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近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究: 1; 作者蔺云介万奇 +4 位作者查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期72-75,共4页; 采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成... 展开更多; 关键词近空间升华法 cdznte外延厚膜 PL谱应变弛豫; 在线阅读下载PDF 职称材料

自支撑金刚石厚膜表面外延掺硼金刚石薄膜研究被引量：3: 2; 作者魏俊俊李成明 +4 位作者文星凯张建军刘金龙陈良贤黑立富《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3433-3438,共6页; 采用微波等离子体化学气相沉积技术(MPCVD),在抛光厚度0.5 mm的高热导率自支撑金刚石厚膜表面沉积厚度10μm掺硼金刚石薄膜,通过热导率测试仪、扫描电子显微镜、激光拉曼光谱、X射线光电子能谱以及四探针仪等测试手段对材料的热导率、... 展开更多; 关键词自支撑金刚石厚膜掺硼金刚石薄膜同质外延热导率电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究: 3; 作者苏虹査钢强 +1 位作者高俊宁介万奇《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期3322-3324,3328,共4页; 采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜... 展开更多; 关键词近空间升华法 cdznte厚膜薄膜探测器光电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析: 4; 作者赵璐冰于彤军 +3 位作者陆羽李俊杨志坚张国义《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期164-166,共3页; 异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量... 展开更多; 关键词氢化物气相外延厚膜弯曲 X射线; 在线阅读下载PDF 职称材料

液相外延生长Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3膜及生长机理研究: 5; 作者曾新华秦奋 +2 位作者姚忻徐家跃吴宪君《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期843-848,共6页; 采用PbO作助溶剂,我们在钛酸锶(STO)衬底上用液相外延方法生长了一层具有特定取向的PZNT岛状外延膜,并通过引入c轴取向的PZT过渡层后,使原来的岛状三维生长转变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了几个微米厚、较完整的PZNT膜。... 展开更多; 关键词 PZNT 厚膜液相外延晶体生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD多功能在线监测探头的设计与实现被引量：2: 6; 作者杨超普方文卿 +2 位作者刘明宝李春周春生《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期172-178,共7页; 根据MOCVD在线监测设备的发展需要,设计了一种多功能在线监测探头,能够同时实现带反射率修正的三种红外辐射测温以及两个波长的反射率曲线监测,即:940nm/1 550nm双波长比色测温、940nm单色辐射测温、1 550nm单色辐射测温、940nm反射率... 展开更多; 关键词光学设计在线监测红外测温外延 MOCVD 膜厚测量; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究: 1; 作者蔺云介万奇查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期72-75,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(51202197) 国家重点基础研究专项基金资助项目(2011CB610406); 文摘采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分析的结果表明,CdZnTe厚膜中无明显的Te夹杂相;X射线摇摆曲线、PL谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的CdZnTe外延膜;电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。; 关键词近空间升华法 cdznte外延厚膜 PL谱应变弛豫; Keywords thick epitaxial cdznte films CSS method PL strain relaxation; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名自支撑金刚石厚膜表面外延掺硼金刚石薄膜研究被引量：3: 2; 作者魏俊俊李成明文星凯张建军刘金龙陈良贤黑立富; 机构北京科技大学材料技术研究院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3433-3438,共6页; 基金国家自然科学基金(51272024) 中央高校基本科研业务费(FRF-TP-14-094A2); 文摘采用微波等离子体化学气相沉积技术(MPCVD),在抛光厚度0.5 mm的高热导率自支撑金刚石厚膜表面沉积厚度10μm掺硼金刚石薄膜,通过热导率测试仪、扫描电子显微镜、激光拉曼光谱、X射线光电子能谱以及四探针仪等测试手段对材料的热导率、形貌及微观质量、表面键合状态及导电性能等进行分析。结果表明,优化工艺后在自支撑金刚石厚膜表面外延形成了质量优异,结合力佳的掺硼金刚石薄膜,其电阻率最低为1.7×10^(-2)Ω·cm。同时,鉴于界面同质外延特性以及大尺寸晶粒特点,整体材料的热导率可高达1750 W/(m·K),显示这种层状复合材料良好的整体导热性能及表面导电性能。