基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片 被引量：1

1

作者 徐伟 赵子润 +1 位作者 刘会东 李远鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页

基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。 展开更多

关键词 双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(e/d phemt) 单刀双掷(SPdT)开关 数控移相器 数控衰减器

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GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器 被引量：6

2

作者 白元亮 张晓鹏 +1 位作者 陈凤霞 默立冬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期910-913,923,共5页

采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了... 采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。 展开更多

关键词 砷化镓 增强 耗尽型(e d) 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 6 bit单片数控衰减器 正压控制电路

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DC～20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器 被引量：4

3

作者 朱思成 田国平 +2 位作者 白元亮 张晓鹏 陈兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期571-575,共5页

采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅... 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点。电路采用+8 V电源供电,将芯片及外围器件进行模块化封装后,易于测试和使用。经过实测,带内的典型噪声系数为3 dB,小信号增益达到14 dB,输入回波损耗低于-14 dB,输出回波损耗低于-17 dB,1 dB增益压缩输出功率达到16 dBm。芯片尺寸为3.12 mm×1.574 mm。 展开更多

关键词 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 低噪声放大器 分布式放大器 共源共栅 噪声系数

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基于GaAs E/D PHEMT工艺的6～10 GHz多功能MMIC 被引量：4

4

作者 张滨 杨柳 +3 位作者 谢媛媛 李富强 魏洪涛 方园 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期180-185,共6页

采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（E/D PHEMT）工艺研制了一款6～10 GHz多功能微波单片集成电路（MMIC）。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明... 采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（E/D PHEMT）工艺研制了一款6～10 GHz多功能微波单片集成电路（MMIC）。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明：接收支路增益大于8 d B,1 d B压缩点输出功率大于3 d Bm;发射支路增益大于1 d B,1 d B压缩点输出功率大于8 d Bm。移相64态均方根误差小于3°,衰减64态均方根误差小于1 d B。在工作频带内接收和发射两种状态下,输入输出驻波比均小于1.5∶1。经过版图优化后,芯片尺寸为3.5 mm×5.1 mm。该多功能MMIC可用于微波收发组件,对传输信号进行幅相控制。 展开更多

关键词 多功能微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(e/dphemt) 单刀双掷(SPdT)开关 数控移相器 数控衰减器 数字驱动器

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Ku波段10W功率PHEMT

5

作者 陈堂胜 杨立杰 +2 位作者 周焕文 李拂晓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期42-44,50,共4页

报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 ... 报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 展开更多

关键词 KU波段 功率phemt 内匹配 赝配高电子迁移率晶体管 固态功率放大器

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基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC

6

作者 孟范忠 薛昊东 方园 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期193-197,共5页

研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测... 研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 功率放大器(PA) 平衡式放大器 单片微波集成电路(MMIC) e波段

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0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器 被引量：6

7

作者 张欢 张昭阳 +1 位作者 张晓朋 高博 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期850-855,885,共7页

基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有... 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有源偏置结构相比,引入一个负反馈系统,提高了驱动能力,使电路更加稳定。电路采用+5 V电源供电,静态工作电流为130 mA。该放大器在860~960 MHz、2.1~2.2 GHz和2.3~2.7 GHz性能良好,在2.6 GHz处的小信号增益为14.3 dB,1 dB压缩点输出功率(Po(1 dB))为28.4 dBm,Po(1 dB)处的功率附加效率为41.6%,输出三阶交调点为37.5 dBm。采用片外匹配,不仅节省芯片面积,还可以通过调整输入和输出匹配网络,满足5G基站等移动通信系统不同频段的应用需求。 展开更多

关键词 驱动放大器 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 高线性 有源偏置电路 低损耗功分网络

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5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关 被引量：2

8

作者 袁丹丹 张志浩 +2 位作者 张艺 殷锐昊 章国豪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期55-59,共5页

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25~29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。 展开更多

关键词 5G毫米波 单刀双掷(SPdT)开关 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 低插损 高隔离

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一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC 被引量：7

