垂直Bridgman法生长Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的缺陷研究 被引量：3

1

作者 施凌云 张继军 +3 位作者 王林军 黄健 唐可 彭兰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期543-547,551,共6页

本文采用垂直布里奇曼（Bridgman）法生长了尺寸为30 mm×130 mm的Cd1-xMnxTe晶体,利用Nakagawa腐蚀液显示了晶体的位错、Te夹杂相和孪晶缺陷,并采用傅立叶变换红外光谱仪研究了晶体的红外透过率与晶体缺陷之间的关系。结果表明... 本文采用垂直布里奇曼（Bridgman）法生长了尺寸为30 mm×130 mm的Cd1-xMnxTe晶体,利用Nakagawa腐蚀液显示了晶体的位错、Te夹杂相和孪晶缺陷,并采用傅立叶变换红外光谱仪研究了晶体的红外透过率与晶体缺陷之间的关系。结果表明：生长态Cd1-xMnxTe晶体的位错密度为104~105cm-2,Te夹杂相密度为103~104cm-2,晶体中的孪晶主要为共格孪晶,孪晶面为{111}面,且平行于晶体生长方向。在入射光波数4000~500 cm-1范围,晶体的红外透过率为36.7%~55.3%,红外透过率越大,表明晶体的位错和Te夹杂相密度越低,晶体对该波长范围的红外光表现为晶格吸收和自由载流子吸收。 展开更多

关键词 cd1-xMnxte 位错 te夹杂相 孪晶 红外透过率

在线阅读 下载PDF 职称材料

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的貌相分析 被引量：2

2

作者 朱基千 李标 +3 位作者 褚君浩 陈新强 曹菊英 程继健 《华东理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期68-72,共5页

用扫描电子显微镜、能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明，衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差；生长... 用扫描电子显微镜、能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明，衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差；生长前衬底表面覆盖可以减轻其表面沾污，用适当的回熔ＬＰＥ工艺。 展开更多

关键词 貌相 液相外延 薄膜 HGcdte 红外探测器

在线阅读 下载PDF 职称材料

表面固定电荷对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响 被引量：1

3

作者 桂永胜 郑国珍 +2 位作者 褚君浩 郭少令 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期121-125,共5页

研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面固定电荷密度。

关键词 HGcdte 光导探测器 电压响应 光电子器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

Hg_(1-x)Cd_xTe的远红外透射光谱与晶格振动 被引量：1

4

作者 李标 褚君浩 +2 位作者 叶红娟 蒋伟 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期11-15,共5页

采用傅里叶变换红外光谱仪，在４．２～３００Ｋ、２０～３５０ｃｍ－１范围测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的远红外透射光谱，研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为．除了单声子及双声子模外。

关键词 远红外透射光谱 振动模 汞镉Ti

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构 被引量：1

5

作者 刘义族 于福聚 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期39-42,共4页

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T... 用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 展开更多

关键词 分子束外延法 Hg1-xcdxte-Hgte超晶格 cdte/Znte/GaAs异质结 双缓冲层生长 晶格结构 晶格生长

在线阅读 下载PDF 职称材料

Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器的电学参量分析

6

作者 桂永胜 郑国珍 +3 位作者 郭少令 蔡毅 褚君浩 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期317-321,共5页

测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用... 测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系。 展开更多

关键词 光导探测器 电学参量 SdH测定 汞镉碲

在线阅读 下载PDF 职称材料

Hg_（1－x）Cd_xTe液相外延薄膜的光致发光

7

作者 李标 常勇 +4 位作者 褚君浩 陈新强 曹菊英 唐文国 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期93-97,共5页

用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动。

关键词 光荧光 液相外延 HGcdte

在线阅读 下载PDF 职称材料

用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

8

作者 褚君浩 李标 +1 位作者 刘坤 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期81-86,共6页