; 关键词自支撑金刚石厚膜掺硼金刚石薄膜同质外延热导率电导率; Keywords self-standing diamond film boron doped diamond film homoepitaxy thermal conductivity electrical conductivity; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究: 3; 作者苏虹査钢强高俊宁介万奇; 机构西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期3322-3324,3328,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50902113 50902114) +1 种基金国家重大科学仪器设备开发专项基金资助项目(2011YQ040082); 文摘采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增大;不同厚度的CdZnTe膜均表现出沿(111)晶面的择优生长;CdZnTe厚膜的禁带宽度在1.53～1.56eV之间;电阻率在1010Ω.cm数量级,具有较好的光电响应,试制的薄膜探测器可用作计数型探测器。; 关键词近空间升华法 cdznte厚膜薄膜探测器光电性能; Keywords closed-spaced sublimation cdznte thick film thin film detector photoelectric properties; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析: 4; 作者赵璐冰于彤军陆羽李俊杨志坚张国义; 机构北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期164-166,共3页; 文摘异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现得更为显著,小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。; 关键词氢化物气相外延厚膜弯曲 X射线; Keywords hydride vapor phase epitaxy(HVPE) GaN thick film curvature X-ray; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名液相外延生长Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3膜及生长机理研究: 5; 作者曾新华秦奋姚忻徐家跃吴宪君; 机构上海交通大学物理系中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期843-848,共6页; 基金上海市重点项目(No.02DJ14041)资助; 文摘采用PbO作助溶剂,我们在钛酸锶(STO)衬底上用液相外延方法生长了一层具有特定取向的PZNT岛状外延膜,并通过引入c轴取向的PZT过渡层后,使原来的岛状三维生长转变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了几个微米厚、较完整的PZNT膜。实验证明:在氧化镁和铝酸镧(001)基片以及STO(110)/(111)衬底上,PZNT晶粒以自发形核为主,外延生长膜主要呈现岛状形貌;取STO(001)衬底,膜颗粒取向一致性好,并可获得完整的PZNT膜。; 关键词 PZNT 厚膜液相外延晶体生长; Keywords PZNT thick film liquid phase epitaxy crystal growth; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD多功能在线监测探头的设计与实现被引量：2: 6; 作者杨超普方文卿刘明宝李春周春生; 机构商洛学院化学工程与现代材料学院商洛学院陕西省尾矿资源综合利用重点实验室南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期172-178,共7页; 基金国家高技术研究发展计划(No.2011AA03A101) 陕西省尾矿资源综合利用重点实验室开放基金(No.2014SKY-WK012) +1 种基金商洛市科技计划(No.SK2015-29)资助~~; 文摘根据MOCVD在线监测设备的发展需要,设计了一种多功能在线监测探头,能够同时实现带反射率修正的三种红外辐射测温以及两个波长的反射率曲线监测,即:940nm/1 550nm双波长比色测温、940nm单色辐射测温、1 550nm单色辐射测温、940nm反射率曲线以及1 550nm反射率曲线监测.对探头的比色测温性能进行测试分析,并利用该探头对Si(111)衬底在我国自主研发的MOCVD系统中生长InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片进行在线监测.结果分析表明:比色测温900℃~1 100℃范围内精度高于1℃;在700℃~1 100℃范围内重复性误差均在0.7℃内;距离容差性为2mm;三种红外测温最低量程均为435℃;并能有效避免探测孔有效面积变化的影响;由940nm反射率曲线得:n-GaN层的膜厚监测相对误差为3.6%.该设计能够同时实现MOCVD在线测温及膜厚测量,可为MOCVD在线监测设备开发提供参考.; 关键词光学设计在线监测红外测温外延 MOCVD 膜厚测量; Keywords Optical design In situ monitoring Infrared thermometry Epitaxial MOCVD Film thickness measurement; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学] TB96 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究	蔺云介万奇查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	自支撑金刚石厚膜表面外延掺硼金刚石薄膜研究	魏俊俊李成明文星凯张建军刘金龙陈良贤黑立富	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究	苏虹査钢强高俊宁介万奇	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析	赵璐冰于彤军陆羽李俊杨志坚张国义	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	液相外延生长Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3膜及生长机理研究	曾新华秦奋姚忻徐家跃吴宪君	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	MOCVD多功能在线监测探头的设计与实现	杨超普方文卿刘明宝李春周春生	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料