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锑化铟单晶材料研究进展 被引量：4
1
作者 折伟林 赵超 +1 位作者 董涛 王成刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期235-241,共7页
锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文... 锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文提出了InSb材料未来发展趋势。 展开更多
关键词 锑化铟 红外探测 研究进展 发展趋势
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锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究
2
作者 赵超 董涛 +3 位作者 折伟林 彭志强 贺利军 张孟川 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期72-77,共6页
锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究... 锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析。结果表明其内部主要为V In型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因。 展开更多
关键词 锑化铟 红外探测器 正电子湮灭谱 空位缺陷 晶体生长拉速 导电类型
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连续波氧碘激光对光伏型锑化铟探测器的破坏阈值 被引量：7
3
作者 陈金宝 陆启生 +2 位作者 钟海荣 蒋志平 刘泽金 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期221-224,共4页
通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度的连续波氧碘激光辐照下性能的变化，得到其破坏阈值范围为２６（０．８９ｓ）～１１３（１．４ｓ）Ｗ／ｃｍ２。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中温升和输出信号的变化过程，... 通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度的连续波氧碘激光辐照下性能的变化，得到其破坏阈值范围为２６（０．８９ｓ）～１１３（１．４ｓ）Ｗ／ｃｍ２。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中温升和输出信号的变化过程，对实验结果进行了分析。 展开更多
关键词 连续波 氧碘激光 破坏阈值 红外探测器 锑化铟
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锑化铟晶体材料的发展及应用 被引量：11
4
作者 柏伟 赵超 刘铭 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2230-2243,共14页
锑化铟(InSb)晶体材料自发现伊始,基于其独特的物理化学性质和优良的工艺兼容性,成为了半导体材料领域研究的热点。近几十年来,由于其在红外探测领域的应用前景,更是深受国内外研究机构的广泛关注和重视,技术发展迅速。目前,InSb晶体材... 锑化铟(InSb)晶体材料自发现伊始,基于其独特的物理化学性质和优良的工艺兼容性,成为了半导体材料领域研究的热点。近几十年来,由于其在红外探测领域的应用前景,更是深受国内外研究机构的广泛关注和重视,技术发展迅速。目前,InSb晶体材料作为制备高性能中波红外探测器的首选材料,应用前景和商业需求巨大,基于InSb晶体材料的红外探测器的快速发展更是大大提升了红外系统的性能,促进了红外技术在军民领域的广泛应用。本文主要介绍了InSb晶体材料的性质,梳理了国内外各公司及研究机构关于InSb晶体材料的研究进展,以及其在红外探测领域的应用情况,对其发展前景和趋势进行了展望。 展开更多
关键词 锑化铟晶体 半导体 红外探测器 发展 应用
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锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计 被引量：4
5
作者 龚晓霞 苏玉辉 +2 位作者 雷胜琼 万锐敏 杨文运 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期232-235,共4页
通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深。利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件。实验所得典型的R0A为值4.7×103～3×103Ω·cm2,... 通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深。利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件。实验所得典型的R0A为值4.7×103～3×103Ω·cm2,量子效率为0.65～0.7之间。实验R0A值及量子效率与理论结果基本吻合。此工作对离子注入工艺有一定的参考价值。 展开更多
