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分光光度法测量铝镓氮外延片中的铝含量
1
作者 刘运传 王雪蓉 +3 位作者 孟祥艳 周燕萍 段剑 郑会保 《化学分析计量》 CAS 2013年第4期18-20,共3页
采用熔融的氢氧化钠刻蚀在蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延层，用深紫外光致发光光谱仪测量铝镓氮的荧光光谱来控制铝镓氮层的刻蚀深度，用盐酸将含铝氢氧化钠中和并调节至酸性（pH1-2）后转移至250mL的容量瓶内定容，用铬天青S络合显色... 采用熔融的氢氧化钠刻蚀在蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延层，用深紫外光致发光光谱仪测量铝镓氮的荧光光谱来控制铝镓氮层的刻蚀深度，用盐酸将含铝氢氧化钠中和并调节至酸性（pH1-2）后转移至250mL的容量瓶内定容，用铬天青S络合显色，用分光光度计在546nm处测定吸光度来确定铝的浓度。该法测量结果的相对标准偏差为1．1％（n=5），加铝标准溶液做回收试验，回收率为96％～103％。该法可用于铝镓氮外延片中铝含量的准确测量。 展开更多
关键词 铝镓氮外延片 分光光度法 铬天青S 络合物
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铝镓氮薄膜双光子吸收效应 被引量：1
2
作者 张玮 王迎威 +2 位作者 肖思 顾兵 何军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期1605-1610,共6页
基于飞秒激发Z扫描实验技术,研究了氮化镓薄膜和不同铝掺杂含量的掺铝氮化镓(以下简称铝镓氮)薄膜的超快非线性光学响应特性。在开孔Z-scan测试中,纯Ga N晶体薄膜表现出典型的双光子吸收特性,双光子吸收系数为3.5 cm/GW,且随着激发光强... 基于飞秒激发Z扫描实验技术,研究了氮化镓薄膜和不同铝掺杂含量的掺铝氮化镓(以下简称铝镓氮)薄膜的超快非线性光学响应特性。在开孔Z-scan测试中,纯Ga N晶体薄膜表现出典型的双光子吸收特性,双光子吸收系数为3.5 cm/GW,且随着激发光强的增大而逐渐减小。随后测试了不同铝掺杂含量的Al_xGa_(1-x)N薄膜的非线性吸收系数。结果表明,随着铝掺杂摩尔分数的提高(0,19%,32%,42%),非线性吸收系数逐渐减小(18,10,6,5.6 cm/GW)。结合半导体非线性吸收理论分析,Al_xGa_(1-x)N薄膜材料的非线性过程主要是双光子吸收主导非线性响应物理过程。实验结果与半导体双光子吸收过程Sheik-Bahae理论符合得很好。 展开更多
关键词 铝镓氮薄膜 双光子吸收 能带调控
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热退火对氮铝镓MSM结构紫外光电探测器性能的影响 被引量：1
3
作者 邢大林 赵曼 +2 位作者 唐亮 王嘉 李健 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2011年第2期154-156,168,共4页
宽带隙半导体合金材料AlxGa1-xN成为紫外光电探测器的优选材料,本文通过金属有机气相外延(MOCVD)的方法在Al2O3衬底上制备出Al0.25Ga0.75N合金薄膜,并通过紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备出平面对称结构的金属-半导体-金属(MSM)叉指电极... 宽带隙半导体合金材料AlxGa1-xN成为紫外光电探测器的优选材料,本文通过金属有机气相外延(MOCVD)的方法在Al2O3衬底上制备出Al0.25Ga0.75N合金薄膜,并通过紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备出平面对称结构的金属-半导体-金属(MSM)叉指电极结构,通过器件在氮气气氛下不同温度的退火,使得器件的响应度得到很大的提高,在1V偏压下达到3.25A/W,同时对器件的其它参数进行了深入的分析。 展开更多
关键词 氮铝镓 紫外 光电探测器 热退火
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梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
4
作者 李宝珠 黄振 +4 位作者 邓高强 董鑫 张源涛 张宝林 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期780-785,共6页
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜... 采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和拉曼光谱对氮化镓外延层进行表征。实验结果表明,随着氮化镓外延层中张应力的降低,样品的晶体质量、表面形貌和光学质量都有显著提高。在最优的梯度铝镓氮缓冲层的生长条件下,氮化镓外延层中的应力值最小,氮化镓(0002)和(1012)面的摇摆曲线半峰宽分别为191 arcsec和243 arcsec,薄膜螺位错密度和刃位错密度分别为7×10~7cm^(-2)和3.1×108cm^(-2),样品表面粗糙度为0.381 nm。这说明梯度铝镓氮缓冲层可以改变氮化镓外延层的应力状态,显著提高氮化镓外延层的晶体质量。 展开更多
关键词 氮化镓 梯度铝镓氮缓冲层 晶体质量 应力
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铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力影响因素研究 被引量：4
5
作者 闫磊 石峰 +5 位作者 单聪 程宏昌 郭欣 刘晖 罗洋 张晓辉 《红外技术》 CSCD 北大核心 2020年第8期729-734,共6页
针对铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力远小于同结构类型砷化镓光阴极像增强器极限分辨力的问题,基于紫外光激发荧光粉发光的特性,搭建了铝镓氮光阴极的紫外光传输特性评测装置,对铝镓氮光阴极紫外光传输特性进行了测量,并依据非衍射光学... 针对铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力远小于同结构类型砷化镓光阴极像增强器极限分辨力的问题,基于紫外光激发荧光粉发光的特性,搭建了铝镓氮光阴极的紫外光传输特性评测装置,对铝镓氮光阴极紫外光传输特性进行了测量,并依据非衍射光学系统传函方程推算了铝镓氮光阴极的紫外光学传递函数;依据近贴聚焦系统调制传递函数方程,并基于制备的铝镓氮光阴极像增强器的分辨力测试数据,推导了铝镓氮光阴极像增强器的前近贴聚焦系统调制传递函数方程;通过对比研究铝镓氮光阴极的紫外光调制传递函数方程和铝镓氮光阴极像增强管的前近贴聚焦系统调制传递函数方程对系统传函影响的比例权重,提出紫外光在铝镓氮光阴极内部传输时紫外光散射,以及紫外光激发载流子在铝镓氮激活层中的散射和发射电子散射均是造成铝镓氮光阴极像增强管极限分辨力低的因素,且紫外光激发载流子在铝镓氮激活层中的散射和发射电子散射是最主要的影响因素。 展开更多