9

作者 王贵德 范举胜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期451-455,共5页

混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极... 混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm。芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器 超宽带 高隔离度

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GaAs PHEMT工艺V波段有源二倍频器MMIC 被引量：4

10

作者 吴永辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期481-484,493,共5页

基于标准GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,设计了一个输出频率在V波段的有源二倍频器单片微波集成电路（MMIC）,实现了高输出功率和良好的谐波抑制特性。芯片内部集成了180°马逊巴伦、对管变频和输出功率放大器等电路。... 基于标准GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,设计了一个输出频率在V波段的有源二倍频器单片微波集成电路（MMIC）,实现了高输出功率和良好的谐波抑制特性。芯片内部集成了180°马逊巴伦、对管变频和输出功率放大器等电路。重点优化设计了马逊巴伦的版图结构,在宽带内具有良好的相位和幅度特性;分析了对管变频结构电路的原理,确定其最佳工作电压在压断电压附近;设计了V波段两级放大器电路,对带内信号放大的同时抑制了带外谐波信号,提高了整个倍频器的输出功率。芯片采用微波探针台在片测试,在外加3.5 V电源电压下的工作电流为147 mA;输入功率为14 dBm时,在55-65 GHz输出带宽内的输出功率为13 dBm;带内基波抑制大于20 dBc,芯片面积为2.1 mm×1.3 mm。此倍频器MMIC可应用于V波段通信系统和微波测量系统。 展开更多

关键词 砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(phemt) V波段 倍频器 马逊巴伦 单片微波集成电路(MMIC)

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基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC

11

作者 王胜福 王洋 +3 位作者 李丽 于江涛 张仕强 李宏军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期48-53,共6页

基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控... 基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控制某一支路开关的导通或关断;带通滤波器由集总电感和电容组成。该开关滤波器组芯片通带频率覆盖0.8~18 GHz。探针测试结果表明,开关滤波器组芯片各个支路的中心插入损耗均小于8.5 dB,通带内回波损耗小于10 dB,典型带外衰减大于40 dB。为后续研发尺寸更小、性能更优的开关滤波器组提供了参考。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 超宽带 多通道滤波器 带通滤波器 开关滤波器组 单片微波集成电路(MMIC)

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兆声清洗在GaAs PHEMT栅凹槽工艺中的应用

12

作者 周国 张力江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期219-222,共4页

对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析。设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽清洗工艺过程,利... 对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析。设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽清洗工艺过程,利用颗粒度测试仪分别测试了4英寸圆片表面不同粒径的沾污颗粒数在喷淋和兆声清洗两种条件下的变化情况。比较两种清洗结果,兆声清洗方法可以有效去除栅凹槽颗粒沾污。在实际流片过程中,采用兆声清洗方法大幅降低了源漏间沟道漏电数值,同时芯片的直流参数成品率由之前的75%提高到了93%。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 栅凹槽 颗粒沾污 兆声清洗 漏电

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基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段三通道开关滤波器

13

作者 王朋 韦雪真 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期324-327,352,共5页

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,一端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容实现。芯片集成了2∶4线译码器作为控制电路,实现通道的选择和切换。芯片尺寸为3.0 mm×2.4 mm×0.1 mm。测试结果表明,三个通道的插入损耗均小于8.5 dB,带内回波损耗均小于-10 dB,带外衰减均大于40 dB。该开关滤波器芯片具有插入损耗小、隔离度高、集成度高、阻带宽的特点。 展开更多

关键词 开关滤波器 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt)工艺 带通滤波器 译码器 宽带

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封装的DC～4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文) 被引量：2

14

作者 苏黎明 杨洪文 +2 位作者 刘宇辙 孙征宇 阎跃鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期419-423,共5页

描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电... 描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电源5 V正压控制,具有使能控制端和全关状态,且控制电平与TTL/CMOS输出电平相兼容。芯片采用8引脚微型小外形封装(MSOP8)形式进行封装,设计中通过三维电磁仿真工具HFSS分析了由封装引入的寄生参数的影响,并提取π型网络进行等效建模。该开关工作在DC～4 GHz频段插入损耗小于1.5 dB,隔离度高于45 dB。仿真结果与实测结果基本一致。 展开更多

