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1
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器 |
李永
赵正平
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《半导体技术》
北大核心
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2025 |
0 |
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2
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机 |
李永
赵正平
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《半导体技术》
北大核心
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2025 |
0 |
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3
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端 |
李永
赵正平
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《半导体技术》
北大核心
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2025 |
0 |
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4
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RFCMOS、BiCMOS的新进展(四)——振荡器、混频器与频率综合器 |
李永
赵正平
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《半导体技术》
北大核心
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2025 |
0 |
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5
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面向超表面天线设计的95~105 GHz SiGe BiCMOS宽带数控衰减器 |
罗将
张文柱
程强
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《电子与信息学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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6
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基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路 |
李飞
吴洪江
龚剑
曹慧斌
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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7
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BiCMOS三态输出门电路的设计、制备及应用 |
成立
李彦旭
董素玲
汪洋
唐平
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
10
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8
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一种2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器 |
阮颖
刘炎华
陈磊
赖宗声
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《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
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2011 |
5
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9
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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 |
王振宇
成立
高平
史宜巧
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《电讯技术》
北大核心
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2003 |
8
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10
|
采用输入信号适配技术的BiCMOS运放 |
杨宁
成立
王改
吴衍
王鹏程
王振宇
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
3
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11
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0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器 |
严鸣
成立
奚家健
丁玲
杨泽斌
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
3
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12
|
SiGe BiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究 |
安恒
张晨光
杨生胜
薛玉雄
王光毅
王俊
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《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
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2019 |
2
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13
|
用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM |
董素玲
成立
王振宇
高平
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
4
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14
|
一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计 |
王瑾
田泽
李攀
周密
刘力军
唐宏震
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《现代电子技术》
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2007 |
6
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15
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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器 |
张翼
沈宇
李晓鹏
杨磊
刘中华
郭宇锋
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《南京邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
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2019 |
2
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16
|
BiCMOS技术在通信领域的研究与进展 |
成立
高平
王振宇
史宜巧
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《电讯技术》
北大核心
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2004 |
2
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17
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基于BiCMOS的低电压全差分对数域积分器设计 |
蔡理
马西奎
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
3
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18
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基于PNP-PNP的二值BiCMOS通用驱动电路设计 |
姚茂群
沈继忠
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《浙江大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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19
|
一种改进型BiCMOS带隙基准源的仿真设计 |
周洋
成立
张雷
张静
倪雪梅
王振宇
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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20
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单电源BiCMOS四象限模拟乘法器的研究与设计 |
王进军
史永胜
杨锋
阎晓莺
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《西北大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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