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布。

关键词 红外透射谱 外延薄膜 HGcdte

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体的生长研究

9

作者 赵北君 朱世富 +6 位作者 李其峰 于丰亮 李正辉 朱兴华 邵双运 吴国立 陈松林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期86-,共1页

碲锌镉 (Cd1-xZnxTe)晶体是一种 80年代开始发展起来的性能优异的新型室温核辐射半导体探测器材料。其能隙大 (Eg=1 .70eV) ,主要成分Cd、Te原子序数高 ,电阻率高 ( 1 0 11Ω·cm) ,电子和空隙迁移率大 ( μe=1 1 0 0cm/V·s,μ... 碲锌镉 (Cd1-xZnxTe)晶体是一种 80年代开始发展起来的性能优异的新型室温核辐射半导体探测器材料。其能隙大 (Eg=1 .70eV) ,主要成分Cd、Te原子序数高 ,电阻率高 ( 1 0 11Ω·cm) ,电子和空隙迁移率大 ( μe=1 1 0 0cm/V·s,μh=1 0 0cm/V·s) ,能量探测范围宽 ( 1 0keV～6MeV) ,能量分辨率高 ,抗中子和质子辐射损伤阈值亦较高。用其制作的探测器、便携式谱仪和成像系统可在室温至 1 0 0℃温度范围内广泛用于X射线、γ射线探测、X射线荧光分析、工业产品检测、环境监测、核医学成像、海关安检、遥控监测、高能物理和天体物理等工业、医学、环保、国防和科技领域。碲锌镉晶体生长难度大。由于其导热率低 ,固液界面形状难以控制 ,易产生孪晶、位错等 ,难以获得适用于器件制作的大单晶体。我们将 6N的Cd、Zn、Te单质按Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4,0 .0 8,0 .1 2 ,0 .1 6 ,0 .2 0 )配料 ,采用熔体温度快速振荡新工艺 ,合成了单相致密的Cd1-xZnxTe多晶材料 ;并以此为原料在同一安瓿中于两温区立式炉中 ,采用坩埚旋转下降法生长出尺寸达1 0× 2 5～ 30mm的Cd1-xZnxTe( 0 .0 4～ 0 .2 0 )单晶体。典型的生长条件是 :固液界面附近温度梯度为 2 5℃ /cm ,旋转速度为 3r/min ,下降速率为 1 2mm/d。 展开更多

关键词 cd_(1-x)Zn_xte单晶 布里奇曼法 生长参数

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析

10

作者 常永勤 谷智 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期14-19,共6页

采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CM... 采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT B和CMT A两根晶锭 ,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0 9Mn0 展开更多

关键词 cd1-xMnxte BRIDGMAN法 ACRT-B法 微裂纹 位错 晶体生长 单晶 镉锰碲化合物 半导体材料 缺陷

在线阅读 下载PDF 职称材料

Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格的结构研究

11

作者 于福聚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期239-,共1页

红外技术正在从机械扫描成像系统向新一代固体成像系统过渡。Hg1 xCdxTe红外焦平面列阵器件是最佳选择。它的禁带宽度随组分在 0～ 1 .6eV之间可调 ,也就是说 ,它可做成多种响应波长的红外探测器 ,而且其探测率要比GaAs量子阱、InSb都... 红外技术正在从机械扫描成像系统向新一代固体成像系统过渡。Hg1 xCdxTe红外焦平面列阵器件是最佳选择。它的禁带宽度随组分在 0～ 1 .6eV之间可调 ,也就是说 ,它可做成多种响应波长的红外探测器 ,而且其探测率要比GaAs量子阱、InSb都要高出一个多数量级。当然Hg1 xCdxTe材料也有某些缺点 ,例如难以做到大面积结构完整、组分均匀 ,难以控制其截止波长 ,并且暗电流较大等。与Hg1 xCdxTe体材料相比 ,Hg1 xCdxTe HgTe超晶格可以通过调节HgTe层和Hg1 xCdxTe层的相应厚度来控制其截止波长 ,而且还有暗电流小等优点。因此Hg1 xCdxTe HgTe超晶格材料不仅在研制长波和超长波红外量子阱探测器方面有潜在优势 ,而且在研制MIS红外器件方面也显示出优越性 (Hg1 xCdxTe HgTe超晶格MIS器件的击穿电压比Hg1 xCdxTe体材料MIS器件的还高 )。Fauriep和Becker等人对Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的制备工艺进行了研究 ,Tardotp等人研究了CdTe HgTe超晶体中Hg和Cd的互扩散 ,而且Hg1 xCdTe -HgTe的结构特征和光电特性的研究引起了广泛关注。研究MBE法生长的Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的结构特征 ,可弄清结构缺陷的生长机制和分布规律 ,并有助于研究晶体生长的机理。本文介绍了用X射线衍射测定Hg1 xCdxTe HgTe超晶格样品在 ( 0 0 2 )附近? 展开更多