关键词 锑化铟 LSS理论 优化掺杂 离子注入 理论计算
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128×128元锑化铟红外焦平面探测器热-应力耦合分析 被引量：3
6
作者 李鹏飞 张立文 +1 位作者 孟庆端 余倩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1025-1029,共5页
考虑探测器在热冲击过程中由于传导降温非均匀引起的温度梯度分布,借助ANSYS软件对温度梯度影响下的锑化铟探测器进行热-应力耦合分析。依据热分析结果得到了热冲击下探测器的降温时间曲线,以此为基础进行热-应力耦合分析得到了探测器... 考虑探测器在热冲击过程中由于传导降温非均匀引起的温度梯度分布,借助ANSYS软件对温度梯度影响下的锑化铟探测器进行热-应力耦合分析。依据热分析结果得到了热冲击下探测器的降温时间曲线,以此为基础进行热-应力耦合分析得到了探测器的应力分布,并以温度、时间为参考量将热冲击过程中InSb芯片上应力最大值变化与传统均匀降温方式下的应力最大值变化进行对比,结果表明器件内部存在温度梯度时,InSb芯片上的应力增加呈现出先快后慢现象,明显不同于均匀降温的线性增加;且应力增加主要集中在热冲击初始0～0.5 s时间段,如此短时间段内应力的急剧增加将严重影响探测器的可靠性。最后对传导降温方式下应力变化可能引起InSb芯片失效的原因进行了初步探讨,这对预测裂纹的发生提供了一定的帮助。 展开更多
关键词 锑化铟 焦平面探测器 热-应力耦合 有限元
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5英寸锑化铟晶片加工及表征 被引量：2
7
作者 赵超 孔忠弟 +7 位作者 董涛 吴卿 折伟林 王小龙 徐鹏艳 李乾 李达 李聪聪 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2014-2021,共8页
锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5... 锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。 展开更多
关键词 锑化铟 5英寸 晶片 加工 高质量 红外探测器
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锑化铟光电探测器的远距离激光干扰研究 被引量：3
8
作者 罗威 董文锋 +1 位作者 许鹏程 杨华兵 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期287-291,共5页
激光器性能(功率、波长、发散角等)、激光大气传输特性等直接影响激光对光电探测器的远距离干扰效果。测量得到锑化铟光电探测器的光谱响应曲线及饱和功率密度阈值曲线,利用MODTRAN软件分析了两种特定传输路径下大气传输透射率随激光波... 激光器性能(功率、波长、发散角等)、激光大气传输特性等直接影响激光对光电探测器的远距离干扰效果。测量得到锑化铟光电探测器的光谱响应曲线及饱和功率密度阈值曲线,利用MODTRAN软件分析了两种特定传输路径下大气传输透射率随激光波长的变化曲线。结合中红外波段激光器的发展现状,分析了特定激光器的大气传输透射率,计算得到了利用氟化氘激光器和光参量振荡器有效干扰锑化铟探测器所需的激光功率阈值。 展开更多
关键词 激光干扰 激光大气传输 锑化铟探测器 中红外激光器
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锑化铟离子注入退火技术研究 被引量：2
9
作者 李海燕 杜红艳 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1372-1375,共4页
对锑化铟(InSb)铍离子(Be+)注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验... 对锑化铟(InSb)铍离子(Be+)注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。 展开更多
关键词 锑化铟 离子注入 快速热退火
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小型化锑化铟探测器制备 被引量：2
10
作者 李海燕 刘佳星 +1 位作者 杜红燕 杜孟新 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期92-95,共4页
随着红外探测技术的不断发展,市场对红外探测器提出了越来越多的要求,如高分辨率、高工作稳定性、低成本、小型化等,红外探测器光敏芯片的制备技术随之向大面阵、小间距方向不断探索。基于市场需求,本文从技术发展的角度,研究采用离子... 随着红外探测技术的不断发展,市场对红外探测器提出了越来越多的要求,如高分辨率、高工作稳定性、低成本、小型化等,红外探测器光敏芯片的制备技术随之向大面阵、小间距方向不断探索。基于市场需求,本文从技术发展的角度,研究采用离子注入技术、干法刻蚀技术制备台面结型焦平面阵列,实现高性能、窄间距、小型化光敏芯片的制备,为未来高分辨率芯片的制备奠定技术基础。文章介绍了128×128(15μm)、128×128(10μm)两款器件的制备,两款器件中测I-V性能良好,其中,128×128(15μm)器件杜瓦封装组件后性能表现良好。 展开更多
