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大尺寸Cs_(2)LiYCl_(6)∶Ce晶体的制备与性能研究
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作者 赵美丽 孙涛峰 +4 位作者 高璠 宫红影 臧晓微 桂强 张春生 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期553-559,共7页
本文采用垂直坩埚下降法,生长出一系列直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的掺铈氯铯锂钇(Cs_(2)LiYCl_(6):Ce,简称CLYC:Ce)晶体,LiCl摩尔配比为55%~60%。对晶体毛坯的顶端不透明部分进行X射线衍射测试,结果表明,富Li的组分配比能有效抑制Cs_(3)Y... 本文采用垂直坩埚下降法,生长出一系列直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的掺铈氯铯锂钇(Cs_(2)LiYCl_(6):Ce,简称CLYC:Ce)晶体,LiCl摩尔配比为55%~60%。对晶体毛坯的顶端不透明部分进行X射线衍射测试,结果表明,富Li的组分配比能有效抑制Cs_(3)YCl_(6)相生成。LiCl摩尔配比为57%时得到的晶体中CLYC相的体占比最大,等径完整长度达80 mm。测试了该组分下获得的Ф76 mm×76 mm CLYC:Ce封装晶体的闪烁性能,其对^(137)Cs 662 keVγ射线的能量分辨率达到4.88%,^(241)Am-Be中子源的脉冲波形甄别(PSD)品质因子(FOM)值为4.18,表现出优异的中子-伽马甄别性能。 展开更多
关键词 Cs_(2)LiYCl_(6):ce晶体 坩埚下降法 能量分辨率 脉冲波形甄别 品质因子
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Ce:KNSBN晶体中调制光耦合研究 被引量:3
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作者 李盼来 郭庆林 +3 位作者 邓泽超 王志军 张金平 梁宝来 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期65-69,共5页
采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在入射光调制下,研究了调制频率对Ce:KNSBN晶体两波耦合有效增益(G)的影响,结果显示G随调制频率的增大先增大后减小,但入射光波长不同时,G最大值对应的调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,G... 采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在入射光调制下,研究了调制频率对Ce:KNSBN晶体两波耦合有效增益(G)的影响,结果显示G随调制频率的增大先增大后减小,但入射光波长不同时,G最大值对应的调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,G最大值为20.2,对应的调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,G最大值为15.1,对应的调制频率为175Hz。同时研究了入射光参量对增益改善(Gm/Gf)及最佳调制频率的影响,结果显示不同入射光参量下增益改善及最佳调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,增益改善最大为1.92,对应的最佳调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,增益改善最大为1.50,对应的最佳调制频率为150Hz。采用运动光栅理论对实验结果进行了解释。 展开更多
关键词 ce:knsbn晶体 两波耦合 调制光 入射光参量 运动光栅
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Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的响应时间特性研究 被引量:2
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作者 李盼来 郭庆林 +3 位作者 张金平 梁宝来 王志军 怀素芳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2155-2158,共4页
以单束光入射Ce:KNSBN晶体,系统研究了不同入射光波长下,Ce:KNSBN晶体中光扇效应的响应时间随入射光强度及光入射角的变化情况.结果显示,相同的入射光强度及光入射角下,入射光波长较短时,光扇效应到达稳态的时间较短.相同的入射光强度下... 以单束光入射Ce:KNSBN晶体,系统研究了不同入射光波长下,Ce:KNSBN晶体中光扇效应的响应时间随入射光强度及光入射角的变化情况.结果显示,相同的入射光强度及光入射角下,入射光波长较短时,光扇效应到达稳态的时间较短.相同的入射光强度下,随光入射角的增大,响应时间先减小后增大,但不同波长入射光下,最小值对应的光入射角不同,入射光波长为532nm时,响应时间最小值对应的θ为15°;入射光波长为632.8nm时,对应的θ为15.5°.同时研究发现,入射光强度逐渐增大的过程中,响应时间在逐渐减小. 展开更多
关键词 ce:knsbn晶体 光扇效应 响应时间 入射光参量
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入射光调制对Ce:KNSBN晶体两波耦合的影响 被引量:2
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作者 李盼来 郭庆林 +4 位作者 李红莲 王志军 张金平 梁宝来 庞立斌 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期585-588,共4页
研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf... 研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150Hz;同一Ip/Is下,Io为57mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175Hz. 展开更多
关键词 ce:knsbn晶体 两波耦合 光扇效应 入射光调制
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Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程研究 被引量:1
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作者 张金平 刘峰 +3 位作者 郭庆林 钦明亮 梁宝来 李盼来 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期512-517,共6页