关键词 分子束外延生长 Hg_(1-x)cd_xte-Hgte超晶格 X射线衍射

在线阅读 下载PDF 职称材料

n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

12

作者 周洁封 松林 +3 位作者 卢励吾 司承才 李言谨 胡晓宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期29-32,共4页

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ... 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式。 展开更多

关键词 复合中心 深能级瞬态谱 HGcdte

在线阅读 下载PDF 职称材料

固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试

13

作者 涂步华 方维政 +3 位作者 刘从峰 孙士文 杨建荣 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期853-856,共4页

利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品。通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停电自然降温后,在固液界面附近存在一个... 利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品。通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停电自然降温后,在固液界面附近存在一个明显的组份过度区,正常凝固的晶体组份分布比较均匀,而快速凝固的结晶区域轴向组份分布梯度较大,同时,通过X-Ray测试结果进一步准确判断固液界面的位置。 展开更多

关键词 cd1-xznxte 快速降温 Zn组份 X-RAY

在线阅读 下载PDF 职称材料

表面处理对CdZnTe晶片漏电流的影响

14

作者 邱春丽 赵北君 +3 位作者 朱世富 丁群 何知宇 陈宝军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期100-104,共5页

采用EDS、XPS、I-V等方法研究了Cd1-xZnxTe(CZT)表面处理工艺与晶片漏电流之间的相互关系。结果表明,机械抛光后的CZT晶片存在损伤层,采用5%BM溶液腐蚀可有效去除损伤层,得到光滑无划痕的表面,但腐蚀后晶片表面组成偏离化学计量配比,随... 采用EDS、XPS、I-V等方法研究了Cd1-xZnxTe(CZT)表面处理工艺与晶片漏电流之间的相互关系。结果表明,机械抛光后的CZT晶片存在损伤层,采用5%BM溶液腐蚀可有效去除损伤层,得到光滑无划痕的表面,但腐蚀后晶片表面组成偏离化学计量配比,随腐蚀时间的延长表面呈现富Te现象,晶体表面漏电流随之增大1～2个数量级;采用KOH溶液对BM抛光后的晶片进一步腐蚀10min,可消除多余的Te得到接近于化学计量比的表面;采用NH4F/H2O2溶液对晶片表面进行钝化,XPS分析表明样品表面的Te0或Te2-被氧化成Te4+,形成高阻氧化层。I-V测试结果表明晶片经KOH+NH4F/H2O2溶液两步钝化后,表面漏电流相对于BM抛光后降低2～3个数量级,具有较好的钝化效果。 展开更多

关键词 cd1-xznx te晶片 表面处理 钝化 XPS分析 漏电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响 被引量：1

15

作者 王仍 焦翠灵 +6 位作者 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1064-1067,共4页

利用气相外延技术在Cd Zn Te衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度Cd Zn Te衬底上的外延结果发现,Cd Zn Te衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对... 利用气相外延技术在Cd Zn Te衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度Cd Zn Te衬底上的外延结果发现,Cd Zn Te衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>Cd Zn Te晶向的衬底,(111)Cd面Cd Zn Te衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面Cd Zn Te衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。 展开更多

