静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究 被引量：12

1

作者 贺朝会 杨海亮 +4 位作者 耿斌 陈晓华 李国政 刘恩科 罗晋生 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期253-257,共5页

描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准... 描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能 ,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为 1 0 - 1 4 cm2 / bit量级 ,随质子能量的增大略有增大。 展开更多

关键词 静态随机存取存储器 质子 单粒子效应 束流测量

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静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究 被引量：9

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作者 贺朝会 耿斌 +9 位作者 王燕萍 杨海亮 张正选 陈晓华 李国政 路秀琴 符长波 赵葵 郭继宇 张新 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期155-157,142,共4页

应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随... 应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 展开更多

关键词 静态随机存取存储器 重离子加速器 单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源 实验研究

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基于静态随机存取存储器的存内计算研究进展 被引量：1

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作者 蔺智挺 徐田 +6 位作者 童忠瑱 吴秀龙 汪方铭 彭春雨 卢文娟 赵强 陈军宁 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第11期4041-4057,共17页

随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于... 随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于“算力时代”具有革命性意义。由于静态随机存取存储器(SRAM)读取数据的速度快且与先进逻辑工艺具有较好的兼容性,因此基于SRAM的存内计算技术受到国内外学者的关注。该文主要概述了基于SRAM的存内计算技术在机器学习、编码、加解密算法等方面的应用;回顾了实现运算功能的各种电路结构,比较了各类以模数转换器(ADC)为核心的量化技术;之后分析了现有存内计算架构面临的挑战并且给出了现有的解决策略,最后从不同方面展望存内计算技术。 展开更多

关键词 静态随机存取存储器 存内计算 人工智能 卷积神经网络 模数转换器

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静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制

4

作者 陈瑞 杨忱 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1209-1211,1245,共4页

由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。通过对SRAM芯片电流的检测、断电保护,解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题,利用该装置在... 由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。通过对SRAM芯片电流的检测、断电保护,解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题,利用该装置在不同的辐射实验源上对SRAM进行辐射效应实验研究,获得了预期的实验数据。为星载计算机系统存储器的运行寿命评估及加固设计提供重要参考依据。 展开更多

关键词 静态随机存取存储器 辐射效应 单粒子翻转 单粒子锁定 测试系统

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最小静态随机存取存储器元件研制成功

5

《世界电子元器件》 2009年第1期10-10,共1页

日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0．128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。

关键词 静态随机存取存储器 元件 日本东芝公司 AMD公司 SRAM IBM 晶体管

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应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计

6

作者 柏娜 李钢 +1 位作者 许耀华 王翊 《电子与信息学报》 2025年第3期850-858,共9页

随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个... 随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个敏感节点,使用金属氧化物半导体(MOS)管堆叠结构,较大提高了单元的稳定性。在65 nm CMOS工艺下仿真证明该单元可以解决SEU和SEMNU问题。相比于SARP12T,LWS14T,SAR14T,RSP14T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的保持静态噪声容限(HSNM)分别提升了1.4%,54.9%,58.9%,0.7%,59.1%和107.4%。相比于SARP12T,RH12T,SAR14T,RSP14T,S8N8P16T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的读取静态噪声容限(RSNM)分别提升了94.3%,31.4%,90.3%,8.9%,71.5%,90.4%和90.3%。相较于SAR14T,RSP14T和EDP12T,MNRS16T的保持功率(Hpwr)降低了24.7%,33.9%和25.7%。 展开更多

关键词 单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器

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存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法

7

作者 刘必慰 熊琪 +1 位作者 杨茗 宋雨露 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期198-203,共6页

为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷... 为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷举组合进行存储体编译,根据时序余量选择最优的静态随机存取存储器存储体编译配置。将该方法与现有的物理设计步骤集成为一个完整的设计流程。实验结果表明,该方法能够降低约9.9%的功耗,同时缩短7.5%的关键路径延时。 展开更多