关键词 锑化铟 离子注入 干法刻蚀
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室温锑化铟在探测器阵列靶中应用问题研究 被引量：1
11
作者 秦来安 侯再红 +2 位作者 吴毅 谭逢富 何枫 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期155-158,共4页
锑化铟探测器阵列靶是红外激光光斑测量的重要仪器。仪器中的光导型锑化铟探测器对温度比较敏感,这容易使后级信号处理电路的静态工作点出现温度漂移现象,影响阵列靶探测精度。针对这一情况,设计了一个可以根据环境温度实时调整静态工... 锑化铟探测器阵列靶是红外激光光斑测量的重要仪器。仪器中的光导型锑化铟探测器对温度比较敏感,这容易使后级信号处理电路的静态工作点出现温度漂移现象,影响阵列靶探测精度。针对这一情况,设计了一个可以根据环境温度实时调整静态工作点的系统,有效地解决由于探测器静态阻值随温度变化而引起的静态工作点的漂移问题,为室温锑化铟红外探测器在各种环境下的应用提供了一套有效的解决方案。 展开更多
关键词 锑化铟探测器 探测器阵列靶 静态工作点 数字电位器
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基于锑化铟的可调超材料太赫兹带阻滤波器（英文） 被引量：1
12
作者 白育堃 魏仁霄 +1 位作者 马秀荣 马颖 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期261-265,275,共6页
提出了一种工作在太赫兹频段,基于半导体材料锑化铟的超材料带阻滤波器.由于锑化铟材料介电常数的特性,该滤波器的谐振频率能够进行温度调节.同时,通过有限积分法和等效LMC电路模型分析了滤波器的几何参数对其谐振频率的影响,这两种方... 提出了一种工作在太赫兹频段,基于半导体材料锑化铟的超材料带阻滤波器.由于锑化铟材料介电常数的特性,该滤波器的谐振频率能够进行温度调节.同时,通过有限积分法和等效LMC电路模型分析了滤波器的几何参数对其谐振频率的影响,这两种方法得到的结果具有良好的一致性.在温度的取值范围是220~350K时,滤波器的谐振频率能够从0.91 THz动态调节到1.28 THz,并且其阻带谐振频率的透射系数能够有限地被抑制.该滤波器的传输特性在30°入射角范围内具有良好的稳定性.设计的可调超材料带阻滤波器将在太赫兹无线通信、传感等方面有潜在的应用前景. 展开更多
关键词 带阻滤波器 超材料 锑化铟 太赫兹
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非晶态锑化铟薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性研究 被引量：1
13
作者 孔金丞 李志 +4 位作者 孔令德 赵俊 于晓辉 王善力 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第6期351-354,共4页
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化... 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化铟薄膜的"生长窗口"。采用傅立叶红外透射光谱分析技术对非晶态锑化铟薄膜进行了光学性能研究,在0.9～2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数,研究了其光学带隙和吸收边附近的3个吸收区域。 展开更多
关键词 非晶态锑化铟 射频磁控溅射 光学带隙
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激光辐照锑化铟红外探测器的热应力损伤研究 被引量：1
14
作者 刘洋 张悦 +1 位作者 牛春晖 吕勇 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期827-831,共5页
通过介绍锑化铟红外探测器的基本构成及其材料热力学相关特征,阐述了激光辐照锑化铟红外探测器造成的损伤机理,采用有限元分析法,分析相关的辐照环境和条件并建立了一种三维仿真模型。仿真模拟了波长为10.6μm的CO_2激光辐照锑化铟红外... 通过介绍锑化铟红外探测器的基本构成及其材料热力学相关特征,阐述了激光辐照锑化铟红外探测器造成的损伤机理,采用有限元分析法,分析相关的辐照环境和条件并建立了一种三维仿真模型。仿真模拟了波长为10.6μm的CO_2激光辐照锑化铟红外探测器时各部分的温度变化及应力变化情况,通过数值分析比较了在光斑面积一定的情况下经过不同功率的激光辐照后锑化铟探测器表面径向及内部轴向发生的温度场变化及应力场变化;探测器表面应力值经过10~6W/cm^2的激光辐照后很快达到最高点,造成损伤,锑化铟与铟柱接触部分的应力值随光斑半径大小不同而有所变化。将锑化铟探测器材料的应力损伤阈值及变化趋势同已有实验数据进行对比,验证了模型的精确性。 展开更多
关键词 锑化铟 有限元 应力场变化 损伤阈值
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昆明物理所锑化铟红外材料、器件研究进展 被引量：4
15
作者 雷胜琼 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期15-18,共4页
简要报道昆明物理研究所锑化铟体晶材料、弹用锑化铟红外探测器组件和320×256锑化铟焦平面器件的最新进展.