本文在非同时读出条件下,采用实时数据采集系统,实验研究了e偏振光写入Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程,发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响;当He-Ne 632.8nm激光通过Ce:KNSBN晶体时,光扇效应存在明显... 本文在非同时读出条件下,采用实时数据采集系统,实验研究了e偏振光写入Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程,发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响;当He-Ne 632.8nm激光通过Ce:KNSBN晶体时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,其阈值约为20mW/cm^2。依据实验结果对考虑光扇影响的耦合波方程进行了修正,其数值计算与实验结果基本符合。 展开更多
关键词 ce:knsbn晶体 两波耦合 动态过程 阈值 光折变 光扇效应
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Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合响应时间特性研究 被引量:5
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作者 郭庆林 刘峰 梁宝来 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期590-594,共5页
在写入光分别为e光和o光时 ,实验测量了Ce :KNSBN晶体两波耦合响应时间与总写入光强、写入光强比和写入光夹角的关系 ,实验数据与理论拟合结果相吻合 ,并由晶体响应时间特性获得了晶体有效电光系数和有效光折变电荷密度参数。
关键词 ce:knsbn 光折变晶体 两波耦合 响应时间 特性研究
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Ce∶KNSBN晶体衍射特性研究 被引量:4
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作者 梁宝来 郭庆林 +1 位作者 傅广生 尚勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期689-692,共4页
在非同时读出条件下测量了 Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系 ,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较 ,发现二者基本一致 .利用耦合波理论对实验结果进行了理... 在非同时读出条件下测量了 Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系 ,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较 ,发现二者基本一致 .利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合 。 展开更多
关键词 ce:knsbn晶体 衍射特性 光折变光栅 衍射效率 光折变晶体 双光束耦合
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非相干光对Ce∶KNSBN晶体两波耦合的影响研究 被引量:2
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作者 吉选芒 王金来 +1 位作者 刘劲松 安毓英 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期37-39,共3页
理论分析和实验研究了非相干光照射下Ce∶KNSBN晶体中的两波耦合 ,发现非相干光在很大范围内可有效地控制晶体中的两波耦合效应。实验结果和理论分析趋势相一致。
关键词 ce:knsbn晶体 光折变 两波耦合 非相干光
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同时测量Ce:KNSBN晶体两波耦合指数增益系数和吸收系数的一种方法 被引量:5
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作者 吉选芒 刘劲松 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期505-507,共3页
本文利用光折变晶体中双光束耦合的有关理论,提出了一种同时测量光折变晶体中双光束耦合指数增益系数和吸收系数的新方法,并用Ce:KNSBN晶体进行了实验研究.
关键词 双光束耦合 指数增益系数 吸收系数 ce:knsbn晶体 测量 光折变晶体
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入射光参量对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响
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作者 李盼来 郭庆林 +4 位作者 王志军 张金平 梁宝来 魏丽静 李旭 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期682-685,共4页
采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时... 采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强,如:入射光强度为38.2mW/cm2时,Ifsat最大为0.7mW/cm2;入射光强度为57.3mW/cm2时,Ifsat最大为1.8mW/cm2. 展开更多
关键词 ce:knsbn晶体 光扇效应 入射光参量 阈值特性
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Ce∶KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响
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作者 郭庆林 李彦 +3 位作者 李盼来 邓桂英 怀素芳 李旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1509-1513,共5页
本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce∶KNSBN晶体内的... 本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce∶KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响。研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1∶10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大。在最佳写入光位置,写入光强比为1∶10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大。并对实验结果进行了理论拟合与分析。 展开更多
