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锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备: 1; 作者钱文生刘冬华石晶《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期341-345,共5页; 设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。; 关键词 PNP三极管锗硅双极-互补金属氧化物半导体电流增益特征频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现: 2; 作者谢卓恒黄波 +4 位作者刘兰冯越阳润杭虹江袁素《电子器件》 CAS 2024年第5期1157-1164,共8页; 论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2.... 展开更多; 关键词卫星通信四通道接收芯片毫米波锗硅双极互补金属氧化物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

1.9～5.7GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO: 3; 作者刘建峰成立 +3 位作者杨宁周洋凌新严鸣《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期473-477,共5页; 设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰... 展开更多; 关键词锗硅双极互补金属氧化物半导体模拟集成电路 LC压控振荡器宽带相位噪声; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器: 4; 作者崔博华李一虎熊永忠《太赫兹科学与电子信息学报》 2015年第6期849-852,共4页; 基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的... 展开更多; 关键词滤波器太赫兹硅锗双极-互补金属氧化物半导体衬底集成波导; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究: 5; 作者肖胜安刘鹏 +3 位作者季伟王雷陈帆钱文生《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期346-350,385,共6页; 研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。; 关键词锗硅双极-互补金属氧化物半导体锗硅异质结双极晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备: 1; 作者钱文生刘冬华石晶; 机构上海华虹NEC电子有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期341-345,共5页; 基金国家科技02专项十一五重大项目资助项目(2009ZX02303) 国家科技02专项十二五重大项目资助项目(2011ZX02506); 文摘设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。; 关键词 PNP三极管锗硅双极-互补金属氧化物半导体电流增益特征频率; Keywords PNP BJT SiGe BiCMOS current gain cut-off frequency; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现: 2; 作者谢卓恒黄波刘兰冯越阳润杭虹江袁素; 机构重庆西南集成电路设计有限责任公司; 出处《电子器件》 CAS 2024年第5期1157-1164,共8页; 基金国家重点研发计划课题项目(2020YFB1806203)。; 文摘论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2.3 dB,增益平坦度小于2 dB,移相精度小于2°,单通道电流小于50 mA。; 关键词卫星通信四通道接收芯片毫米波锗硅双极互补金属氧化物半导体; Keywords satellite communication four channels receiver chip mm wave SiGe BiCMOS; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN821.8 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1.9～5.7GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO: 3; 作者刘建峰成立杨宁周洋凌新严鸣; 机构江苏大学电气与信息工程学院南通职业大学电子工程系镇江市; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期473-477,共5页; 基金国家"863"计划引导项目(2006AA10Z258); 文摘设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0～3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9～2.1 GHz,2.1～2.4 GHz,2.4～3.0 GHz,3.0～3.4 GHz,3.4～4.2 GHz,4.2～5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9～5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1 MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性。; 关键词锗硅双极互补金属氧化物半导体模拟集成电路 LC压控振荡器宽带相位噪声; Keywords SiGe BiCMOS analog IC LC voltage controlled oscillator wide-bank phase noise; 分类号 TN752 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器: 4; 作者崔博华李一虎熊永忠; 机构中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》 2015年第6期849-852,共4页; 文摘基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz,-5.5dB@168GHz和-5dB@324GHz。; 关键词滤波器太赫兹硅锗双极-互补金属氧化物半导体衬底集成波导; Keywords filter terahertz SiGe BiCMOS Substrate Integrated Waveguide; 分类号 TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究: 5; 作者肖胜安刘鹏季伟王雷陈帆钱文生; 机构上海华虹NEC电子有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期346-350,385,共6页; 基金国家科技重大专项支持项目(2009ZX02303); 文摘研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。; 关键词锗硅双极-互补金属氧化物半导体锗硅异质结双极晶体管; Keywords SiGe BiCMOS SiGe HBT; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备	钱文生刘冬华石晶	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2012	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现	谢卓恒黄波刘兰冯越阳润杭虹江袁素	《电子器件》 CAS	2024	在线阅读下载PDF 职称材料
3	1.9～5.7GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO	刘建峰成立杨宁周洋凌新严鸣	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器	崔博华李一虎熊永忠	《太赫兹科学与电子信息学报》	2015	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究	肖胜安刘鹏季伟王雷陈帆钱文生	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2012	在线阅读下载PDF 职称材料