关键词 锑化铟 材料 探测器组件 焦平面
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大直径锑化铟单晶位错控制研究 被引量：2
16
作者 郝秋来 李文华 林均挺 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期22-29,共8页
本文采用的晶体生长装置具有特别的生长室结构,其外壳为不锈钢水套,可保证生长室与外界热隔离,使晶体生长不受外界干扰;另外,生长室尺寸较大,外壳直径为500mm,可使用外径达Φ100mm的坩埚;又采用了自动等径控制技术,因而可生长出大直径(... 本文采用的晶体生长装置具有特别的生长室结构,其外壳为不锈钢水套,可保证生长室与外界热隔离,使晶体生长不受外界干扰;另外,生长室尺寸较大,外壳直径为500mm,可使用外径达Φ100mm的坩埚;又采用了自动等径控制技术,因而可生长出大直径(Φ30～45mm)的锑化铟单晶。通过调整生长室内的温场,有效地控制了锑化铟单晶中的位错数量,得到了位错密度非常小的锑化铟晶片(EPD<10~2cm^(-2))。 展开更多
关键词 锑化铟 晶体生长 位错密度
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化学腐蚀对锑化铟表面的影响 被引量：2
17
作者 于福聚 张月琴 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS 1984年第2期111-116,共6页
测量与分析表明,锑化铟晶片的表面状况与化学腐蚀密切相关,起因于腐蚀液对表面的择优腐蚀及氧化。讨论了制备高性能器件的合理腐蚀步骤。
关键词 晶片 俄歇电子 带电粒子 化学腐蚀 光电子能谱仪 锑化物 锑化铟 腐蚀液
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磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器 被引量：1
18
作者 黄钊洪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期236-237,共2页
发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后 ,对脉冲变化的红外光的照射 ,它的输出信号增强了。采用灵敏度 K1=3 .6 ,K2 =1 .0 2 (B=0 .3 T)的两个磁阻元件 ,在 B=0 .1 5～ 0 .2 T偏磁系统中 ,用峰值波长 λp=940 nm的红外光脉冲照... 发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后 ,对脉冲变化的红外光的照射 ,它的输出信号增强了。采用灵敏度 K1=3 .6 ,K2 =1 .0 2 (B=0 .3 T)的两个磁阻元件 ,在 B=0 .1 5～ 0 .2 T偏磁系统中 ,用峰值波长 λp=940 nm的红外光脉冲照射 ,可使输出电压比没有偏磁时增大 3倍以上 ,输出信号电压 (S)与本底噪声电压 (N)之比为 2 5∶ 1 (S/N=2 8db)。 展开更多
关键词 磁阻效应 红外 光电传感器 锑化铟
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256元锑化铟光伏焦平面探测器 被引量：1
19
作者 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期106-108,共3页
本文从几个方面简要介绍了256元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况，并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求，另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互连及测试工作。最后介绍了器件的测试结果及一些... 本文从几个方面简要介绍了256元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况，并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求，另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互连及测试工作。最后介绍了器件的测试结果及一些应用情况。 展开更多
关键词 锑化铟 光伏焦平面 红外探测器
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薄膜型锑化铟磁阻元件的研制
20
作者 于成民 安银姬 李颖 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1991年第2期17-19,共3页
本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥... 本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥1.75的磁阻元件。主要技术指标达到了目前国际同类产品水平。 展开更多
关键词 薄膜 锑化铟 磁阻元件 半导体
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