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Al离子注入对SiC-C/SiC复合材料抗氧化性能影响研究
被引量：
3
1
作者
马国佳
刘亮
+2 位作者
武洪臣
张华芳
彭丽平
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第S1期136-138,共3页
用金属真空阴极弧(MEVVA)离子源对SiC-C/SiC复合材料进行Al离子注入来改善其抗氧化性能。通过俄歇电子能谱和扫描电镜分别对复合材料的Al离子浓度分布及表面形貌进行了表征,并在1300℃的空气中进行了氧化实验,结果表明Al离子注入能够有...
用金属真空阴极弧(MEVVA)离子源对SiC-C/SiC复合材料进行Al离子注入来改善其抗氧化性能。通过俄歇电子能谱和扫描电镜分别对复合材料的Al离子浓度分布及表面形貌进行了表征,并在1300℃的空气中进行了氧化实验,结果表明Al离子注入能够有效改善复合材料的抗氧化性能而不影响它的力学性能。
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关键词
真空弧
离子
源
SiC-C/SiC
铝离子注入
氧化实验
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职称材料
退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响
被引量：
1
2
作者
许小亮
施朝淑
+3 位作者
陈永虎
Luo E Z
Sundaravel B
Wilson I H
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002年第2期84-91,共8页
首次报道了用不同浓度的Ａｌ离子注入于蓝宝石衬底上的ＧａＮ薄膜（注入能量为５００ｋｅＶ、注入浓度为１０１４～１０１５ ｃｍ－２）， 在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在１２Ｋ下用Ｈｅ－Ｃｄ...
首次报道了用不同浓度的Ａｌ离子注入于蓝宝石衬底上的ＧａＮ薄膜（注入能量为５００ｋｅＶ、注入浓度为１０１４～１０１５ ｃｍ－２）， 在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在１２Ｋ下用Ｈｅ－Ｃｄ 激光（３２５ｎｍ）激发得到其发射谱。结果显示， 经大剂量Ａｌ注入后的样品，其光致发光谱中３．４５ｅＶ的带边激子发光以及２．９ ～ ３．３ｅＶ的４个声子伴随峰消失。此表明大剂量Ａｌ注入对ＧａＮ的晶体结构造成严重的损伤，以致本征发光消失。经１０１４ｃｍ－２剂量Ａｌ注入后的样品，在Ｎ２气氛中退火处理后，２．２ｅＶ缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且，经常规退火处理后，此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好（其积分光强高３倍）。相似的结果亦显示于１０１５ ｃｍ－２ 浓度的Ａｌ 注入的样品。２．２ｅＶ 黄色荧光源于ＧａＮ的缺陷（如Ｇａ空位（ＶＧａ）， 或ＶＧａＨ２，或ＶＧａ－ＯＮ 复合体），其能级位于价带顶以上约１．１ｅＶ处。荧光发射可以来自"导带缺陷能级"的跃迁，也可能来自浅施主（如Ｎ位Ｏ，能级位于导带下～１０ ｍｅＶ）至上述缺陷能级之间的跃迁。Ｉ－Ｖ 测量显示，Ａｌ的注入区成为 ～ １０?
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关键词
Al
离子注入
GAN
发光特性
退火
铝离子注入
氮化镓
电子陷阱
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职称材料
题名
Al离子注入对SiC-C/SiC复合材料抗氧化性能影响研究
被引量：
3
1
作者
马国佳
刘亮
武洪臣
张华芳
彭丽平
机构
北京航空制造研究所高能束流加工技术国防科技重点实验室
哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第S1期136-138,共3页
文摘
用金属真空阴极弧(MEVVA)离子源对SiC-C/SiC复合材料进行Al离子注入来改善其抗氧化性能。通过俄歇电子能谱和扫描电镜分别对复合材料的Al离子浓度分布及表面形貌进行了表征,并在1300℃的空气中进行了氧化实验,结果表明Al离子注入能够有效改善复合材料的抗氧化性能而不影响它的力学性能。
关键词
真空弧
离子
源
SiC-C/SiC
铝离子注入
氧化实验
Keywords
vapor vacuum arc ion source
C/SiC composites
Al ion implantation
oxidation test
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响
被引量：
1
2
作者
许小亮
施朝淑
陈永虎
Luo E Z
Sundaravel B
Wilson I H
机构
中国科学技术大学物理系
香港中文大学电子工程系
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002年第2期84-91,共8页
基金
中国博士后基金会暨王宽诚基金会资助项目 (1999No.5
2000No.17)
安徽省自然科学基金资助项目(0046506
文摘
首次报道了用不同浓度的Ａｌ离子注入于蓝宝石衬底上的ＧａＮ薄膜（注入能量为５００ｋｅＶ、注入浓度为１０１４～１０１５ ｃｍ－２）， 在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在１２Ｋ下用Ｈｅ－Ｃｄ 激光（３２５ｎｍ）激发得到其发射谱。结果显示， 经大剂量Ａｌ注入后的样品，其光致发光谱中３．４５ｅＶ的带边激子发光以及２．９ ～ ３．３ｅＶ的４个声子伴随峰消失。此表明大剂量Ａｌ注入对ＧａＮ的晶体结构造成严重的损伤，以致本征发光消失。经１０１４ｃｍ－２剂量Ａｌ注入后的样品，在Ｎ２气氛中退火处理后，２．２ｅＶ缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且，经常规退火处理后，此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好（其积分光强高３倍）。相似的结果亦显示于１０１５ ｃｍ－２ 浓度的Ａｌ 注入的样品。２．２ｅＶ 黄色荧光源于ＧａＮ的缺陷（如Ｇａ空位（ＶＧａ）， 或ＶＧａＨ２，或ＶＧａ－ＯＮ 复合体），其能级位于价带顶以上约１．１ｅＶ处。荧光发射可以来自"导带缺陷能级"的跃迁，也可能来自浅施主（如Ｎ位Ｏ，能级位于导带下～１０ ｍｅＶ）至上述缺陷能级之间的跃迁。Ｉ－Ｖ 测量显示，Ａｌ的注入区成为 ～ １０?
关键词
Al
离子注入
GAN
发光特性
退火
铝离子注入
氮化镓
电子陷阱
Keywords
GaN
luminescence properties
annealing effects
aluminum-implantation
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al离子注入对SiC-C/SiC复合材料抗氧化性能影响研究
马国佳
刘亮
武洪臣
张华芳
彭丽平
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
2
退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响
许小亮
施朝淑
陈永虎
Luo E Z
Sundaravel B
Wilson I H
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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