在ＩｎＰ材料中使用ＤＥＺｎ和Ｈ２Ｓ做掺杂源时，Ｐ... 利用低压－金属有机化合物蒸汽沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）的方法研究在生长过程中温度和时间对ＰＮ结结位的影响，并用它来控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位．探讨在ＩｎＰ材料中使用ＤＥＺｎ和Ｈ２Ｓ做掺杂源时，Ｐ型和Ｎ型的杂质浓度和ＰＮ结控制的条件，得出在０．５％压缩条件下有源区阱层ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＰ的应变量子阱激光器（ＬＤ）．当激光器实现室温脉冲激射时，可获得峰值功率＞１０６ｍＷ、阈值电流密度为２． 展开更多

关键词 LP-MOCVD 应变 量子阱 激光器 ingaas 磷化铟

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应变单量子阱InGaAs／GaAs的光谱研究

14

作者 沈文忠 唐文国 沈学础 《量子电子学》 CSCD 1994年第2期48-49,共2页

应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子阱结构产生了浓厚的... 应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子阱结构产生了浓厚的兴趣是基于高速器件设计的需要。随着... 展开更多

关键词 应变单量子阱 ingaas/GAAS 光谱研究

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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性 被引量：3

15

作者 李金友 王海龙 +4 位作者 杨锦 曹春芳 赵旭熠 于文富 龚谦 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期971-976,共6页

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ... 研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。 展开更多

关键词 量子阱激光器 ingaas/GaAs/InGaP 低温 温度电压特性

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InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱 被引量：1

16

作者 余辛 吴正云 黄启圣 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期182-186,共5页

采用表面光伏谱方法，测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认，分析了量子阱内子能级间的跃迁能量。

关键词 光伏谱 应变量子阱 砷化镓 ingaas

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InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器

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作者 刘颖 杜国同 +9 位作者 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世呜 高洪海 高俊华 王洪杰 康学军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期218-220,共3页

报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。

关键词 ingaas 量子阱 面发射 激光器

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无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究

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作者 张晓丹 赵杰 王永晨 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期33-35,45,共4页

用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ... 用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ,最佳退火条件是 80 0℃ ,1 0 s.同时二次离子质谱 ( SIMS)的分析表明 ,电介质盖层 Si3 N4 和快速热退火 ( RTA)导致量子阱中阱和垒之间元素互扩 。 展开更多

关键词 无杂质空位诱导无序 量子阱 光荧光谱 二次离子质谱 ingaas/INP 光电集成电路 生长工艺

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GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出

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作者 肖云钞 郭方敏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第5期281-283,共3页

通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路。在633 nm辐照下,分别... 通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路。在633 nm辐照下,分别改变照度和积分时间进行了非倒空和倒空测试的对比研究,并计算给出了对应的存储电荷变化量,进一步证明了光电器件的光子存储特性。 展开更多

关键词 GAAS/ingaas 量子点-量子阱光电二极管 光子存储 CTIA读出电路 倒空信号

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InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长 被引量：4

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作者 王旭 王海珠 +4 位作者 张彬 王曲惠 范杰 邹永刚 马晓辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期448-454,共7页

利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究。针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组... 利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究。针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组分分别为0,0.128,0.184,0.257的三周期In_(x)Ga_(1-x)As/GaAs_(1-y)P_(y)多量子阱结构;通过PL、XRD、AFM测试对比发现,高势垒GaAsP材料的张应变补偿可以改善晶体质量。综合比较,在P组分为0.184时,PL波长1043.6 nm,半峰宽29.9 nm,XRD有多级卫星峰且半峰宽较小,AFM粗糙度为0.130 nm,表面形貌显示为台阶流生长模式。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积 ingaas/GaAsP 应变补偿 多量子阱 晶格失配

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