关键词 光折变 写入光 耦合位置 ceknsbn晶体 有效增益
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入射光强比对Ce∶KNSBN晶体两波耦合特性影响的研究
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作者 王金来 吉选芒 +1 位作者 刘劲松 安毓英 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1318-1320,共3页
实验测量了 Ce∶KNSBN双光束耦合信号光有效增益 G随入射光强比 m的变化关系 .用中间段光折变理论对此变化关系进行了参量理论分析 .结果表明 。
关键词 两波耦合 入射光强比 ce:knsbn晶体 光折变晶体 非线性光学
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Ce∶Eu∶KNSBN晶体位相共轭效应的研究
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作者 王锐 徐悟生 +1 位作者 刘欣荣 赵朝忠 《高技术通讯》 CAS CSCD 2001年第1期94-95,37,共3页
在KNSBN晶体中掺进CeO2 和Eu2 O3,以硅钼棒作加热体 ,利用Czochralski法生长Ce∶Eu∶KNSBN晶体。测试 18°切和 0°切晶体的自泵浦位相共轭反射率和响应时间 ,18°切的样品自泵浦位相共轭性能优于 0°切的样品。采用自... 在KNSBN晶体中掺进CeO2 和Eu2 O3,以硅钼棒作加热体 ,利用Czochralski法生长Ce∶Eu∶KNSBN晶体。测试 18°切和 0°切晶体的自泵浦位相共轭反射率和响应时间 ,18°切的样品自泵浦位相共轭性能优于 0°切的样品。采用自泵浦位相共轭镜 ,In∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储介质 。 展开更多
关键词 ce:Eu:knsbn晶体 位相共轭效应 自泵浦位共轭反射率 铌酸锶钡钾钠
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Ce∶KNSBN光折变类光纤简并四波混频特性研究
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作者 刘宏利 王肇圻 +1 位作者 杨新军 陈焕矗 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期214-217,共4页
研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤在泵浦光和信号光夹角分别为小角度和大角度两种情况下简并四波混频的基本特性 .当夹角较大时 ,在光折变类光纤内部形成了两个四波混频作用区域 ,获得了比小角度情况提高 4倍的大相位共轭反射率 .给出了Ce∶... 研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤在泵浦光和信号光夹角分别为小角度和大角度两种情况下简并四波混频的基本特性 .当夹角较大时 ,在光折变类光纤内部形成了两个四波混频作用区域 ,获得了比小角度情况提高 4倍的大相位共轭反射率 .给出了Ce∶KNSBN光折变类光纤中 ,在入射夹角分别为小角度和大角度两种情况下 ,相位共轭光反射率分别随信号光光强、两束泵浦光光强比变化的实验结果 ,并用理论公式进行了拟合 ,理论分析和实验结果相符 .还研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤四波混频光栅模式和相位共轭光时间响应特性 .光折变类光纤的相位共轭响应时间较快 ,可为秒量级 . 展开更多
关键词 光折变类光纤 简并四波混频 ce:knsbn
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Ce:KNSBN晶体中双光束耦合衍射效率的研究 被引量:3
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作者 朱云 陈抗生 马俊芝 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1999年第5期505-508,共4页
对光折变晶体的衍射效率进行了理论性的分析研究,并以晶体Ce:KNSBN为对象,其光生载流子的迁移机制在空间电荷场形成过程中以扩散为主。
关键词 光折变 光生载流子 衍射效率 ce:knsbn 晶体
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Lu^(3+)掺杂Na_(5)Y_(9)F_(32)∶Ho^(3+)/Yb^(3+)/Ce^(3+)单晶体的增强红色上转换发光与光学温度传感性能 被引量:1
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作者 徐义松 方立志 +2 位作者 夏海平 周雄 宋宏伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1104-1113,共10页
采用密封的坩埚下降法技术生长了一系列Lu^(3+)(摩尔分数0、0.6%、1.2%、1.8%)掺杂Na_(5)Y_(9)F_(32)∶Ho^(3+)/Yb^(3+)/Ce^(3+)单晶体。在980 nm LD激发下,观察到单晶体的绿光543 nm(^(5)S_(2)/^(5)F_(4)→^(5)I_(8))、红光656 nm(^(5)... 采用密封的坩埚下降法技术生长了一系列Lu^(3+)(摩尔分数0、0.6%、1.2%、1.8%)掺杂Na_(5)Y_(9)F_(32)∶Ho^(3+)/Yb^(3+)/Ce^(3+)单晶体。在980 nm LD激发下,观察到单晶体的绿光543 nm(^(5)S_(2)/^(5)F_(4)→^(5)I_(8))、红光656 nm(^(5)F_(5)→^(5)I_(8))以及近红外750 nm(^(5)S_(2)/^(5)F4→^(5)I_(7))上转换发光。从上转换发光强度随激发光强度的变化情况,确定了543 nm、656 nm与750 nm的发光为双光子跃迁过程。研究了Lu^(3+)离子掺杂浓度对其发光强度与荧光寿命的影响情况,随着Lu^(3+)掺杂浓度从0增加到1.8%,单晶体中的656 nm红光逐步增强,543 nm绿光与750 nm近红外光随之减弱,红绿光强度比从0.01增加到了1.55,而543 nm荧光寿命从1.29 ms降低至0.99 ms。Lu^(3+)离子的掺入取代Y^(3+)晶格位,改变了单晶体的局域场环境,导致上转换发光强度的变化。基于随温度变化的上转换红光656 nm(^(5)F5→^(5)I8)与绿光543 nm(^(5)S_(2)/^(5)F4→^(5)I8)的发光强度变化,研究了1.8%Lu^(3+)掺杂Na_(5)Y_(9)F_(32)∶Ho^(3+)/Yb^(3+)/Ce^(3+)单晶体在298~448 K范围内的绝对灵敏度和相对灵敏度最大值分别为0.242%·K^(-1)和0.217%·K^(-1)。 展开更多
