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退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响 被引量：1
1
作者 许小亮 施朝淑 +3 位作者 陈永虎 Luo E Z Sundaravel B Wilson I H 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期84-91,共8页
首次报道了用不同浓度的Ａｌ离子注入于蓝宝石衬底上的ＧａＮ薄膜（注入能量为５００ｋｅＶ、注入浓度为１０１４～１０１５　ｃｍ－２），　　在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在１２Ｋ下用Ｈｅ－Ｃｄ... 首次报道了用不同浓度的Ａｌ离子注入于蓝宝石衬底上的ＧａＮ薄膜（注入能量为５００ｋｅＶ、注入浓度为１０１４～１０１５　ｃｍ－２），　　在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在１２Ｋ下用Ｈｅ－Ｃｄ　激光（３２５ｎｍ）激发得到其发射谱。结果显示，　经大剂量Ａｌ注入后的样品，其光致发光谱中３．４５ｅＶ的带边激子发光以及２．９　～　３．３ｅＶ的４个声子伴随峰消失。此表明大剂量Ａｌ注入对ＧａＮ的晶体结构造成严重的损伤，以致本征发光消失。经１０１４ｃｍ－２剂量Ａｌ注入后的样品，在Ｎ２气氛中退火处理后，２．２ｅＶ缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且，经常规退火处理后，此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好（其积分光强高３倍）。相似的结果亦显示于１０１５　ｃｍ－２　浓度的Ａｌ　注入的样品。２．２ｅＶ　黄色荧光源于ＧａＮ的缺陷（如Ｇａ空位（ＶＧａ），　或ＶＧａＨ２，或ＶＧａ－ＯＮ　复合体），其能级位于价带顶以上约１．１ｅＶ处。荧光发射可以来自"导带缺陷能级"的跃迁，也可能来自浅施主（如Ｎ位Ｏ，能级位于导带下～１０　ｍｅＶ）至上述缺陷能级之间的跃迁。Ｉ－Ｖ　测量显示，Ａｌ的注入区成为　～　１０? 展开更多
关键词 al离子注入 GAN 发光特性 退火 铝离子注入 氮化镓 电子陷阱
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