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基于牛顿-蚁群算法与选择性谐波调制的电网功率放大器宽频控制策略 被引量:1
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作者 代子阔 史可鉴 +3 位作者 赵晨星 张天成 徐妍 汪诚 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2024年第16期97-109,共13页
选择性谐波消除/生成脉宽调制技术能与多电平电力电子变换器相结合,实现低开关频率下的高频电网谐波功率复现。然而,为生成特定次谐波,需要求解非线性开关角方程,其求解精度受开关角初值选取约束,且实时性随着谐波次数的增加而降低。因... 选择性谐波消除/生成脉宽调制技术能与多电平电力电子变换器相结合,实现低开关频率下的高频电网谐波功率复现。然而,为生成特定次谐波,需要求解非线性开关角方程,其求解精度受开关角初值选取约束,且实时性随着谐波次数的增加而降低。因此提出一种基于牛顿-蚁群算法的实时选择性谐波生成脉宽调制技术。通过建立开关角方程,利用蚁群算法求解初值,进一步结合牛顿算法获得不同开关频率及计算步长对应的最多谐波数目,并分析得到调制比-开关角对应关系。通过查找表获得初始开关角,并前馈至电压控制环路,实现对特定次谐波的无静差跟踪。最后以级联H桥多电平变换器为例,搭建仿真与实验平台,验证了理论分析的正确性与所提策略的可行性。 展开更多
关键词 选择性电网谐波功率放大器 级联多电平逆变器 牛顿-蚁群算法 实时选择性谐波生成脉宽调制
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脉宽调制功率放大器的设计 被引量:4
2
作者 王雷 王广柱 《电测与仪表》 北大核心 2001年第6期48-50,19,共4页
三相或单相精密功率源在工频仪表校验中得到广泛地应用。本文针对功率源中线形功率放大器所存在的问题,提出了脉宽调制式功率放大器的设计方案,论述了该放大器的工作原理,并对输出滤波器的参数设计进行了分析计算。
关键词 功率放大器 脉宽调制 滤波器 设计
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SA03集成脉宽调制(PWM)放大器的应用 被引量:2
3
作者 王兴梅 杨波 《火炮发射与控制学报》 北大核心 2003年第2期62-64,共3页
介绍了采用新型集成脉宽调制功率放大器作为直流脉宽伺服系统的功率放大器件,提出了使用中应注意的事项,实际应用试验结果表明,该器件性能优良,能满足系统的技术要求。
关键词 集成脉宽调制功率放大器 应用 电流限制保护 热阻 散热器 电源旁路 直流脉宽伺服系统
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0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器 被引量:1
4
作者 张晓帆 银军 +4 位作者 倪涛 余若祺 斛彦生 王辉 高永辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期252-256,共5页
设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确... 设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确模型,设计了宽带阻抗变换器,在超宽频带内将50Ω的端口阻抗变换至约12.5Ω,再通过多节微带电路与预匹配后的GaN HEMT芯片实现阻抗匹配。最终,以较小的电路尺寸实现了功率放大器的超宽带性能指标。测试结果表明,功率放大器在0.2~2.0 GHz频带内,在漏极电压36 V、输入功率9 W、连续波的工作条件下,输出功率大于103 W,漏极效率大于50%,输入电压驻波比(VSWR)≤2.5。 展开更多
关键词 GaN高电子迁移率功率管(HEMT) 功率放大器 集成无源器件(IPD) 超宽带 传输线变压器(TLT)
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VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器
5
作者 张晓帆 默江辉 +4 位作者 高永辉 倪涛 余若祺 斛彦生 徐守利 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期45-49,共5页
为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的... 为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明,在024~030 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1000 W,功率附加效率约为60%~69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。 展开更多
关键词 千瓦级 GaN功率放大器 小型化 VHF频段 混合集成
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磁轴承功率放大器空间矢量脉宽调制算法的占空比限制策略 被引量:5
6
作者 王纯一 徐旸 张剀 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期248-256,共9页
传统的磁轴承功率放大器使用一个H桥控制一个线圈,为减少桥臂数量,可通过矢量控制技术共用部分桥臂。研究了一种使用三个桥臂同时控制两个线圈的功率放大器,通过FPGA实现了空间矢量脉宽调制(SVPWM)算法,将绝缘栅双极型晶体管的使用数量... 传统的磁轴承功率放大器使用一个H桥控制一个线圈,为减少桥臂数量,可通过矢量控制技术共用部分桥臂。研究了一种使用三个桥臂同时控制两个线圈的功率放大器,通过FPGA实现了空间矢量脉宽调制(SVPWM)算法,将绝缘栅双极型晶体管的使用数量减少了25%。针对实际运行过程中可能出现的功率放大器指令信号超出跟踪范围的情况,通过分析三桥臂电路功率放大器的跟踪范围,指出沿用传统的占空比限制策略将导致功率放大器的性能无法被完全利用,使失真增大。本文改进了传统的占空比限制策略,使功率放大器的性能利用率达到了100%,最高可完全消除一路线圈的失真,并在此基础上提出了两种性能不同的占空比限制策略。实验结果表明:指令信号在跟踪范围内时,功放跟踪效果良好;超出跟踪范围后,两限制策略均有效且达到了设计性能。 展开更多
关键词 功率放大器 三桥臂电路 空间矢量脉宽调制 占空比限制策略
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一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC 被引量:1
7
作者 杨卅男 李通 蔡道民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期642-647,共6页
