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FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究 被引量:3
1
作者 罗宏伟 杨银堂 +2 位作者 朱樟明 解斌 王金延 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期174-176,181,共4页
分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因... 分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用. 展开更多
关键词 FLOTOX结构 eeprom 可靠性 隧穿氧化层 退化 快闪存储器
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深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能 被引量:2
2
作者 周昕杰 李蕾蕾 +1 位作者 徐睿 于宗光 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期518-521,共4页
当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 ... 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础. 展开更多
关键词 总剂量效应 eeprom 抗辐照加固
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扩展的海明码及其在FLASH/EEPROM中的应用 被引量:4
3
作者 张娟 张雪兰 《兵工自动化》 2003年第3期52-54,共3页
FLASH/EEPROM是一种广泛用于汽车、家用电器的存储器,但存储的数据会因震荡、噪声、遇磁等发生错误。为了提供错误监测/校验功能,须对其存储的数据进行编码。海明码是一种错误校验码。扩展海明码是在海明码的基础上,新增一个监控位15,... FLASH/EEPROM是一种广泛用于汽车、家用电器的存储器,但存储的数据会因震荡、噪声、遇磁等发生错误。为了提供错误监测/校验功能,须对其存储的数据进行编码。海明码是一种错误校验码。扩展海明码是在海明码的基础上,新增一个监控位15,成为具有5个监控位的扩展海明码。它能对32位的数据进行编码,并对编码过的数据进行监测和校验,可以检查出2位错,并对仅有1位错的情况进行纠正。该算法可以对FLASH/EEPROM中存放的数据进行编码/校验/纠错,取得要求的效果。 展开更多
关键词 存储器海明码 FLASH/eeprom 存储器 错误校验码 编码原理 解码 错误校正
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MC68HC908JL8 MCU中虚拟EEPROM特性的应用及剖析 被引量:3
4
作者 徐丽华 王宜怀 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2004年第28期106-108,共3页
剖析了MC68HC908JL8单片机的内监控ROM的一个重要特性:虚拟EEPROM。它使用Flash存储区模拟EEPROM按字节读写功能,从而提高了Flash的使用效率并延长其使用寿命。文章阐述了MC68HC908JL8监控ROM中EE_WRITE例程的使用方法,随后简要介绍监控... 剖析了MC68HC908JL8单片机的内监控ROM的一个重要特性:虚拟EEPROM。它使用Flash存储区模拟EEPROM按字节读写功能,从而提高了Flash的使用效率并延长其使用寿命。文章阐述了MC68HC908JL8监控ROM中EE_WRITE例程的使用方法,随后简要介绍监控ROM机器码的读出方法并给出了监控例程中EE_WRITE子例程的机器码,在此基础上,对机器码反汇编并进行分析,得出了EE_WRITE具体实现的流程。此方法可供嵌入式系统应用开发者借鉴应用于具有Flash存储器的MCU开发中。 展开更多
关键词 MC68HC908JL8 flash存储区 eeprom EE_WRITE
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EEPROM瞬时剂量率效应实验研究 被引量:1
5
作者 王桂珍 齐超 +5 位作者 林东生 白小燕 杨善潮 李瑞宾 刘岩 金晓明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期727-731,共5页
对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再... 对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。 展开更多
关键词 浮栅器件 eeprom 剂量率闩锁 闩锁阈值
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浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究 被引量:2
6
作者 于宗光 陆锋 +4 位作者 徐征 叶守银 黄卫 王万业 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期90-91,95,共3页
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .
