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带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件: 1; 作者陈晓娟张一川 +6 位作者张昇李艳奎牛洁斌黄森马晓华张进成魏珂《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期483-489,共7页; 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍... 展开更多; 关键词 AlN/GaN 金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管 KA波段低损耗低偏压; 在线阅读下载PDF 职称材料

高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量：3: 2; 作者李茂林陈万军 +6 位作者王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页; 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终... 展开更多; 关键词增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压界面态热氧化退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究: 3; 作者张雪锋季红兵 +5 位作者邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期485-488,共4页; 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁... 展开更多; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质散射迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响: 4; 作者戚永乐王登贵 +5 位作者周建军张凯孔岑孔月婵于宏宇陈堂胜《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第3期229-234,共6页; 基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影... 展开更多; 关键词氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管栅介质静电释放结构经时击穿; 在线阅读下载PDF 职称材料

磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT: 5; 作者任春江陈堂胜 +3 位作者焦刚钟世昌薛舫时陈辰《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期330-333,368,共5页; 报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够... 展开更多; 关键词场板铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管氮化铝金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 6; 作者张雪锋季红兵 +2 位作者邱云贞王志亮徐静平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页; 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO... 展开更多; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量：2: 7; 作者张佩佩张辉 +5 位作者张晓东于国浩徐宁宋亮董志华张宝顺《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期815-822,共8页; 由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量... 展开更多; 关键词 ALGAN/GAN 复合栅介质金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(MI-SHEMT) 阈值电压界面态; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件: 1; 作者陈晓娟张一川张昇李艳奎牛洁斌黄森马晓华张进成魏珂; 机构西安电子科技大学中国科学院微电子研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期483-489,共7页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(61822407,62074161,62004213) the National Key Research and De-velopment Program of China under(2018YFE0125700)。; 文摘本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_(GS)=2 V时最大饱和输出电流为2.2 A/mm,峰值跨导为509 m S/mm,在V_(GS)=-30 V时肖特基栅漏电流为4.7×10^(-6)A/mm。采用0.15μm T形栅技术,获得98 GHz的fT和165 GHz的f_(MAX)。大信号测量表明,在连续波模式下,漏极电压V_(DS)=8 V时,MIS HEMT在40 GHz下输出功率密度2.3 W/mm,45.2%的功率附加效率(PAE),而当V_(DS)增加到15 V时,功率密度提升到5.2 W/mm,PAE为42.2%。; 关键词 AlN/GaN 金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管 KA波段低损耗低偏压; Keywords AlN/GaN metal-insulator-semiconductor High Electron Mobility Transistors(MIS-HEMTs) millimeter wave low dispersion low drain voltage; 分类号 O48 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量：3: 2; 作者李茂林陈万军王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波; 机构电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页; 基金四川省青年科技基金资助项目(2017JQ0020) 广东省重大科技专项资助项目(2017B010112003) 中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2016Z006); 文摘采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。; 关键词增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压界面态热氧化退火; Keywords E-mode Al2O3/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor(MIS-HEMT) threshold voltage interface state thermal oxidation annealing; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究: 3; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期485-488,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003) 南通大学科研启动基金项目(09R08); 文摘为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质散射迁移率; Keywords Ge pMOSFET high-k dielectric scattering mobility; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN301.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响: 4; 作者戚永乐王登贵周建军张凯孔岑孔月婵于宏宇陈堂胜; 机构南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南方科技大学; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第3期229-234,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802)。; 文摘基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影响。结果表明,较小的栅介质面积有利于更长的器件寿命,而ESD保护结构有利于提升器件栅介质在高电压应力下的可靠性和稳定性,主要原因为SBD的寄生电容可有效吸收电脉冲感应在介质薄膜中产生的电荷。最后,通过线性E模型预测具有35 nm厚LPCVD-SiNx栅介质的AlGaN/GaN MIS-HEMTs在栅极电压为13 V条件下的击穿寿命可达20年(0.01%,T=25℃)。; 关键词氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管栅介质静电释放结构经时击穿; Keywords GaN MIS-HEMTs gate dielectric ESD structure time-dependent dielectrics breakdown(TDDB); 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT: 5; 作者任春江陈堂胜焦刚钟世昌薛舫时陈辰; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期330-333,368,共5页; 文摘报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。; 关键词场板铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管氮化铝金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管; Keywords field plate AlGaN/GaN HEMT AlN metal-insulator-semiconductor HEMT; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 6; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页; 基金国家自然科学基金(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003) 南通大学科研启动基金(09R08); 文摘为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率; Keywords Ge MOSFET TaON interlayer high-k dielectric scattering mobility; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量：2: 7; 作者张佩佩张辉张晓东于国浩徐宁宋亮董志华张宝顺; 机构杭州电子科技大学电子信息学院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期815-822,共8页; 基金国家自然科学基金青年基金资助项目(61306100) 江苏省重点研发计划资助项目(BE2016084) 中国科学院纳米器件与应用重点实验室青年支持项目(2017QZ01); 文摘由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量的AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）器件,并进行了直流测试。测试结果表明,在栅压为18 V时,器件的阈值回滞仅为150 mV,其特征导通电阻为1. 74 mΩ·cm^2（Vgs=2 V）,其击穿电压达到805 V （Ids=100μA/mm）。多频率C-V测试显示,界面态密度可低至2. 9×10^13eV^-1·cm^-2。因此,这种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为栅介质的方法,在改善器件的阈值回滞、击穿电压和界面态密度等方面效果显著。; 关键词 ALGAN/GAN 复合栅介质金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(MI-SHEMT) 阈值电压界面态; Keywords AlGaN/GaN gate dielectric stack metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor （MISHEMT） threshold voltage interface state; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件	陈晓娟张一川张昇李艳奎牛洁斌黄森马晓华张进成魏珂	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT	李茂林陈万军王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究	张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响	戚永乐王登贵周建军张凯孔岑孔月婵于宏宇陈堂胜	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT	任春江陈堂胜焦刚钟世昌薛舫时陈辰	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究	张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响	张佩佩张辉张晓东于国浩徐宁宋亮董志华张宝顺	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料