InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应 被引量：2

1

作者 靳川 许佳佳 +8 位作者 黄爱波 徐志成 周易 白治中 王芳芳 陈建新 陈洪雷 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期688-693,共6页

研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在^(60)Co源γ辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad(Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐... 研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在^(60)Co源γ辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad(Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤. 展开更多

关键词 Γ辐照 实时辐照效应 长波红外探测器 INAS/GASB Ⅱ类超晶格

在线阅读 下载PDF 职称材料

InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流特性分析 被引量：3

2

作者 李俊斌 刘爱民 +6 位作者 蒋志 杨晋 杨雯 孔金丞 李东升 李艳辉 周旭昌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期170-177,共8页

利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO_(2)复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,... 利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO_(2)复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,利用扩散电流、产生复合电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流模型对InAs/GaSb超晶格长波红外探测器的暗电流进行拟合分析。结果表明:在小的反向偏压下(≤60 mV),器件暗电流主要由产生复合电流主导,而在高偏压下(>60 mV),器件暗电流则主要由缺陷陷阱辅助隧穿电流主导。并分析了吸收层掺杂浓度对这两种电流的影响,证实5×10^(15)~1×10^(16) cm^(−3)是优化的掺杂浓度。 展开更多

关键词 INAS/GASB超晶格 长波红外探测器 异质pN结 暗电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究 被引量：3

3

作者 王超 李宁 +2 位作者 戴宁 石旺舟 胡古今 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期290-294,共5页

研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/... 研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10^13 cm·Hz^1/2/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。 展开更多

关键词 阻挡杂质带 长波红外探测器 硅掺砷 离子注入工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究

4

作者 崔玉容 周易 +5 位作者 黄敏 王芳芳 徐志成 许佳佳 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期8-13,共6页

开展了In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析,发现N2O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件,在液氮温... 开展了In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析,发现N2O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件,在液氮温度,-0.05 V偏置下,表面处理后暗电流密度从5.88×10^(-1)A/cm^(2)降低至4.09×10^(-2)A/cm^(2),零偏下表面电阻率从17.7Ωcm提高至284.4Ωcm,有效降低侧壁漏电流。但是该表面处理后的器件在大反偏压下仍有较大的侧壁漏电,这可能是由于高浓度的表面电荷使得大反偏下侧壁存在较高的隧穿电流。通过栅控结构器件的变栅压实验,验证了长波器件存在纯并联电阻及表面隧穿两种主要漏电机制。最后,对表面处理前后的暗电流进行拟合,处理后器件表面电荷浓度为3.72×1011cm-2。 展开更多

关键词 二类超晶格 长波红外探测器 表面处理 暗电流分析 栅控结构

在线阅读 下载PDF 职称材料

光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究 被引量：10

5

作者 徐向晏 陆卫 +1 位作者 陈效双 徐文兰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期251-256,共6页

报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,... 报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点. 展开更多

关键词 HGCDTE 长波红外探测器 R0A积 量子效率 少子寿命

在线阅读 下载PDF 职称材料

160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制 被引量：7

6

作者 种明 苏艳梅 +4 位作者 张艳冰 胡小燕 马文全 孙永伟 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期702-704,共3页

报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件... 报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010 cmW-1Hz1/2,峰值波长为λp=8.1μm,截止波长为λc=8.47μm。器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%。 展开更多

关键词 长波红外探测器 量子阱 焦平面阵列

在线阅读 下载PDF 职称材料

320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器 被引量：6

7

作者 许佳佳 陈建新 +8 位作者 周易 徐庆庆 王芳芳 徐志成 白治中 靳川 陈洪雷 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2014年第6期598-601,共4页

报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm... 报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像. 展开更多

关键词 长波红外探测器 INAS/GASB Ⅱ类超晶格 焦平面阵列

在线阅读 下载PDF 职称材料

混合式长波线列TDI红外探测器改进互连工艺研究 被引量：6

8

作者 沈悦 谢珩 张毓捷 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1281-1282,1286,共3页

根据目前混合式红外焦平面互连工艺以及对长波线列延时积分红外探测器产量增长的需求,结合现有的工艺设备能力,开发出"共片工艺",以最大限度地提高在互连工艺段的生产效率。

关键词 长波红外探测器 倒装互连 共片工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展 被引量：8

9

作者 陈效双 许娇 +5 位作者 胡伟达 王俊 陈勇国 黄燕 周孝好 陆卫 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第5期353-360,379,共9页

介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程,详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析,介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。

