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新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制
被引量：
3
1
作者
周鑫
朱大中
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期928-930,共3页
本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时...
本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60μm×60μm,其感光面积百分比(FillFactor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧～64ms/帧范围内调整.
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关键词
阵列式象限传感器
相关二次采样
互补金属氧化物半导体光电
传感器
动态范围调整
二次扫描
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职称材料
题名
新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制
被引量：
3
1
作者
周鑫
朱大中
机构
浙江大学信息与电子工程学系微电子技术与系统设计研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期928-930,共3页
基金
国家自然科学基金(No.90307009)
文摘
本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60μm×60μm,其感光面积百分比(FillFactor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧～64ms/帧范围内调整.
关键词
阵列式象限传感器
相关二次采样
互补金属氧化物半导体光电
传感器
动态范围调整
二次扫描
Keywords
Automatic target recognition
CMOS integrated circuits
Photodiodes
Photoelectric devices
Sampling
Sensitivity analysis
Signal processing
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制
周鑫
朱大中
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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