关键词 片上缓存 静态随机存取存储器 协同设计 低功耗

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基于V93000系统的高速QDR SRAM存储器测试方法 被引量：3

8

作者 王征宇 马锡春 《电子质量》 2019年第12期12-17,共6页

为满足当今的高速网络中高带宽、高密度存储器要求,四倍数据速率静态随机存取存储器(QDR SRAM)广泛应用于路由器、交换机、集成器、网络卡等互联网设备中。QDR SRAM在双倍数据速率存储器(DDR)的基础上,具有独立的数据输入端口和数据输... 为满足当今的高速网络中高带宽、高密度存储器要求,四倍数据速率静态随机存取存储器(QDR SRAM)广泛应用于路由器、交换机、集成器、网络卡等互联网设备中。QDR SRAM在双倍数据速率存储器(DDR)的基础上,具有独立的数据输入端口和数据输出端口,在脉冲信号的上升沿和下降沿都可以处理数据资料,读写控制、读写地址分离,与DDR相比操作起来更简便。但同时QDR因其数据传输速率高、存储容量较大,使得如何对其性能进行精确评价成为存储器类器件测试的一个亟待解决的难题。文中以GSI公司的GS81302D37GE-300I型芯片为例,介绍了一种基于爱德万公司V93000测试系统进行高速QDR SRAM电路测试的方法,依托V93000测试系统的可编程阻抗匹配特性及存储器专用测试软件包等对其性能进行高效、准确地评价,以满足高速QDR SRAM各项指标的评估要求。 展开更多

关键词 四倍数据速率静态随机存取存储器 附加存储器测试 测试向量

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nvSRAM：存储器

9

《世界电子元器件》 2011年第5期33-33,共1页

赛普拉斯半导体公司推出串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），该存储器具有I^2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz（SPI器件）和3．4MHz（12C器件）。同时，用户还可以选择集成实时... 赛普拉斯半导体公司推出串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），该存储器具有I^2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz（SPI器件）和3．4MHz（12C器件）。同时，用户还可以选择集成实时时钟（RTC），用于给重要的数据打上时间标记，以便备份。 展开更多

关键词 静态随机存取存储器 NVSRAM 赛普拉斯半导体公司 SPI接口 非易失性 I^2C 汽车应用 工作频率

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40/28纳米存储器IP技术综述

10

作者 陈宏铭 张昭勇 《中国集成电路》 2018年第4期31-36,共6页

本文介绍了28nm/40nm存储器I P的设计挑战及智原科技提供的相应解决方案。硅验证的结果也证明了有效性。这些技术包括:ROM设计裕度改进、SRAM读写辅助方案、在低VCC电压自适跟踪的检测裕度控制方案和在双端口SRAM中同时访问双端口时单... 本文介绍了28nm/40nm存储器I P的设计挑战及智原科技提供的相应解决方案。硅验证的结果也证明了有效性。这些技术包括:ROM设计裕度改进、SRAM读写辅助方案、在低VCC电压自适跟踪的检测裕度控制方案和在双端口SRAM中同时访问双端口时单元电流增强。所提出的方法都是对工艺参数波动容忍,适合编译器的有效解决方案并减少面积开销。 展开更多