关键词 长波HgCdTe红外探测器 暗电流 非线性同时拟合方法 混合表面钝化

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展 被引量：25

10

作者 胡伟达 梁健 +2 位作者 越方禹 陈效双 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期25-36,51,共13页

综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构H... 综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构Hg Cd Te红外探测器的模拟和分析结果.理论分析和实验研制数据均显示这种新型亚波长人工微结构结构具有很好的陷光特性,在提高长波红外探测器性能方面具有潜在应用前景. 展开更多

关键词 HGCDTE红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元

在线阅读 下载PDF 职称材料

甚长波红外焦平面超大电荷容量数字读出电路技术

11

作者 毛文彪 陈楠 +6 位作者 张济清 钟昇佑 姚立斌 王向前 丛树仁 师奕峰 李正芬 《红外技术》 北大核心 2025年第8期929-936,共8页

甚长波红外探测器在红外成像系统、光谱探测和深空探测等中有着重要应用。相比于中波和长波探测器,甚长波红外探测器的光电流和暗电流明显增加,探测器的偏置电压更加离散和敏感,本文采用数字积分技术和多电源域技术,解决了甚长波探测器... 甚长波红外探测器在红外成像系统、光谱探测和深空探测等中有着重要应用。相比于中波和长波探测器,甚长波红外探测器的光电流和暗电流明显增加,探测器的偏置电压更加离散和敏感,本文采用数字积分技术和多电源域技术,解决了甚长波探测器的温度灵敏度受到积分时间限制和宽偏置电压范围要求等问题。采用0.13μm的CMOS工艺,设计并流片加工了面阵规格分别为320×256(像元中心间距为30μm)和640×512(像元中心间距为25μm)的两款数字读出电路,ADC位数为16bit,电荷容量达到11.8 Ge^(-),探测器偏置电压范围扩展到2.2 V,经测试,两款电路的功耗分别为53.1m W和149.6 m W(@100 Hz帧频)。耦合了320×256和640×512甚长波碲镉汞红外探测器,半阱条件下,NETD分别达到8.01 mK和9.29 mK,积分时间10 ms时,动态范围达到90 dB以上。本文的数字积分读出电路与传统模拟积分读出电路相比,显著地扩展了电荷容量,延长了甚长波探测器的积分时间,有效提升了温度灵敏度和动态范围。 展开更多

关键词 红外焦平面阵列 数字读出电路 甚长波红外探测器 数字像元 超大电荷容量

在线阅读 下载PDF 职称材料

128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器 被引量：3

12

作者 许佳佳 金巨鹏 +7 位作者 徐庆庆 徐志成 靳川 周易 陈洪雷 林春 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期501-504,共4页

报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通... 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像. 展开更多

关键词 长波红外探测器 InAs GASB Ⅱ类超晶格 焦平面阵列

在线阅读 下载PDF 职称材料

俄罗斯与西方国家的长波MCT红外焦平面探测器比较与分析 被引量：2

13

作者 吴铮 陆剑鸣 +2 位作者 白丕绩 夏丽昆 田萦 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第5期291-296,共6页

介绍了俄罗斯与西方主要发达国家的长波扫描型和凝视型MCT(HgCdTe)红外焦平面探测器的开发现状,并对它们在该领域里的所开发的红外焦平面探测器特点、装备状况和差距进行了比较分析。

关键词 俄罗斯 西方国家 长波MCT红外焦平面探测器 比较分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

甚长波量子阱红外探测器中的双激发态工作机理 被引量：1

14

作者 刘希辉 周孝好 +5 位作者 王禄 孙庆灵 廖开升 黄亮 李志锋 李宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期14-22,共9页

通过对甚长波量子阱红外探测器的变温变偏压光谱实验,发现了光电流谱峰值响应波长与半高宽随偏置电压和温度变化均会发生变化,尤其以小偏压下峰值移动明显.结合器件能带结构计算的结果,提出了甚长波量子阱红外探测器中双激发态工作模型... 通过对甚长波量子阱红外探测器的变温变偏压光谱实验,发现了光电流谱峰值响应波长与半高宽随偏置电压和温度变化均会发生变化,尤其以小偏压下峰值移动明显.结合器件能带结构计算的结果,提出了甚长波量子阱红外探测器中双激发态工作模型,并阐明了其中束缚态-准束缚态跃迁模式中准束缚态的物理特性,包括隧穿特性和热离化特性,以及不同工作条件下这两种物理过程在形成光电流时的主导性.同时,验证了甚长波量子阱红外探测器件的第一激发态随外界工作条件的变化会呈现出准束缚到准连续的变化特性.最后,揭示了在甚长波量子阱红外探测器工作中束缚态-准束缚态跃迁工作模式对于降低器件暗电流、提升器件工作温度、提高器件探测率的有效性. 展开更多