关键词 极限分辨力 铝镓氮光阴极 像增强器
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铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器辐射增益研究 被引量：3
6
作者 程宏昌 石峰 +2 位作者 姚泽 闫磊 杨书宁 《红外技术》 CSCD 北大核心 2020年第8期709-714,共6页
铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器以日盲特性优、探测灵敏度高等特点,已被广泛应用于日盲紫外探测系统中,辐射增益是表征其增强功能的重要指标之一。本文针对铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器辐射增益数学模型及测试方法缺乏问题,采用在... 铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器以日盲特性优、探测灵敏度高等特点,已被广泛应用于日盲紫外探测系统中,辐射增益是表征其增强功能的重要指标之一。本文针对铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器辐射增益数学模型及测试方法缺乏问题,采用在微光像增强器亮度增益数学模型基础上,对光电阴极引入入射辐射照度,对荧光屏引入视见函数这两个量值,推导出了有效直径为Ф18 mm的双近贴聚焦铝镓氮光电阴极紫外像增强器辐射增益(λ=254 nm)的数学模型,采用实验室标准设备对数学模型中光电阴极量子效率、微通道板电流增益、荧光屏发光效率等参数进行了有效测量,将诸参数的测量值带入了辐射增益数学表达式中,计算出了10支铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器样品的辐射增益理论值;同时改造完成了一套紫外像增强器辐射增益测试系统,利用该系统测试了上述10支样品的辐射增益,并对数学理论值与实际测量值进行比较,两者偏差在10%之内,验证了数学模型和测试系统的正确性。本文研究的辐射增益数学模型可指导高辐射增益紫外像增强器技术相关研究。 展开更多
关键词 铝镓氮光电阴极 紫外像增强器 辐射增益 辐射照度 辐射出射度
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氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)
7
作者 张泽 王岩国 李辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期253-258,共6页
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ... 直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ,纳米颗粒中心将出现空洞 ,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面。电子显微分析及分子力学理论计算表明 ,这种新的调制结构系空位的有序排列所致。在此基础上 ,进一步研究了InGaN AlGaN的双异质结薄膜结构中直径约为 5 0nm的空洞存在与发光失效的关系 ,讨论了N 展开更多
关键词 氮空位 GaN InGaN/algan 双异质结 聚集 氮化镓 氮铟镓 铝镓氮 纳米颗粒 调制结构 高分辨透射电子显微术 选区电子衍射 分子力学
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氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED
8
作者 张源涛 邓高强 孙瑜 《吉林大学学报（信息科学版）》 CAS 2023年第5期767-772,共6页
针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.3... 针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.35)N电子提供层、 Al_(0.65)Ga_(0.35)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N多量子阱、组分渐变p-Al_(x)Ga_(1-x)N和n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结构成。研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的空穴注入效率,提高了LED器件的电流扩展能力。通过模拟软件对半导体器件载流子输运、光电特性的模拟,有助于加深对半导体器件物理特性的理解。若在“半导体器件物理”学习课程加入对半导体器件模拟软件的学习,能有效提升学生对半导体器件物理知识的理解和探索。 展开更多
关键词 深紫外LED 隧道结 铝镓氮 氮化物半导体
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氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
9
作者 焦晋平 任舰 +1 位作者 闫大为 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期106-110,共5页
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电... 制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。 展开更多
关键词 铝镓氮 氮化镓 肖特基二极管 缺陷辅助隧穿 热发射 Frenkel-Poole发射
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Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展 被引量：14
10
作者 龚海梅 李向阳 +6 位作者 亢勇 许金通 汤英文 李雪 张燕 赵德刚 杨辉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期812-816,共5页
