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题名近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究
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作者
苏虹
査钢强
高俊宁
介万奇
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机构
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第23期3322-3324,3328,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50902113
50902114)
+1 种基金
教育部新世纪优秀人才支持计划基金资助项目(NCET-10-0076)
国家重大科学仪器设备开发专项基金资助项目(2011YQ040082)
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文摘
采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增大;不同厚度的CdZnTe膜均表现出沿(111)晶面的择优生长;CdZnTe厚膜的禁带宽度在1.53～1.56eV之间;电阻率在1010Ω.cm数量级,具有较好的光电响应,试制的薄膜探测器可用作计数型探测器。
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关键词
近空间升华法
cdznte厚膜
薄膜探测器
光电性能
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Keywords
closed-spaced sublimation
cdznte thick film
thin film detector
photoelectric properties
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分类号
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究
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作者
蔺云
介万奇
查钢强
张昊
周岩
汤三奇
李嘉伟
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机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期72-75,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51202197)
国家重点基础研究专项基金资助项目(2011CB610406)
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文摘
采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分析的结果表明,CdZnTe厚膜中无明显的Te夹杂相;X射线摇摆曲线、PL谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的CdZnTe外延膜;电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
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关键词
近空间升华法
cdznte外延厚膜
PL谱
应变弛豫
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Keywords
thick epitaxial cdznte films
CSS method
PL
strain relaxation
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分类号
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
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