期刊文献+
共找到17篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池材料的研究现状 被引量:2
1
作者 向卫东 王京 +5 位作者 杨海龙 赵寅生 钟家松 赵斌宇 骆乐 谢翠萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期129-133,共5页
综述了CZTS(Cu2ZnSnS4)材料的研究现状,介绍了CZTS材料的结构性质、光学性质、电学性质、薄膜的制备方法以及Na扩散对其性能的影响,最后探讨了目前存在的问题及其今后的研究发展方向。
关键词 cu2Znsns4 薄膜太阳能电池 光电性能
在线阅读 下载PDF
简易合成Cu_2SnSe_3作染料敏化太阳能电池对电极(英文)
2
作者 朱磊 强颖怀 +3 位作者 赵宇龙 顾修全 宋端鸣 宋昌斌 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2339-2344,共6页
采用简易溶剂热法合成直径为150-250 nm的Cu2SnSe3纳米颗粒.以Cu2SnSe3"墨水"为前驱体采用滴落涂布法在掺氟二氧化锡基板上沉积Cu2SnSe3薄膜作为染料敏化太阳能电池(DSSC)对电极.利用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、... 采用简易溶剂热法合成直径为150-250 nm的Cu2SnSe3纳米颗粒.以Cu2SnSe3"墨水"为前驱体采用滴落涂布法在掺氟二氧化锡基板上沉积Cu2SnSe3薄膜作为染料敏化太阳能电池(DSSC)对电极.利用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、能谱仪(EDS)等对Cu2SnSe3纳米颗粒的形貌、结构和组成进行表征.结果表明:产物纯净无杂项且符合化学计量比.以Cu2SnSe3为对电极的DSSC转化效率为7.75%,与铂对电极DSSC效率相当(7.21%).研究表明,DSSC的光电流密度和影响因子与Cu2SnSe3薄膜厚度密切相关,这是由于不同厚度的Cu2SnSe3薄膜作对电极所对应的催化位置数目和电阻值不同.电化学阻抗谱研究说明,Cu2SnSe3因具有类似铂良好的电催化性能而适合用作染料敏化太阳能电池对电极材料.本文以Cu2SnSe3代替贵金属铂,提供了一种廉价制备高效染料敏化太阳能电池对电极的新方法. 展开更多
关键词 cu2snse3 纳米颗粒 溶剂热 对电极 染料敏化太阳能电池
在线阅读 下载PDF
SnS_2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究 被引量:5
3
作者 李兵 史成武 +1 位作者 李丽丽 王岩 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期826-828,856,共4页
文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池。用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能。结果表明,所制备的SnS2、SnS... 文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池。用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能。结果表明,所制备的SnS2、SnS颗粒分别呈球形和片状结构且结晶性良好,SnS2薄膜的直接带隙为2.6 eV、间接带隙为2.2 eV,SnS薄膜的直接带隙为1.2 eV,间接带隙为1.0 eV,得到的SnS2/SnS薄膜太阳能电池的短路电流密度为1.1μA/cm2,开路电压为25 mV。 展开更多
关键词 水热法 sns2 sns浸涂法 薄膜太阳能电池
在线阅读 下载PDF
Cu/Sn比率对Cu_2SnSe_3薄膜若干物理性质的影响 被引量:1
4
作者 张伟 陈顺礼 汪渊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期630-634,共5页
利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果... 利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有(111)择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67~4.62mΩ.cm。 展开更多
关键词 cu2snse3薄膜 cu/sn比率 硒化 物理性质
在线阅读 下载PDF
Cu/Sn原子比对溅射法制备的Cu2SnS3薄膜性能的影响 被引量:1
5
作者 贾宏杰 程树英 +5 位作者 马为民 胡晟 崔广州 林真 周健飞 钟胜铨 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期11171-11174,共4页
利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手... 利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了Cu/Sn原子比对Cu2SnS3薄膜性能的影响。结果表明,制备的薄膜是(^-131)晶向择优生长的Cu2SnS3多晶薄膜,当Cu2SnS3薄膜的Cu/Sn原子比为1.91时,获得结晶性能优异、半导体性能满足太阳电池对吸收层要求的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜在其光学吸收边具有较高的光吸收系数2.07×10^4 cm^-1、合适的载流子浓度6.6×10^18 cm^-3、较高的载流子迁移率5.1 cm^2 v^-1s^-1及较窄的禁带宽度0.97 eV。 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜 磁控溅射 cu/sn原子比 太阳电池吸收层