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功... 基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功率分配/合成、阻抗变换和谐波调谐等功能,并通过多电容串联提高了击穿电压,增强了电路的鲁棒性;优化了版图布局,末级HEMT采用两两共地,并利用片上电感以缩短栅极偏置线,减小了芯片面积。最终,实现了饱和输出功率大于150 W、功率附加效率大于40%、功率增益大于22 dB的X波段功率放大器MMIC,其尺寸为3.8 mm×5.3 mm。该功率放大器MMIC可广泛应用于通信领域。 展开更多
关键词 紧凑型 X波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(MMIC)
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紧凑型基片集成波导功率合成放大器研制 被引量:3
8
作者 朱红兵 洪伟 +1 位作者 汤红军 陈继新 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2158-2161,共4页
设计、制作了一个X波段紧凑型结构的四路功率合成放大器,合成功放在10.4GHz上的1dB压缩点输出功率P1dB约为8W(连续波),在9.79-10.62GHz范围内,合成效率大于50%,在10.21GHz上其最大合成效率约为80%.该合成功放无源结构是由一对四路对... 设计、制作了一个X波段紧凑型结构的四路功率合成放大器,合成功放在10.4GHz上的1dB压缩点输出功率P1dB约为8W(连续波),在9.79-10.62GHz范围内,合成效率大于50%,在10.21GHz上其最大合成效率约为80%.该合成功放无源结构是由一对四路对称梳状功分器采用背靠背方式组成,功分器输入输出端口均包含基片集成波导-微带转接结构,以便于功分/合成器与其它平面器件相连接.测试结果表明这项技术可方便地用于小型化、模块化微波与毫米波合成功放设计. 展开更多
关键词 基片集成波导 放大器 功率分配器 功率合成器
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基于柔性基片集成波导技术的Ka波段功率放大器的设计和制作 被引量:1
9
作者 朱红兵 洪伟 +3 位作者 田玲 汤红军 陈继新 何繁繁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期180-184,共5页
设计、制作并测试了一个Ka波段八路合成宽带功率放大器.测试结果表明在26.5GHz上最大输出功率约为4.2W(连续波),在26.4GHz上最大合成效率约为72.5%,在25.1~28.4GHz范围内合成效率大于60%.这种功率放大器的基本组成单元是一对含对称尖... 设计、制作并测试了一个Ka波段八路合成宽带功率放大器.测试结果表明在26.5GHz上最大输出功率约为4.2W(连续波),在26.4GHz上最大合成效率约为72.5%,在25.1~28.4GHz范围内合成效率大于60%.这种功率放大器的基本组成单元是一对含对称尖劈过渡结构的柔性基片集成波导(FSIW).将一组该单元上的对称尖劈沿波导窄壁分别插入相应的输入和输出矩形金属波导,就可在波导内实现宽带、高效率的功率分配和功率合成.结果表明这项技术可方便地用于宽带毫米波固态功率放大器设计. 展开更多
关键词 功率合成 毫米波功率放大器 基片集成波导 柔性基片集成波导
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2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计 被引量:2
10
作者 徐国栋 朱丽军 兰盛昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期62-64,81,共4页
在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一。首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.45GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性。
关键词 互补金属氧化物半导体 功率放大器 射频 集成电路
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单片集成式主振荡功率放大器研究进展 被引量:1
11
作者 谭满清 游道明 +1 位作者 郭文涛 刘维华 《中国光学(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期61-75,共15页
单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集... 单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集成式MOPA的主流结构,包括锥形、脊型、布拉格光栅型和三段式MOPA,以各自的工作原理和性能特征为出发点,介绍其主要的研究方向,并结合它们各自面临的问题介绍最新的发展趋势。针对单片集成式MOPA中普遍存在的高功率下光束质量退化的问题,梳理了近年在外延层结构、腔面光学薄膜和电极设置等方面的优化设计,重点总结了单片集成式MOPA在提高光束质量及高功率、容线宽及高亮度方面的重要进展。围绕不同领域的应用需求,整理了具备高功率、窄线宽、高光束质量和高亮度等性能特征的单片集成式MOPA的研究进展,最后展望了单片集成式MOPA的发展趋势。 展开更多
关键词 主振荡功率放大器 单片集成结构 半导体激光器 半导体光放大器 优化设计
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GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型
12
作者 郜佳佳 游恒果 +1 位作者 李静强 舒国富 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期380-387,共8页
GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,... GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,引入了位置矫正因子矩阵和耦合系数矩阵,并通过加栅窗的方式建立了芯片近结区的热阻解析模型。该模型考虑了GaN功率放大器MMIC的特点以及衬底的晶格热效应,可以更准确地表征芯片结温。采用红外热成像仪对6种GaN功率放大器MMIC在不同工作条件下进行了热测试,对比仿真和测试结果发现,解析模型的结温预测误差在10%以内,说明该模型可以准确地表征GaN功率放大器MMIC的热特性,进而用于优化和指导电路拓扑设计。 展开更多
关键词 GaN功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 近结区 热阻解析模型 红外热成像 热特性
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6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
13
作者 李鑫 肖曼琳 +1 位作者 蒋明 杜鑫威 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第11期105-109,共5页