关键词 甚长波量子阱红外探测器 准束缚态 准连续态 探测率

在线阅读 下载PDF 职称材料

甚长波碲镉汞光伏探测器伏安特性分析

15

作者 林立 刘世光 +1 位作者 田震 程杰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1666-1670,共5页

分析了注入同质结N-on-P和液相外延异质结P-on-N碲镉汞甚长波红外探测器在不同工作温度下的I-V特性,并对R-V特性进行了仿真计算,对比了扩散电流、产生-复合电流、表面漏电流、带间隧穿电流和缺陷辅助隧穿电流等暗电流对两种器件R-V特性... 分析了注入同质结N-on-P和液相外延异质结P-on-N碲镉汞甚长波红外探测器在不同工作温度下的I-V特性,并对R-V特性进行了仿真计算,对比了扩散电流、产生-复合电流、表面漏电流、带间隧穿电流和缺陷辅助隧穿电流等暗电流对两种器件R-V特性的不同影响。 展开更多

关键词 大气超光谱 甚长波红外探测器 碲镉汞 I-V特性 R-V特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

高功率CO2激光对远场HgCdTe探测器的干扰实验 被引量：22

16

作者 王思雯 郭立红 +4 位作者 赵帅 刘洪波 崔爽 于洋 李姜 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期798-804,共7页

理论分析和实验研究了高功率CO2激光对远场光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤。采用激光辐照探测器的温升理论模型,根据实验参数,讨论了高功率激光对长波红外探测器的损伤机理,计算了温升与辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器在距... 理论分析和实验研究了高功率CO2激光对远场光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤。采用激光辐照探测器的温升理论模型,根据实验参数,讨论了高功率激光对长波红外探测器的损伤机理,计算了温升与辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器在距离15km处辐照光导型长波红外HgCdTe探测器的实验结果进行对比分析。实验结果表明,2.5kW连续CO2激光经过大气衰减后在15km处激光功率密度可达0.161W/cm2,计算可知此时会聚到探测器靶面处的功率密度为140W/cm2;靶面处功率密度为20.5W/cm2时,对探测器产生干扰;靶面处功率密度为110W/cm2时,达到损伤,计算此时探测器表面温度已达到Hg析出温度,这一实验现象和理论计算预期结果相吻合。实验结论对研究探测器的激光防护和激光干扰星载探测器技术具有指导意义。 展开更多

关键词 CO2激光 长波红外探测器 HGCDTE探测器 温升模型 干扰阈值 损伤阈值

在线阅读 下载PDF 职称材料

Sb浸润界面对InAs/InAsSb超晶格晶体结构和探测器性能的影响 被引量：1

17

作者 齐通通 郭杰 +3 位作者 王国伟 郝瑞亭 徐应强 常发然 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期86-89,共4页

采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平... 采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平整,表面粗糙度仅为1.28;超晶格晶体结构更完整,界面起伏明显减小,与衬底的晶格失配度由3.26%减小到2.97%。InAs/InAsSb超晶格探测器的50%截止波长为10μm,量子效率为3.1%;Sb浸润界面的超晶格具有更低的暗电流和更高的微分阻抗,-50 mV偏压下暗电流密度为0.12 A/cm^ 2,零偏阻抗面积乘积(R 0A)为0.44Ω·cm^2,计算得到探测率为5.06×10^7 cm·Hz 1/2/W。Sb浸润界面有效抑制了Sb的扩散,提高了超晶格的晶体质量和探测性能,但失配应力依然很大。这些结果为高质量长波红外InAs/InAsSb超晶格的界面生长提供了依据。 展开更多

关键词 长波红外探测器 InAs/InAsSb超晶格 分子束外延 界面生长

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于低温辐射计的长波红外绝对光谱响应率测量 被引量：2

18

作者 刘红博 史学舜 +3 位作者 徐文斌 刘长明 刘红元 王恒飞 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期3680-3685,共6页