关键词 单刀双掷(SPdT) 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) MSOP8封装 高隔离度 吸收式

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E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC 被引量：1

15

作者 陈长友 刘会东 崔璐 《现代信息科技》 2023年第9期60-62,67,共4页

基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍... 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时,输出66~88GHz频率范围内,输出功率大于13dBm,谐波抑制20dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 e波段 有源六倍频器

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D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文） 被引量：2

16

作者 刘军 吕昕 +2 位作者 于伟华 杨宋源 侯彦飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期144-148,共5页

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,... 利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,芯片面积2.6mm×1.2mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8dB@139GHz,3dB带宽12GHz,在130～150GHz频带范围内增益大于10dB,芯片面积1.7mm×0.8mm,带内最小噪声为4.4dB、相关增益15dB@141GHz,平均噪声系数约为5.2dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建D波段接收前端具有借鉴意义. 展开更多

关键词 InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(phemts) 90nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 d波段

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60GHz宽带功率放大器设计 被引量：1

17

作者 李凌云 叶禹 +2 位作者 汪书娜 佟瑞 孙晓玮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期24-27,共4页

随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升，现有的无线接入技术基本都处于百兆量级，已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求，利用60GHz频段进行通信已经成为... 随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升，现有的无线接入技术基本都处于百兆量级，已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求，利用60GHz频段进行通信已经成为一个重要的技术途径。利用成熟的0．15μm赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计了一个工作在60GHz频段的中功率宽带放大器，频率覆盖50～64GHz，增益12dB，线性输出功率14dBm，饱和输出功率16．5dBm，功率附加效率为12％。性能与65nmCMOS工艺设计芯片相当，但前期系统验证和芯片开发阶段的投入成本远低于65nmRFCMOS，适用于前期系统验证工作。 展开更多

关键词 功率放大器 射频(RF) 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 宽带 无线通信

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一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片 被引量：4

18

作者 王胜福 世娟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期592-596,共5页

基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构... 基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构相同,各支路都采用串-并联混合形式实现。驱动器集成在片内,由一位低电平(0~0.4 V)或高电平(3.3~5.5 V)信号控制SP4T开关中某一支路的导通或关断。带通滤波器采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容,减小滤波器尺寸的同时拓宽了其阻带带宽。该开关滤波器芯片频率覆盖9.85~12.4 GHz,尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.15 mm。探针在片测试结果表明,开关滤波器芯片4个支路的中心插入损耗均小于6.2 dB,通带内回波损耗优于17 dB,典型的带外衰减大于40 dB。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 单刀四掷(SP4T)开关 带通滤波器 开关滤波器 微波单片集成电路(MMIC)

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X波段12W GaAs功率放大器MMIC 被引量：1

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作者 冯威 倪帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期341-346,383,共7页

基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEM... 基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEMT可定标模型参数。HPA原理图设计采用低损耗高效率母线拓扑结构,并基于最优效率原则优化了HPA各级阻抗匹配参数。对HPA容易出现的几种稳定性问题进行了分析,并在设计过程中采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的HPA芯片尺寸为3.5 mm×4.0 mm。在栅源电压为-0.7 V,漏源电压为8 V,工作频率为9～10 GHz的条件下,连续波输出功率达到12 W以上,功率附加效率大于45%,在9.6 GHz时功率附加效率达到50%。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) X波段 功率放大器(PA) 高效率 赝配高电子迁移率晶体管(phemt)

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2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC

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作者 李远鹏 陈长友 刘会东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期706-712,共7页

基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选... 基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择,采用三串两并结构,提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现,最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计,具有通带插入损耗小,阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器,实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示,该开关滤波器组芯片在2~6 GHz频率范围内,每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点,可应用于宽带雷达系统进行频率预选。 展开更多

关键词 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 单片微波集成电路(MMIC) 带通滤波器 低通滤波器 单刀八掷(SP8T)开关 3-8译码器 驱动器

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