关键词 eeprom 浮栅 隧道氧化层 电荷泄漏
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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究 被引量:1
7
作者 于宗光 徐征 +4 位作者 叶守银 张国华 黄卫 王万业 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 . 展开更多
关键词 eeprom 隧道氧化层 擦写过程 陷阱俘获电荷
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串行EEPROM的读写器的设计 被引量:1
8
作者 孙洪军 孙秀云 王连军 《计算机应用研究》 CSCD 1997年第1期69-71,共3页
通过对串行EEPROM的指令时序和微机并行打印机适配器的介绍分析,本文给出了一种串行EEPROM读写器的设计方法,该读写器具有硬件线路简单,软件设计容易,操作者使用方便的优点。
关键词 串行eeprom 读写器 并行打印机 适配器 存储器
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串行EEPROM在电力系统测控设备中的应用
9
作者 王林涛 王少荣 程时杰 《继电器》 CSCD 北大核心 2001年第9期43-45,共3页
介绍高性能串行EEPROM在电力系统测控设备中的应用技术 ,重点介绍美国Microchip公司生产的2 4LCXX系列串行EEPROM所具备的特点 ,与AT89C5 1单片机的接口电路和读写方法 ,并给出了详细的读写程序框图。
关键词 电力系统 测控设备 串行eeprom 单片机
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包装机械中电机控制DSP器件与串行EEPROM的通讯
10
作者 瞿遂春 肖强晖 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期86-88,共3页
介绍了一种在包装机械中电机控制DSP芯片ADMC401与串行EEPROM之间的硬件和软件接口技术。并在ADMC401处理器板上实现了ADMC401的串行口与串行EEPROM之间的通讯。
关键词 数字信号处理器 串行eeprom 通讯
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双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计 被引量:3
11
作者 于宗光 许居衍 +1 位作者 王鸿宾 魏同立 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期82-88,共7页
建立了双层多晶硅flotoxEEPEOM存储管的阈值电压模型,利用该模型研究了擦/写阈值与擦/写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系,采用1.4μmCMOS工艺设计了双层多晶硅flotox单元。模拟结果和... 建立了双层多晶硅flotoxEEPEOM存储管的阈值电压模型,利用该模型研究了擦/写阈值与擦/写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系,采用1.4μmCMOS工艺设计了双层多晶硅flotox单元。模拟结果和实验结果基本一致,该阈值电压模型为EEPEOM单元的优化设计提供了一种快速、简便、实用的准则。 展开更多
关键词 浮栅隧道氧化物 eeprom 只读存贮器 双层多晶硅
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基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析 被引量:2
12
作者 邓勇 宣晓峰 +1 位作者 许高斌 杨明武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期15-18,共4页
利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单... 利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟。通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性。 展开更多
关键词 单层多晶eeprom TCAD软件 等效模型 器件模拟
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基于EEPROM应用的CMOS电荷泵分析与设计 被引量:2
13
作者 陶辉 徐玉丹 +2 位作者 刘晶晶 李向宏 马世伟 《电子测量技术》 2012年第11期24-27,35,共5页
在分析传统电荷泵原理基础上,结合电荷泵在EEPROM中的应用,提出了一种改进的CMOS电荷泵结构,该结构采用了较大的泵电容、非交叠时钟电路,并增加了电荷泵启动使能端,能够有效降低功耗并获得较高电压增益,且具有较短初态上升时间和较高的... 在分析传统电荷泵原理基础上,结合电荷泵在EEPROM中的应用,提出了一种改进的CMOS电荷泵结构,该结构采用了较大的泵电容、非交叠时钟电路,并增加了电荷泵启动使能端,能够有效降低功耗并获得较高电压增益,且具有较短初态上升时间和较高的电路转换效率。对包括高压稳压及切换电路在内的电荷泵整体结构进行了研究与设计,并在CSMC 0.18μm的CMOS工艺库下,利用CADENCE SPECTRE进行了电路仿真,结果表明了此结构的可行性与实用性。 展开更多
关键词 eeprom CMOS电荷泵 非交叠时钟 初态上升时间 高压稳压
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基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析 被引量:3
14