在线阅读 下载PDF
SrCO_3/TiO_2复合薄膜太阳能电池的性能研究
6
作者 吴小娟 蒋银花 +2 位作者 吴敏 宋铂 孙岳明 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期52-55,共4页
采用丝网印刷法制备了SrCO3/TiO2复合薄膜电极;组装电池,研究了复合电极的光电性能。结果表明:敏化SrCO3/TiO2复合薄膜电极太阳能电池的短路电流密度、开路电压和填充因子比敏化TiO2电极电池均有增加,总的光电转换效率从3.01%提高到了3.... 采用丝网印刷法制备了SrCO3/TiO2复合薄膜电极;组装电池,研究了复合电极的光电性能。结果表明:敏化SrCO3/TiO2复合薄膜电极太阳能电池的短路电流密度、开路电压和填充因子比敏化TiO2电极电池均有增加,总的光电转换效率从3.01%提高到了3.53%,增加了17.3%。另外紫外光谱表明,SrCO3/TiO2复合薄膜电极吸附更多的染料。电化学阻抗谱研究表明,SrCO3/TiO2复合薄膜电极相对于空白TiO2电极有更小的阻抗,有利于电子在薄膜中的传输,提高了太阳能电池的性能。 展开更多
关键词 SrCO3/TiO2复合薄膜电极 TiO2电极 交流阻抗 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
射频磁控溅射法制备Cu_2SnS_3薄膜结构和光学特性的研究
7
作者 李学留 刘丹丹 +1 位作者 史成武 梁齐 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期400-408,共9页
利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu_2SnS_3薄膜,研究了使用SnS_2、Cu_2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同溅射功率(40和80W)条件下所制备Cu_2SnS_3薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性。结... 利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu_2SnS_3薄膜,研究了使用SnS_2、Cu_2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同溅射功率(40和80W)条件下所制备Cu_2SnS_3薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性。结果表明:混合靶的SnS_2、Cu_2S最佳摩尔比为1∶1.5,利用该靶所制备薄膜均结晶;在溅射功率为80 W条件下,所制备薄膜结晶质量和择优取向度高,应变最小,Cu∶Sn∶S摩尔比为1.89∶1∶2.77,平均颗粒直径和平均粗糙度分别为332和0.742 nm,吸收系数达到10~4cm^(-1),禁带宽度为1.32 eV。制备了n-Si/p-CTS异质结器件,器件具有良好的整流特性和光电流响应特性。 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜 射频磁控溅射 快速退火 晶体结构 光学特性
在线阅读 下载PDF
Cu_2ZnSnS_4薄膜的研究进展 被引量:5
8
作者 蔡倩 梁晓娟 +3 位作者 向卫东 钟家松 邵明国 赵肖为 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期138-143,共6页
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池具有低成本、高效率、安全无毒等优点,是最具发展前景的太阳能电池之一,近几年来开始受到广泛关注。简要介绍了国内外几种制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法,包括蒸发法、溅射法、脉冲激光沉积法、电化学沉积法、... Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池具有低成本、高效率、安全无毒等优点,是最具发展前景的太阳能电池之一,近几年来开始受到广泛关注。简要介绍了国内外几种制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法,包括蒸发法、溅射法、脉冲激光沉积法、电化学沉积法、喷涂热解法、Sol-gel法、丝网印刷法,并阐述了这几种方法的优点及存在的问题,展望了今后CZTS薄膜的研究方向,认为通过溶剂热或热注入法制备出CZTS纳米晶体后,再通过丝网印刷法或旋涂等法制成CZTS薄膜能降低生产成本,在电池的工业化生产中具有很广阔的应用前景。 展开更多
关键词 cu2Znsns4 太阳能电池 薄膜
在线阅读 下载PDF
Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒及其薄膜的制备与表征 被引量:8
9
作者 罗鹏 赵丽霞 徐键 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期79-82,共4页