关键词 静态随机存取存储器 负位线 半选择干扰 字线下驱动 升压字线

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新型低电压SRAM读写辅助电路设计

11

作者 刘勇 彭春雨 《中国集成电路》 2025年第1期54-58,64,共6页

随着微处理器对低功耗与高能效需求的增长,SRAM作为其主要功耗与面积来源,优化SRAM功耗至关重要。降低电源电压是降低功耗的重要方法,但也会严重影响SRAM的读写性能。针对此问题,本文提出了一种新型读写辅助电路结构,该结构可以增强写... 随着微处理器对低功耗与高能效需求的增长,SRAM作为其主要功耗与面积来源,优化SRAM功耗至关重要。降低电源电压是降低功耗的重要方法,但也会严重影响SRAM的读写性能。针对此问题,本文提出了一种新型读写辅助电路结构,该结构可以增强写入能力和加快位线放电速度。此电路通过在写入期间将字线电压先升至欠驱电压后升至过驱电压,以在确保稳定性的同时加强写能力;在读取时,轻微提高字线电压至高于VDD电压,从而加快位线放电速度,增大两条位线电压差值,从而提高SRAM的可靠性。仿真结果表明,提出的结构可以将最小工作电压降低至0.4V,相比未使用辅助电路的结构写能力提升一倍以上,字线打开相同的一段时间,两条位线电压差值可以增加40%以上。相比于传统结构在各自最小电压下功耗可降低20%以上,而相比于在标准电压下的传统结构,功耗可降低70%以上,且只增大3%的面积。 展开更多

关键词 低电压 低功耗 静态随机存取存储器(SRAM) 读写辅助电路

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SRAM型FPGA的静态与动态单粒子效应试验 被引量：6

12

作者 王忠明 姚志斌 +1 位作者 郭红霞 吕敏 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1506-1510,共5页

静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在空间电子设备中取得了广泛的应用。但它内部大量的SRAM型存储单元极易发生单粒子软错误,特别是配置存储器中的单粒子翻转,有可能改变整个电路的结构,给其空间应用带来严重的可靠性... 静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在空间电子设备中取得了广泛的应用。但它内部大量的SRAM型存储单元极易发生单粒子软错误,特别是配置存储器中的单粒子翻转,有可能改变整个电路的结构,给其空间应用带来严重的可靠性问题。因此,有必要开展地面加速器模拟试验以评价该器件对单粒子效应的敏感程度,且对系统在空间中的失效行为进行预估。本工作在重离子加速器上对Xilinx的Virtex系列FPGA进行了单粒子效应试验,取得了典型器件的静态单粒子翻转截面曲线。针对3个测试电路进行的动态测试表明,系统的失效率远低于内部存储器发生翻转的频率,也不能简单地用资源占用率来进行估计。 展开更多

关键词 单粒子效应 单粒子翻转 现场可编程门阵列 静态随机存取存储器

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大数据中心固态存储技术研究

13

作者 郎为民 安海燕 +1 位作者 姚晋芳 赵毅丰 《电信快报（网络与通信）》 2018年第2期1-5,共5页

比较SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)、闪存、磁盘和磁带等存储技术的性能,描述存储器层次结构,分析大数据中心云存储系统部署固态硬盘需克服的限制条件及两种用于遏制写入放大的技术,列举RAMCloud和Memcached两大... 比较SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)、闪存、磁盘和磁带等存储技术的性能,描述存储器层次结构,分析大数据中心云存储系统部署固态硬盘需克服的限制条件及两种用于遏制写入放大的技术,列举RAMCloud和Memcached两大实例,说明一致性散列算法的原理和应用。 展开更多

关键词 大数据中心 固态存储 SRAM(静态随机存取存储器) DRAM(动态随机存取存储器) RAMCloud MEMCACHED

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65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究 被引量：2

14

作者 陈凤娇 简文翔 +2 位作者 董庆 袁瑞 林殷茵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期613-618,共6页

65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、... 65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。 展开更多

关键词 工艺波动 传统静态指标 静态随机存取存储器 测试结构 四端结构

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基于Cadence软件下的SRAM 6T存储单元的介绍与设计

15

作者 张斐洋 《中国新通信》 2017年第22期74-77,共4页

文章主要以静态随机存储区(SRAM)6T存储单元为基础,首先介绍了6T存储单元的基本结构与工作原理,并总结了其优缺点。然后使用cadence软件中的Virtuoso@Schematic Editing对6管单元电路进行设计以实现读写的基本功能。最后在单管电路的基... 文章主要以静态随机存储区(SRAM)6T存储单元为基础,首先介绍了6T存储单元的基本结构与工作原理,并总结了其优缺点。然后使用cadence软件中的Virtuoso@Schematic Editing对6管单元电路进行设计以实现读写的基本功能。最后在单管电路的基础上,通过外围电路的搭建与体系结构的设计,实现一款基于深亚微米CMOS工艺下的128×8位的SRAM设计。 展开更多