关键词 Na_(5)Y_(9)F_(32)单晶 增强上转换红光 Ho^(3+)/Yb^(3+)/ce^(3+) 光学温度传感 能量转移
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GAGG∶Ce闪烁晶体光输出的温度特性研究
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作者 万前银 王强 +6 位作者 刘双全 黄先超 肖雄 宋宝林 蒋赟睿 陶祖才 丁雨憧 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2073-2078,共6页
闪烁晶体的光输出性能会受到晶体温度的影响。掺铈钆镓铝石榴石(Gd_(3)(Ga,Al)_(5)O_(12)∶Ce,GAGG∶Ce)闪烁晶体在医学成像、辐射监测、高能物理等领域应用广泛。为研究GAGG∶Ce晶体光输出的温度特性,本文设计了晶体温度为单一变量的实... 闪烁晶体的光输出性能会受到晶体温度的影响。掺铈钆镓铝石榴石(Gd_(3)(Ga,Al)_(5)O_(12)∶Ce,GAGG∶Ce)闪烁晶体在医学成像、辐射监测、高能物理等领域应用广泛。为研究GAGG∶Ce晶体光输出的温度特性,本文设计了晶体温度为单一变量的实验,测量了GAGG∶Ce晶体在-30~60℃、121.8~1112.1 keV的7个能量γ射线的全能峰峰位随温度的变化,得到了GAGG∶Ce晶体光输出随温度的变化曲线,并分析了晶体光输出与温度的线性关系;采用一次函数拟合了不同温度下121.8~1112.1 keV的7个能量与γ谱线相应道址的能量线性,其线性拟合的决定系数R^(2)大于0.9999,证明了GAGG∶Ce晶体具备良好的能量线性。 展开更多
关键词 闪烁晶体 GAGG∶ce 温度响应 光输出 能量线性
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Growth and Scintillating Property of Ce:Ge:PbWO_(4) Crystal
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作者 YANG Chun-hui SHI Shao-jun 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期173-173,共1页
PbWO_(4) crystal is a dense,fast and radiation hard scintillator which is being t ested to be used as a radiator of EM calorimeters.With a density of 8.2g/cm^(3),t his crystal is having a decay time of less than 10nm ... PbWO_(4) crystal is a dense,fast and radiation hard scintillator which is being t ested to be used as a radiator of EM calorimeters.With a density of 8.2g/cm^(3),t his crystal is having a decay time of less than 10nm for about 85% of light outp ut.Its unit radiation length, x_(0) is shorter than any of the well establish ed scintillators. In order to improve the scintillating property,CeO_(2)(0.01wt%) and Ge_(2)O_(3) add ed into PWO,Ce:Ge:PWO crystal was grown by Czochraski method.The growth technolo gy parameters were:the temperature gradient of 40℃/cm,the rotating rate of 30r/ m in and the growth speed of 1 2mm/h.The transmissibility of pure PWO crystal was 68%,where as that of Ce:Ge:PWO was 70%.The light yield of pure PWO and Ce:Ge:PWO was 9.5p.e./MeV and 14.6 p.e./MeV,respectively. 展开更多
关键词 ce:Ge:PWO TRANSMISSIBILITY light yield crystal pulling
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光折变KNSBN掺Cu晶体的生长 被引量:4
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作者 孙大亮 宋永远 +1 位作者 姜全忠 陈焕矗 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第2期110-113,共4页
用 Czochralski 技术生长了 A 位置非充满型 KNSBN 掺 Cu 晶体,提拉速度为4—8mm/h,转速为15—20r/min;沿提拉方向测量了温场分布,用氩离子激光器测量了晶体的高光折变性能。
关键词 晶体生长 knsbn 光折变 材料
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自发成核Bridgman法生长LaBr_3∶Ce晶体 被引量:8
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作者 史宏声 秦来顺 +3 位作者 魏钦华 陈晓峰 任国浩 舒康颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期231-233,共3页
本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达φ25mm×30mm的LaBr3∶Ce单晶,晶体透明,无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题,指出了原料处理的关键,并指出了自发成核条件下晶体最有可能的生长取向为[001]方向,该方向对抑制晶... 本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达φ25mm×30mm的LaBr3∶Ce单晶,晶体透明,无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题,指出了原料处理的关键,并指出了自发成核条件下晶体最有可能的生长取向为[001]方向,该方向对抑制晶体开裂非常有利。 展开更多
关键词 BRIDGMAN法 LaBr3:ce晶体 自发成核 晶体取向 晶体开裂
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