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最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文) 被引量：1: 1; 作者张立森邢东 +5 位作者徐鹏梁士雄王俊龙王元刚杨大宝冯志红《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第7期161-165,共5页; 由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制... 展开更多; 关键词 inas沟道高电子迁移率晶体管 T型栅最大振荡频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

伽马辐照对量子点嵌入式HEMT力敏结构的影响被引量：1: 2; 作者王瑞荣郭浩 +2 位作者唐军刘金萍刘丽双《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第10期21-23,共3页; 辐射对空间通信系统中使用的传感器件的不利影响是需要重点考虑的问题,作为力学传感器件的核心部件,对力敏传感单元的抗辐照特性的研究就尤为重要。设计了一种InAs量子点(QD)嵌入式高电子迁移率晶体管(HEMT)力敏结构,通过^(60)Co-γ射线... 展开更多; 关键词伽马辐照 inas量子点—高迁移率晶体管力敏特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新的HEMT小信号模型参数提取方法被引量：6: 3; 作者胡建萍程海燕陈显萼《微波学报》 CSCD 北大核心 2003年第3期39-42,共4页; 介绍了一种高电子迁移率晶体管 (HEMT)的小信号参数提取方法———综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数 ,其次介绍了多偏置点优化算法。最后 ,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试 ... 展开更多; 关键词 HEMT 高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取多偏置点优化算法; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT器件结构退化影响因素的研究现状被引量：1: 4; 作者付兴中赵金霞 +1 位作者崔玉兴付兴昌《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期161-168,197,共9页; AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于高压、大功率等应力条件导致的电学退化过程中往往伴随着结构退化现象产生,结构退化研究对提高器件可靠性起着重要的作用。介绍了近年来国外在高压、大功率、高温、加压时间及辐射等不同因素... 展开更多; 关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 可靠性结构退化电学退化凹点裂纹; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文) 被引量：1: 1; 作者张立森邢东徐鹏梁士雄王俊龙王元刚杨大宝冯志红; 机构河北半导体所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第7期161-165,共5页; 文摘由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制出70 nm栅长的InP基赝配高电子迁移率晶体管,器件采用双指,总栅宽为30μm,源漏间距为2μm。为降低器件的寄生电容,设计T型栅的栅根高度达到210 nm。器件的最大漏端电流为1 440 mA/mm(V_(GS)=0.4 V),最大峰值跨导为2 230 mS/mm。截止频率fT和最大振荡频率f_(max)分别为280 GHz和640 GHz。这些性能显示该器件适于毫米波和太赫兹波应用。; 关键词 inas沟道高电子迁移率晶体管 T型栅最大振荡频率; Keywords inas-channel high electron mobility transistor T shaped gate maximum oscillation frequency; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名伽马辐照对量子点嵌入式HEMT力敏结构的影响被引量：1: 2; 作者王瑞荣郭浩唐军刘金萍刘丽双; 机构中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原工业学院电子工程系; 出处《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第10期21-23,共3页; 基金国家自然科学基金面上资助项目(51775522) 山西省量子传感与精密测量重点实验室项目(201905D121001) 山西省高等学校科技创新项目(2020L0638)。; 文摘辐射对空间通信系统中使用的传感器件的不利影响是需要重点考虑的问题,作为力学传感器件的核心部件,对力敏传感单元的抗辐照特性的研究就尤为重要。设计了一种InAs量子点(QD)嵌入式高电子迁移率晶体管(HEMT)力敏结构,通过^(60)Co-γ射线对InAs QD-HEMT结构进行了不同剂量的辐照,并对辐照前后结构的电学特性、力敏特性进行了测试分析。实验结果表明:随着辐照剂量的增加,InAs QD-HEMT结构的电学特性发生退化,灵敏度不断降低。经过150 Mrad剂量辐照后InAs QD-HEMT结构的漏极电流降低了约21%,灵敏度降低了63.4%。结果表明:高剂量辐照后InAs QD-HEMT结构仍具有工作性能,为MEMS传感器应用于强辐照环境提供研究基础。; 关键词伽马辐照 inas量子点—高迁移率晶体管力敏特性; Keywords Gamma irradiation inas QD-HEMT force-sensitive characteristic; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新的HEMT小信号模型参数提取方法被引量：6: 3; 作者胡建萍程海燕陈显萼; 机构杭州电子工业学院电子信息分院; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2003年第3期39-42,共4页; 基金 "九五"电科院军事预研基金项目 (HD9670 6); 文摘介绍了一种高电子迁移率晶体管 (HEMT)的小信号参数提取方法———综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数 ,其次介绍了多偏置点优化算法。最后 ,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试 ,实验采用一系列随机起始值 ,结果表明 ,提取的参数值与经验值相差小于 1%。; 关键词 HEMT 高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取多偏置点优化算法; Keywords High electron mobility transistor(HEMT), Parameter extraction, Small signal model; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT器件结构退化影响因素的研究现状被引量：1: 4; 作者付兴中赵金霞崔玉兴付兴昌; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期161-168,197,共9页; 文摘 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于高压、大功率等应力条件导致的电学退化过程中往往伴随着结构退化现象产生,结构退化研究对提高器件可靠性起着重要的作用。介绍了近年来国外在高压、大功率、高温、加压时间及辐射等不同因素对GaNHEMT器件结构退化的影响方面的研究进展。发现GaNHEMT器件的栅边缘下方出现的凹点和裂纹等结构缺陷是高压、大功率、高频等许多应力条件下都会出现的普遍现象,且凹点和裂纹的退化程度随电学退化程度的加深而加大,并导致器件的可靠性下降。GaNHEMT器件结构退化现象的本质以及改进措施将是未来研究的重点。; 关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 可靠性结构退化电学退化凹点裂纹; Keywords GaN high electron mobility transistor（HEMT） reliability structural degradation electrical degradation pit crack; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文)	张立森邢东徐鹏梁士雄王俊龙王元刚杨大宝冯志红	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	伽马辐照对量子点嵌入式HEMT力敏结构的影响	王瑞荣郭浩唐军刘金萍刘丽双	《传感器与微系统》 CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种新的HEMT小信号模型参数提取方法	胡建萍程海燕陈显萼	《微波学报》 CSCD 北大核心	2003	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	AlGaN/GaN HEMT器件结构退化影响因素的研究现状	付兴中赵金霞崔玉兴付兴昌	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料