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CMOS电路中的闩锁效应研究
被引量：
11
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作者
牛征
《电子与封装》
2007年第3期24-27,共4页
闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法。最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
关键词
闩锁效应
寄生双极晶体管
集总器件模型
版图设计
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职称材料
题名
CMOS电路中的闩锁效应研究
被引量：
11
1
作者
牛征
机构
无锡华润矽科微电子有限公司
出处
《电子与封装》
2007年第3期24-27,共4页
文摘
闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法。最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
关键词
闩锁效应
寄生双极晶体管
集总器件模型
版图设计
Keywords
latchup
parasitic bipolar transistor
lumped component
layout
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
CMOS电路中的闩锁效应研究
牛征
《电子与封装》
2007
11
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