本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将...本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将所建模型应用于V波段的预失真线性化器加以验证。实测显示所建SDD模型相比于厂商所提供的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)参数模型对于线性化器在不同温度下的幅度相位曲线具有更高的一致性。展开更多
文摘本文利用ADS(advanced design system)软件建立了太赫兹肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)模型。该模型基于肖特基二极管的半导体理论,采用方程的形式来描述端口的特性。仿真得到的I-V曲线与实测结果有很高的吻合度,C-V曲线也与理论预测一致,最后将该SDD模型应用到一个140-160GHz理想平衡式二倍频器中,仿真得到的效率大于76.5%。当用与之参数一致的ADS自带的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)模型代替后,二者的仿真结果具有很高的一致性。这说明了该SDD模型的准确性。相对于一般的spice模型,该SDD二极管模型的优势是结构简单、灵活性高,可根据用户需要灵活调整所有的方程和参数。
文摘本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将所建模型应用于V波段的预失真线性化器加以验证。实测显示所建SDD模型相比于厂商所提供的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)参数模型对于线性化器在不同温度下的幅度相位曲线具有更高的一致性。
