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分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究
1
作者
沈川
杨辽
+4 位作者
刘仰融
卜顺栋
王高
陈路
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期799-803,共5页
对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火...
对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,原位As掺杂HgCdTe的As浓度的大小和纵向分布随着不同的Hg分压而发生改变。并通过理论计算获得了不同Hg分压下的As扩散系数。同时,通过数值模拟对不同As扩散长度的P-on-N器件结构进行了暗电流模拟,验证了As掺杂结深推进工艺的重要性。
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关键词
碲镉汞
as扩散
热退火
暗电流
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职称材料
题名
分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究
1
作者
沈川
杨辽
刘仰融
卜顺栋
王高
陈路
何力
机构
中科院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室
国科大杭州高等研究院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期799-803,共5页
基金
中国科学院青年创新促进会项目
上海市自然科学基金资助项目(21ZR1473500)。
文摘
对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,原位As掺杂HgCdTe的As浓度的大小和纵向分布随着不同的Hg分压而发生改变。并通过理论计算获得了不同Hg分压下的As扩散系数。同时,通过数值模拟对不同As扩散长度的P-on-N器件结构进行了暗电流模拟,验证了As掺杂结深推进工艺的重要性。
关键词
碲镉汞
as扩散
热退火
暗电流
Keywords
HgCdTe
As diffusion
thermal annealing
dark current
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究
沈川
杨辽
刘仰融
卜顺栋
王高
陈路
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
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