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大... 设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。 展开更多
关键词 Ku波段 功率放大器 砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺 共源共栅 单片微波集成电路
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一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
14
作者 高哲 范一萌 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期360-364,共5页
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。 展开更多
关键词 V波段 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 高效率 功率合成
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射频微波功率放大器芯片技术研究进展及发展趋势
15
作者 李镇兵 黄峻杰 +6 位作者 张晋荣 贾世麟 付佳龙 吴祥睿 李钢 孙浩洋 文光俊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期871-882,共12页
在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主... 在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主流实现方式、典型研发案例以及相关应用利弊,旨在为现代无线通信系统射频前端集成的功率放大器芯片研发提供方法总结与设计参考。最后对射频微波功率放大器芯片技术的发展趋势与行业走向作出了展望。 展开更多
关键词 射频微波 功率放大器芯片 高频化 效率提升 线性度改善 带宽扩展 集成度封装
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非对称级联多电平功率放大器的虚拟载波移相PWM调制策略 被引量:1
16
作者 岳雨霏 吴兴隆 +2 位作者 杨禧 王文 唐欣 《电力科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期75-86,共12页
由N个相同H桥功率模块(H-bridge power module,HBPM)组成的传统级联H桥功率放大器(cascaded H-bridge power amplifier,CHB-PA)最多可输出2N+1的电平数,输出电平数直接影响功率放大器的正弦特性和保真性能。在级联HBPM数量相同的情况下... 由N个相同H桥功率模块(H-bridge power module,HBPM)组成的传统级联H桥功率放大器(cascaded H-bridge power amplifier,CHB-PA)最多可输出2N+1的电平数,输出电平数直接影响功率放大器的正弦特性和保真性能。在级联HBPM数量相同的情况下,首先提出了一种非对称级联多电平功率放大器(asymmetrical cascaded multilevel power amplifier,ACM-PA);其次,为了与传统CHB-PA有相同HBPM数目的ACM-PA,提出一种虚拟载波移相脉宽调制(virtual carrier phase shift pulse width modulation,VCPS-PWM)策略,将输出电平数提高到6N-3;最后,通过仿真对比验证了所提出的ACM-PA和VCPS-PWM可以显著提高输出电平数,降低负载电流的总谐波失真,提高功率放大器的保真性能。 展开更多
关键词 H桥功率模块 非对称级联多电平功率放大器 虚拟载波移相脉宽调制 高保真性
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P波段中功率混合集成放大器设计与制作
17
作者 邱岚 赫崇骏 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期80-84,共5页
文中介绍了P 波段6瓦功率放大器的研制过程,讨论了有关理论和实际问题。该放大器采用微带和集中参数混合电路形式,具有体积小,结构紧凑,调试方便,性能稳定的特点。该电路已成功地用于某雷达整机。
关键词 P波段 功率放大器 混合集成电路
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可变增益的功率放大器单片微波集成电路
18
作者 刁睿 赵瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期264-267,共4页
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在... 根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内,1dB压缩点输出功率大于33dBm,当控制电压在-1~0V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5mm×2.3mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 展开更多
关键词 功率放大器 可变增益 单片微波集成电路(MMIC) ADS软件 砷化镓
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基于智能功率集成电路的PWM伺服放大器及其应用
19
作者 曹云峰 杨巧旭 《振动.测试与诊断》 EI CSCD 1996年第3期59-63,共5页
详细介绍了智能功率集成电路(SmartPowerIC-SPIC)L292的特点,工作原理及由其构成的PWM(pulseWidthModulated)伺服放大器的设计方法。针对某型无人驾驶直升机飞行控制系统的要求,应用... 详细介绍了智能功率集成电路(SmartPowerIC-SPIC)L292的特点,工作原理及由其构成的PWM(pulseWidthModulated)伺服放大器的设计方法。针对某型无人驾驶直升机飞行控制系统的要求,应用L292成功地研制了一种适于机载使用条件的高精度伺服放大器。地面测试和试飞表明:该放大器性能优良,工作可靠,符合小型化、集成化的发展方向。 展开更多
关键词 伺服放大器 功率集成电路 脉宽调制 伺服电机
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YT系列混合集成高温功率运算放大器设计与研制
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作者 林志刚 孙本栋 李东成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期50-53,共4页
采用等轴热设计和有效的散热方式,使本功率运放于180℃环境温度下可靠地工作;独特的接口方式,使通用型运放与互补OCL电路互接,从而研制出性能优良的新型高温功率运放。
关键词 运算放大器 设计 混合集成 功率
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