文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用。然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻... 文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用。然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等方面;最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一些评述。 展开更多
关键词 紫外探测器 氮化镓 铝镓氮 紫外焦平面器件
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新型的AlGaN/PZT材料紫外/红外双波段探测器 被引量：6
11
作者 张燕 王妮丽 +4 位作者 孙璟兰 韩莉 刘向阳 李向阳 孟祥建 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第2期210-212,255,共4页
提出了一种可以同时同位置探测紫外和红外信号的新型探测结构,分析了该结构的合理性,并对器件工艺进行了设计、分析和验证,制备出了AlGaN/PZT原型器件。该结构以AlGaN多层材料和PZT复合薄膜为基础,利用AlGaN宽禁带半导体的本征吸收和铁... 提出了一种可以同时同位置探测紫外和红外信号的新型探测结构,分析了该结构的合理性,并对器件工艺进行了设计、分析和验证,制备出了AlGaN/PZT原型器件。该结构以AlGaN多层材料和PZT复合薄膜为基础,利用AlGaN宽禁带半导体的本征吸收和铁电薄膜的热电转化功能,实现对紫外和红外信号的电学响应。对该结构中各膜层的透射和吸收进行了测试和分析,在小于6μm的光谱测试范围内,宝石衬底的透过率约为80%,而AlGaN多层外延结构和多孔SiO2隔离层都对红外光吸收很少。结果证明:该结构可以实现不同吸收层对入射光束不同波段的吸收。以AlGaN器件工艺和溶胶-凝胶法制备PZT膜层为基础,研究了器件工艺,并最终研制出了首个AlGaN/PZT探测器件。 展开更多
关键词 探测器 结构模型 透射光谱 铝镓氮/钛酸铝
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含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN／GaNHEMT 被引量：5
12
作者 倪金玉 董逊 +7 位作者 周建军 孔岑 李忠辉 李亮 彭大青 张东国 陆海燕 耿习娇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期527-531,共5页
采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料... 采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料表面平整光滑,晶体质量和电学性能良好,2DEG面密度为1.12×1013cm-2,迁移率为1 208cm2/(V.s)。由该材料研制的栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT器件,电流增益截止频率fT达到10.4GHz,这些结果表明组分阶变AlGaN过渡层技术可用于实现高性能Si基GaN HEMT。 展开更多
关键词 硅衬底 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 过渡层
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0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用 被引量：5
13
作者 任春江 王泉慧 +7 位作者 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期433-437,共5页
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度... 报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性。研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fmax为24 GHz,6 GHz下的MSG为17 dB,满足C波段及以下频段应用要求。对1.25 mm栅宽GaN HEMT在2 GHz、28 V工作电压下的负载牵引,最佳功率匹配的功率附加效率66%,对应输出功率以及功率增益分别为38.0 dBm和17.3 dB。对大栅宽GaN HEMT器件的版图进行了优化以利于散热,并将其应用于输出功率60 W的L波段功率模块末级开发。 展开更多
关键词 I线步进光刻 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 难熔栅
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AlGaN/GaN界面特性研究进展 被引量：5
14
作者 郝跃 张金凤 《微纳电子技术》 CAS 2002年第10期1-7,共7页
GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGa... GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGaN/GaNHEMT设计出发,给出了材料性质和结构参数对AlGaN/GaN异质结二维电子气特性影响的研究结果;讨论了AlGaN/GaN界面2DEG载流子的输运性质;分析了材料缺陷对AlGaN/GaN界面2DEG性质的影响;指出了有待研究的问题和方向。 展开更多
关键词 algan/GAN异质结 二维电子气 表面特性 氮化镓 铝镓氮三元化合物
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RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 被引量：1
15
作者 胡国新 孙殿照 +5 位作者 王晓亮 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期316-318,共3页