作者 赵扬 陈燕宁 +1 位作者 单书珊 赵明敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期72-76,共5页
随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机... 随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜(EMMI)、电压衬度(VC)、去层、聚焦离子束(FIB)的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。 展开更多
关键词 电可擦可编程只读存储器(eeprom) 失效分析 电压衬度(VC) 聚焦离子束(FIB) 栅氧化层 缺陷
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基于FLOTOX的EEPROM的工作机制研究 被引量:2
15
作者 王保恒 《计算机工程与科学》 CSCD 1999年第2期66-69,共4页
本文通过分析FLOTOX结构及其存储信息的原理,对基于FLOTOX的EEPROM的工作机制进行了深入研究。
关键词 FLOTOX eeprom 存储器 工作机制
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嵌入式系统中EEPROM接口及控制电路设计 被引量:13
16
作者 姚亚峰 陈建文 黄载禄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期328-331,共4页
嵌入式串行EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。本研究以以太网接口卡芯片中EEPROM的嵌入式应用开发为例,介绍和提供了一种嵌入式系统中串行EEPROM的接口和控制电路的设计方法。本方法对其他领域EEPROM的... 嵌入式串行EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。本研究以以太网接口卡芯片中EEPROM的嵌入式应用开发为例,介绍和提供了一种嵌入式系统中串行EEPROM的接口和控制电路的设计方法。本方法对其他领域EEPROM的嵌入式应用也具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 串行电可擦除只读存储器 嵌入式系统 串行外设接口 芯片内总线接口
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串行EEPROM 93 C46及其应用 被引量:2
17
作者 钟志良 《计算机应用研究》 CSCD 1994年第6期75-77,共3页
本文介绍了93C46的性能特点;并给出了它与单片机的接口及其读写程序示例。
关键词 eeprom 只读存储器 微处理器
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基于I^2C总线的EEPROM与单片机接口技术 被引量:4
18
作者 杨正进 王玉霞 《重庆工学院学报》 2001年第2期28-31,共4页
介绍了基于I2 C总线的串行EEPROM与单片机的接口应用 ,举例说明两个主器件之间通信可用的最简便方法 ,提出实际应用中应注意的问题和解决办法 ,并给出了程序清单。
关键词 I^3C总线 单片机 eeprom 接口
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TinyOS下基于MSP430平台的EEPROM驱动程序设计
19
作者 雷洋 张效义 王晓梅 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第4期99-102,共4页
无线传感器网络节点需要非易失性的外部存储器来保存自身采集的数据、路由信息等传感器数据。这就需要节点上的微处理器能够访问外部存储器。在专门为传感器网络设计的微型操作系统TinyOS中,没有支持对串行EEPROM进行相关操作的底层驱... 无线传感器网络节点需要非易失性的外部存储器来保存自身采集的数据、路由信息等传感器数据。这就需要节点上的微处理器能够访问外部存储器。在专门为传感器网络设计的微型操作系统TinyOS中,没有支持对串行EEPROM进行相关操作的底层驱动程序。根据实际需求,在分析了串行EEPROMAT24C512B的功能和TinyOS下硬件抽象体系结构的基础上,设计了基于I2C总线的EEPROM硬件抽象组件体系,实现了TinyOS下基于MSP430平台的串行EEPROM驱动程序,同时满足了应用开发的灵活性与传感器节点功耗低两方面的需求。 展开更多
关键词 无线传感器网络节点 I^2C总线 串行eeprom
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基于EEPROM数据读写的智能电能表白盒测试方法 被引量:8
20
作者 徐晴 纪峰 +2 位作者 田正其 陈红芳 胡环 《电测与仪表》 北大核心 2014年第3期1-5,共5页
针对电能表黑盒测试方法无法实现电能表软件分支路径遍历测试,及无法给出电能表EEPROM数据错误容错能力评价的问题,考虑电能表数据存储单元EEPROM保存着电能表运行参数的事实,提出了一种基于EEPROM读写的新型电能表白盒测试方法。该测... 针对电能表黑盒测试方法无法实现电能表软件分支路径遍历测试,及无法给出电能表EEPROM数据错误容错能力评价的问题,考虑电能表数据存储单元EEPROM保存着电能表运行参数的事实,提出了一种基于EEPROM读写的新型电能表白盒测试方法。该测试方法通过对EEPROM参数的改写来实现电能表软件分支路径的全覆盖,有效地解决了黑盒测试方法相关分支路径的漏测问题,通过相关测试平台的搭建与集成,实现了智能电能表自动化白盒测试。该方法的实现对提高电能表的可靠性及容错能力,具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 嵌入式软件测试 智能电能表 自动测试 读写eeprom
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