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SiC-MESFET器件的夹断电压: 1; 作者王守国张义门 +2 位作者张玉明张志勇阎军锋《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期26-28,共3页; 考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好。; 关键词 SiC—MESFET器件夹断电压碳化硅界面态反向漏电流非完全离化; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SiC-MESFET器件的夹断电压	王守国张义门张玉明张志勇阎军锋	《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料

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