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线... 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6arcmin .;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730cm2 /Vs ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 12 cm-2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0mS/mm (栅长 1微米 ) ,截止频率达 13 .2 5GHz(栅长 0 .5微米 ) ,可在 30 展开更多
关键词 RF-MBE 二维电子材料 algan/GAN 半导体材料 分子束处延生长 氮化镓 铝镓氮三元合金
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AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究 被引量：3
16
作者 祃龙 王燕 +1 位作者 余志平 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期172-176,共5页
实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计... 实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓 泊松方程 薛定谔方程 自洽解 二维电子气
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AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究 被引量：1
17
作者 胡正飞 沈晓明 +5 位作者 周盛容 侯艳芳 梁骏吾 李向阳 龚海梅 李雪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期867-872,共6页
文章通过A lGaN材料的金属接触制作工艺和接触性能、接触界面显微结构和基础理论研究等诸方面反映A lGaN材料的欧姆接触及势垒接触研究概况和最新进展。
关键词 铝镓氮材料 欧姆接触 界面 显微结构
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AlGaN PIN结构紫外探测器研制和建模分析 被引量：1
18
作者 周劲 郝一龙 武国英 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期422-425,共4页
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值。探讨了Al GaNpin紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器件性能的影响。提出改进
关键词 algan PIN结构 紫外探测器 铝镓氮化合物 性能 材料生长
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AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器材料的研制 被引量：1
19
作者 刘波 袁凤坡 +3 位作者 尹甲运 盛百城 房玉龙 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期284-287,298,共5页
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/Ⅲ)等工艺条件,得到了高质量的AlN和高铝组分AlGaN材料。AlN材... 采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/Ⅲ)等工艺条件,得到了高质量的AlN和高铝组分AlGaN材料。AlN材料X射线双晶衍射ω(002)半宽为74 arcsec,透射光谱测试带边峰位于205 nm,带边陡峭;Al组分为45%的AlGaN材料X射线双晶衍射ω(002)半宽为223 arcsec,透射光谱测试带边峰位于272 nm,带边陡峭。采用此外延工艺方法生长了AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器材料并进行了器件工艺流片,研制出AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器,响应峰值波长为262 nm,在零偏压下的峰值响应度达到0.117 A/W。 展开更多
关键词 金属有机气相沉积 蓝宝石衬底 氮化铝 铝镓氮 日盲紫外探测器
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Cl_2/Ar/BCl_3ICP刻蚀AlGaN的研究 被引量：1
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作者 陈亮 亢勇 +3 位作者 朱龙源 赵德刚 李向阳 龚海梅 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期7-9,共3页
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE,ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用Ni作为掩膜,Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体,对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究... 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE,ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用Ni作为掩膜,Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体,对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究。刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加,刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀表面的扫描电镜(SEM)分析和俄歇电子能谱(AES)深度分析对刻蚀结果进行了讨论。分析表明,在满足刻蚀表面形貌的同时,较低的直流偏压下刻蚀速率较慢,但损伤较小,这对于制备高性能的紫外探测器是有利的。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 铝镓氮 扫描电镜 俄歇电子能谱
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