采用热注入法,在油胺(OLA)中合成出Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并在玻璃衬底上制备了薄膜,研究了不同合成温度对纳米颗粒生成的影响.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计对所得纳米晶材料... 采用热注入法,在油胺(OLA)中合成出Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并在玻璃衬底上制备了薄膜,研究了不同合成温度对纳米颗粒生成的影响.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计对所得纳米晶材料的结构与成分、颗粒大小与形貌、光吸收谱进行了测试分析.研究结果表明:采用热注入法的最佳合成温度在260℃左右,该温度下生成的多晶CZTS纳米颗粒尺寸约10 nm,分散性良好,光学禁带宽度约1.5 eV. 展开更多
关键词 热注入 cu2Znsns4 纳米颗粒 薄膜 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
一种印刷型薄膜太阳能电池p-n结调制技术 被引量:2
10
作者 朱子诚 王伟 +1 位作者 蒋辰 周芳芳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期13-18,共6页
能带值为0.5~0.85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO ... 能带值为0.5~0.85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO glass)对其光伏特性进行了研究.实验表明所制备的太阳能电池短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率分别为12.38mA/cm2、320mV、0.28和1.10%.此外,为更好地满足多结太阳能电池对电流匹配的需求,本文对所制备太阳能电池的Cu2SnS3/In2S3p-n结进行了分析.通过在p-n结界面植入一层薄的疏松缓冲层,使调制后的太阳能电池短路电流密度从最初的12.38mA/cm2增加到了23.15mA/cm2,相应太阳能电池转换效率从1.1%增加到了1.92%.该p-n调制技术对印刷型薄膜太阳能电池具有重要借鉴意义. 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜太阳能电池 非真空印刷法 In2S3 cu2sns3 p-n结调制技术
在线阅读 下载PDF
磁控溅射Sn和CuS靶制备铜锡硫薄膜电池
11
作者 徐信 王书荣 +4 位作者 陆熠磊 杨帅 李耀斌 唐臻 杨洪斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1557-1564,共8页
为了验证采用金属单质靶与硫属化合物靶混合溅射法制备Cu_2Sn S_3(CTS)薄膜及太阳电池的可行性,在镀钼的钠钙玻璃上通过磁控溅射Sn和Cu S靶制备CTS预制层后,再经过低温合金化和高温硫化过程制备CTS薄膜,研究了硫化过程中不同升温速率对... 为了验证采用金属单质靶与硫属化合物靶混合溅射法制备Cu_2Sn S_3(CTS)薄膜及太阳电池的可行性,在镀钼的钠钙玻璃上通过磁控溅射Sn和Cu S靶制备CTS预制层后,再经过低温合金化和高温硫化过程制备CTS薄膜,研究了硫化过程中不同升温速率对CTS薄膜表面形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及配属的能谱仪(EDS)、拉曼散射(Raman)对薄膜的晶体结构、表面和截面形貌、薄膜组分、物相进行表征分析,利用紫外-可见光光度计和霍尔测试系统表征了薄膜的光电特性。在硫化升温速率为35℃/min的条件下,获得了表面致密平整且纯相的单斜结构CTS薄膜,并用CTS薄膜制备了太阳电池。随后在标准测试条件(AM1.5,100 m W/cm^2,300 K)下采用KEITHLEY的2400数字源表测试了电池的I-V特性,其开路电压为299 m V,短路电流密度为16.6 m A/cm^2,光电转换效率为1.18%。结果表明,采用磁控溅射金属单质靶Sn与硫属化合物靶Cu S有望制备出高效CTS薄膜太阳电池。 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜 磁控溅射 硫化 太阳电池
在线阅读 下载PDF
Cu(In,Ga)Se_2薄膜电沉积制备及性能研究 被引量:5
12
作者 夏冬林 徐慢 +1 位作者 李建庄 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1146-1150,共5页
采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度... 采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度对C IGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能。实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 cu(In Ga)Se2(CIGS) 薄膜 电沉积 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜的影响(英文) 被引量:4
13
作者 夏冬林 赵修建 李建庄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期704-708,共5页
本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜... 本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌。结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀。 展开更多
关键词 cu(In Ga)Se2 薄膜 电沉积 柠檬酸钠 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