长波红外光谱(8~14μm)是介于中红外和太赫兹波之间的重要电磁辐射,对应着地球表面常温目标物体的光谱辐射波段和地球"第三大气窗口",相对于短波和中波光谱辐射,长波红外辐射受大气散射影响较小。因此,长波红外光电探测器在... 长波红外光谱(8~14μm)是介于中红外和太赫兹波之间的重要电磁辐射,对应着地球表面常温目标物体的光谱辐射波段和地球"第三大气窗口",相对于短波和中波光谱辐射,长波红外辐射受大气散射影响较小。因此,长波红外光电探测器在红外光谱成像、红外侦察、光谱探测等领域得到广泛使用。绝对光谱响应率作为表征探测器响应能力的主要参数之一,对其高精度标定的需求亟待解决。现在传统方法,即基于标准辐射源的定标方法已无法满足诸多高精度绝对光谱响应率的应用需求。目前,国内还没有建立基于激光光源和低温辐射计的长波红外绝对光谱响应率校准装置,主要原因是缺少光功率稳定、光束质量高的激光光源,以及性能稳定的长波红外传递标准探测器。针对此问题,开展了以激光为光源,以低温辐射计为光功率测量基准的长波红外绝对光谱响应率量值溯源技术研究。课题组选用可调谐CO2稳频激光器作为光源,以低温辐射计作为光功率测量基准;采用CdTe晶体电光调制器搭建了激光功率稳定控制系统;根据光束传输理论,搭建长波红外空间滤波器以优化光束质量;采用积分球与HgCdTe探测器组合,研制了性能稳定可靠的标准传递探测器,建立了长波红外探测器绝对光谱响应率高准确度校准装置,实现长波红外光谱范围(9.2~10.8μm)探测器绝对光谱响应率的高准确度校准测量。选择可调谐激光器输出的波长值9.62和10.60μm分别对积分球型HgCdTe探测器进行了测量。实验结果表明,(1)利用低温辐射计准确测量光功率,光功率测量不确定度优于0.30%~0.42%(k=2);(2)探测器绝对光谱响应率测量不确定度优于0.80%~1.02%(k=2),其他波长点可参考分析。该工作实现了基于激光光源的长波红外探测器绝对光谱响应率的高准确度校准。 展开更多

关键词 长波红外光谱 长波红外探测器 绝对光谱响应率 低温辐射计

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于改进伽马曲线的星载长波红外焦平面非均匀性校正算法 被引量：3

19

作者 汪大宝 王中果 +2 位作者 吴明轩 张超 胡月 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第5期136-144,共9页

随着长波红外探测器技术的进步,通过选用宇航级大阵列长波红外探测器,天基红外遥感卫星技术得到快速发展。长波红外探器响应强非线性导致传统的基于线性模型的非均匀性校正算法校正误差大,从而影响卫星在轨使用效能。针对该问题,结合大... 随着长波红外探测器技术的进步,通过选用宇航级大阵列长波红外探测器,天基红外遥感卫星技术得到快速发展。长波红外探器响应强非线性导致传统的基于线性模型的非均匀性校正算法校正误差大,从而影响卫星在轨使用效能。针对该问题,结合大量实验室数据和卫星在轨数据的统计分析结果,建立了一种新的长波红外探测器非线性响应模型,据此提出了一种基于改进伽马曲线的非均匀性校正算法,以有效克服探测器响应强非线性对校正精度的影响。该算法首先建立基于改进伽马曲线的探测器非线性响应模型,依据此模型对获取图像进行非线性压缩映射,实现探测器响应的线性化,然后利用星载基于定标技术的线性化算法实施非均匀性校正,同时,定标温度点根据所建立模型参数动态更新,最后通过逆非线性化压缩映射还原出实际的非均匀校正后的图像。基于人造黑体和在轨实景红外图像的实验结果表明,该算法有效解决了探测器响应强非线性对校正精度的影响,校正后图像的视觉效果和定量化指标均优于传统的星载非均匀校正算法。 展开更多

关键词 长波红外探测器 天基红外遥感 非均匀性校正 动态伽马曲线 强非线性响应模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

8～12μm超晶格量子阱红外探测材料与器件的新进展

20

作者 陈世达 《红外技术》 CSCD 1993年第2期1-5,共5页

超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径,作者曾介绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料,本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导... 超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径,作者曾介绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料,本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导多量子阱和光伏(或称Kastalsky)型红外探测器;以GaAs或InGaAs为基极的红外热电子晶体管(IHET);Ga_(1-x)Al_xSb-AlSb超晶格材料和Ge_xSi_(1-x)-Si量子阱材料与内光电子发射红外探测器。这些都是目前研制长波红外材料与器件的热点。 展开更多

关键词 超晶格红外探测材料 量子阱器件 长波红外探测器 红外热电子晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料