关键词 Hg1-xcdxte晶体 cdZnte衬底 (111)cd面 (111)te面

在线阅读 下载PDF 职称材料

短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响

16

作者 胡新文 李向阳 +4 位作者 王勤 陆慧庆 赵军 方家熊 张胜坤 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期108-112,共5页

利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷．根据深能级的有关参... 利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷．根据深能级的有关参数，估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ． 展开更多

关键词 导纳谱 缺陷能级 汞镉碲 光电二极管 红外器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cd饱和气氛退火对碲锌镉晶体导电类型转变界面的影响 被引量：3

17

作者 袁绶章 赵文 +3 位作者 孔金丞 姜军 赵增林 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2021年第6期517-522,共6页

在富Te生长条件下,通过垂直布里奇曼法制备的部分碲锌镉晶体内存在导电类型转变界面。采用富Te液相外延技术在含有导电类型转变界面的碲锌镉衬底上生长碲镉汞薄膜,制成的红外焦平面探测器响应图上存在明显的响应不均匀分界面。碲锌镉晶... 在富Te生长条件下,通过垂直布里奇曼法制备的部分碲锌镉晶体内存在导电类型转变界面。采用富Te液相外延技术在含有导电类型转变界面的碲锌镉衬底上生长碲镉汞薄膜,制成的红外焦平面探测器响应图上存在明显的响应不均匀分界面。碲锌镉晶体的导电类型转变由缺陷类型的不同引起,为消除碲锌镉衬底的导电类型转变界面,提升碲镉汞红外焦平面的成像质量,对含有导电类型转变界面的碲锌镉晶体进行了Cd饱和气氛退火实验,研究了时间和温度等退火条件对晶体导电类型转变界面的影响,探讨了Cd间隙和Cd空位缺陷的形成机制,为晶体生长过程中的Cd空位缺陷抑制提出了解决思路。 展开更多

关键词 碲锌镉 导电类型转变界面 退火 cd源

在线阅读 下载PDF 职称材料

碲镉汞体材料的显微Raman光谱 被引量：3

18

作者 黄晖 唐莹娟 +3 位作者 许京军 张存洲 潘顺臣 张光寅 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期37-41,共5页

利用Raman显微镜测量了ACRT Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱 ,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模 ,由此证明了碲镉汞按晶格振动的分类方法属于二模混晶 ;识别出了一个来源于... 利用Raman显微镜测量了ACRT Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱 ,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模 ,由此证明了碲镉汞按晶格振动的分类方法属于二模混晶 ;识别出了一个来源于类HgTe的TO1模 +LO1模的二级Raman散射峰 ;观察到了碲镉汞体材料中两个新的Raman散射峰 ,分别位于 6 6 2cm- 1和 74 9cm- 1;观察到了碲镉汞基本光学振动模的TO1模与LO1模的Raman散射强度比的变化 ,指出该现象是由于Ra 展开更多

关键词 碲镉汞晶体 显微Raman光谱 光学振动膜 RAMAN散射

在线阅读 下载PDF 职称材料

短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响

19

作者 史衍丽 陈铁金 +1 位作者 冯文清 吴兴惠 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期443-447,共5页

用波长以１８４９和２５３７为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射，结果表明，器件探测率和响应率显著提高．

关键词 光电导探测器 碲镉汞 短波紫外光 红外探测器

在线阅读 下载PDF 职称材料

用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级

20

作者 李向阳 胡燮荣 +1 位作者 赵建华 方家熊 《红外技术》 CSCD 北大核心 1997年第2期5-8,共4页

获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率和载流子浓度与温度的关系。

关键词 HGcdte 深能级 载流子浓度 迁移度 红外光学材料

在线阅读 下载PDF 职称材料