关键词 静态随机存取存储器 CMOS 6管单元 深亚微米SRAM设计 电路仿真

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FinFET器件单粒子翻转物理机制研究评述

16

作者 王仕达 张洪伟 +2 位作者 唐民 梅博 孙毅 《航天器环境工程》 CSCD 2024年第2期225-233,共9页

鳍式场效应晶体管(FinFET)器件由于其较高的集成度以及运算密度,已成为未来航天应用领域的重要选择。FinFET器件的辐射敏感性与其制作工艺和工作条件息息相关。为了解FinFET器件的单粒子翻转(SEU)敏感机制,文章结合国内外开展的相关研究... 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件由于其较高的集成度以及运算密度,已成为未来航天应用领域的重要选择。FinFET器件的辐射敏感性与其制作工艺和工作条件息息相关。为了解FinFET器件的单粒子翻转(SEU)敏感机制,文章结合国内外开展的相关研究,从SEU机理出发,分析了器件特征尺寸、电源电压和入射粒子的线性能量传输(LET)值等不同条件对器件SEU敏感性的影响,最后结合实际对FinFET器件SEU的研究发展方向进行展望。 展开更多

关键词 鳍式场效应晶体管 单粒子翻转 软错误率 静态随机存取存储器

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一种SRAM-FPGA在轨重构的工程实现方案 被引量：12

17

作者 庞波 郝维宁 +2 位作者 张文峰 徐勇 朱剑冰 《航天器工程》 CSCD 北大核心 2017年第5期51-56,共6页

针对航天器电子系统在实际工程中要解决的星载资源受限、长寿命、高可靠等特殊问题,文章提出了一种基于静态随机存取存储器型现场可编程门阵列(SRAM-FPGA)在轨重构的方法及工程实施方案,对如何保证数据可靠传输与可靠存储等关键问题进... 针对航天器电子系统在实际工程中要解决的星载资源受限、长寿命、高可靠等特殊问题,文章提出了一种基于静态随机存取存储器型现场可编程门阵列(SRAM-FPGA)在轨重构的方法及工程实施方案,对如何保证数据可靠传输与可靠存储等关键问题进行了讨论,并且给出了在某卫星工程中的具体设计方案和在轨验证情况。结果表明,采取的重构设计圆满完成了目标FPGA的功能升级以及在轨实时刷新,工作稳定正常,可以为其他航天器电子系统设计提供参考。 展开更多

关键词 基于静态随机存取存储器型现场可编程门阵列 在轨重构 高可靠

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用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4

18

作者 董素玲 成立 +1 位作者 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成... 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。 展开更多

关键词 0.8μm工艺技术 静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件 输入/输出电路 地址译码器

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边界扫描SRAM簇板级互连测试研究 被引量：1

19

作者 李桂祥 刘明云 +1 位作者 杨江平 项建涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期61-66,共6页

由于边界扫描结构的复杂与费用的关系,在现代电子电路中广泛使用的静态随机存取存储器还很少包含边界扫描结构。本文提出了一种能完全实现SRAM簇互连测试的方法,该方法能检测SRAM簇控制线、数据线和地址线的板级互连故障,且测试长度较短。

关键词 边界扫描 SRAM簇 板级互连 静态随机存取存储器 测试

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基于CPLD的LCOS场序彩色视频控制器设计 被引量：1

20

作者 宋丹娜 代永平 +1 位作者 刘艳艳 商广辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期541-546,共6页

针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的... 针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的红、绿、蓝视频数据转换为红、绿、蓝子场数据,从而实现场序彩色显示。设计中采用了降低刷新频率的技术,降低了系统功耗。最后运用EDA工具进行了综合仿真。 展开更多

关键词 场序彩色显示 复杂可编程逻辑器件 静态随机存取存储器 乒乓操作

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