原子层沉积Al_2O_3薄膜钝化n型单晶硅表面的研究 被引量:4
14
作者 李想 颜钟惠 +1 位作者 刘阳辉 竺立强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期40-43,共4页
以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(X... 以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理。结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7cm/s,表面钝化效果显著。 展开更多
关键词 太阳能电池 晶体硅钝化 原子层沉积 AL2O3薄膜
在线阅读 下载PDF
In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究
15
作者 王兴磊 敖建平 +4 位作者 何青 李凤岩 杨宇 王茺 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期420-425,共6页
(In,Ga)_2Se_3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能。实验就多源共蒸发制备In_2Se_3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究。分析讨论... (In,Ga)_2Se_3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能。实验就多源共蒸发制备In_2Se_3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究。分析讨论上述3种因素对In_2Se_3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响。发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380~400℃的较高温度时,制备的In_2Se_3预制层是单一晶相的In_2 Se_3,其X射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向。反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In_2Se_3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In_2Se_3(006)衍射峰为择优取向。 展开更多
关键词 In2Se3薄膜 cu(IN GA)SE2 择优取向 太阳电池
在线阅读 下载PDF
Y_2O_3∶Bi,Yb减反转光薄膜的制备及其性能研究
16
作者 林捷 王如志 +2 位作者 盖红 王波 严辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期27-32,共6页
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上制备了Y2O3∶Bi,Yb减反转光薄膜。所制备的薄膜在300~800 nm波长范围内的平均反射率最低至5.28%,同时在晶体硅太阳能电池最佳响应范围内的980 nm附近表现出了良好的下转光特性。... 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上制备了Y2O3∶Bi,Yb减反转光薄膜。所制备的薄膜在300~800 nm波长范围内的平均反射率最低至5.28%,同时在晶体硅太阳能电池最佳响应范围内的980 nm附近表现出了良好的下转光特性。与非减反下转光薄膜相比较,具有减反结构的Y2O3∶Bi,Yb下转换薄膜的转光强度有了明显的提升。随着衬底腐蚀时间在一定范围内的延长,Bi3+和Yb3+的发射峰强度线性增大。该减反转光薄膜为太阳能电池效率提高提供了一种简单可行的方法。 展开更多
关键词 太阳能电池 减反陷光 下转换 Y2O3∶Bi Yb薄膜 腐蚀时间
在线阅读 下载PDF
N719染料敏化BaTiO3@TiO2纳米复合电极的制备及性能研究
17
作者 邓佳奇 宋波 +1 位作者 解东梅 林原 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期2176-2181,共6页
BaTiO3是非常常见的铁电材料,经常用于制备铁电光伏器件或与半导体器件相结合来优化光伏器件的光电性能。采用水热法合成了BaTiO3纳米颗粒,并在FTO玻璃上制备了BaTiO3纳米晶薄膜,通过TiCl4水溶液后处理的方法在BaTiO3纳米薄膜上形成不... BaTiO3是非常常见的铁电材料,经常用于制备铁电光伏器件或与半导体器件相结合来优化光伏器件的光电性能。采用水热法合成了BaTiO3纳米颗粒,并在FTO玻璃上制备了BaTiO3纳米晶薄膜,通过TiCl4水溶液后处理的方法在BaTiO3纳米薄膜上形成不同厚度的TiO2层,利用XRD、SEM和TEM分别对BaTiO3@TiO2纳米复合薄膜的物相和形貌进行了表征。将此电极经N719染料敏化后作为染料敏化太阳能电池的光阳极,并进行了光电性能测试。研究结果表明,水热法制备的BaTiO3薄膜晶型为四方相,呈球形多孔,平均粒径约50 nm;经过TiCl4后处理,在BaTiO3薄膜表面形成了锐钛矿相的TiO2颗粒。180℃下水热合成的BaTiO3纳米颗粒经过4次TiCl4后处理制备成的染料敏化太阳能电池取得了最优性能,其光电流密度9.78 mA cm-2,开路电压765 mV,填充因子76.1%和光电转换效率5.69%。 展开更多
关键词 BaTiO3薄膜 BaTiO3@TiO2纳米复合电极 TiCl4后处理 N719染料 染料敏化太阳能电池
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部