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激光探针法研究高压硅pn结表面电场
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作者 田敬民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期54-58,共5页
本文介绍一种新的高压硅pn结表面电场的测试方法,即激光探针法,对该测试法的装置与测试原理以及在研究高压pn硅结表面中的应用做了介绍,并对实验结果进行了讨论.
关键词 激光探针法 高压硅 PN结
全文增补中
红外光谱分析在高压硅器件表面保护材料固化工艺研究中的应用
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作者 冯玉柱 张少云 徐传骧 《绝缘材料通讯》 CAS 1989年第5期37-40,共4页
一、前言半导体表面,特别是高压硅器件的p-n结表面,对污染极为敏感,表面沾污严重地影响着硅器件的性能。因此,经过磨角,腐蚀后的半导体表面,必须用表面保护材料保护起来,因而,保护材料的性能直接影响着器件的性能。
关键词 高压硅器件 红外光谱分析 保护材料
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高压硅整流变压器结构的改进
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作者 沈金麟 王祝华 《工矿自动化》 北大核心 2004年第1期38-39,共2页
介绍电除尘器用的高压硅整流变压器主绝缘结构的改进方法和装配工艺 ,并对改进前后主绝缘的绝缘强度。
关键词 整流变压器 高压硅 主绝缘 油隙 改进
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电力电子硅器件有机保护材料及界面特性的研究
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作者 张峰 《绝缘材料通讯》 1997年第3期24-26,共3页
根据高压硅器件表面有机介质绝缘保护的特点,结合电镜分析手段,实验研究了高压硅pn结的有机SP硅漆-硅pn结界面,有机硅JUS-Si界面特性,并根据他们的分子结构式,反应类型,以及应用中交联度等几个方面区别,进行了分析讨论,同时也... 根据高压硅器件表面有机介质绝缘保护的特点,结合电镜分析手段,实验研究了高压硅pn结的有机SP硅漆-硅pn结界面,有机硅JUS-Si界面特性,并根据他们的分子结构式,反应类型,以及应用中交联度等几个方面区别,进行了分析讨论,同时也对材料的电气性能进行了试验比较。 展开更多
关键词 高压硅 有机保护材料 PN结 半导体器件 试验
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高反压极小漏电流的微型硅堆SLD的研制
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作者 赵克威 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第6期26-29,共4页
用于军品微光象增强器高倍压电源的微型硅堆,具有高反压V_r≥5000V,极小反向漏电流I_r≤0.005μA、高可靠、外型小等优良特性。因此,研制和生产有较大难度。本文主要介绍了该特种器件的设计、研制和主要工艺特点,并介绍了研制结果。
关键词 SLD 高压整流堆 微光夜视仪
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电视差转机及发射机的电源简述
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作者 高进 《中国电化教育》 北大核心 1994年第3期41-41,共1页
关键词 电视差转机 集成稳压器 发射机功率 三相桥式 灯丝电压 稳压电路 电子设备工作 激励器 纹波系数 高压硅
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