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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
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作者 李勇 谢海燕 +2 位作者 杨志强 宣春 夏洪富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期210-215,共6页
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后... 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 展开更多
关键词 高功率微波 金属氧化物半导体场效应管 半导体
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 被引量:2
2
作者 刁文豪 江伟华 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期565-568,共4页
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不... 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。 展开更多
关键词 脉冲功率 高电压 半导体开关 MARX发生器 金属氧化物半导体场效应管
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 被引量:4
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作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页
半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。 展开更多
关键词 Ga2O3单晶 Ga2O3外延 β-Ga2O3肖特基二极管 β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-Ga2O3鳍式场效应管(FinFET)
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金属-半导体氧化物催化剂 被引量:4
4
作者 陈怡萱 李文钊 《分子催化》 EI CAS CSCD 1990年第1期42-51,共10页
本文重点研究TiO_2、ZnO、SnO_2等半导体氧化物以及以此为担体的担载型金属-半导体组合催化材料;采用电导、TPD、TPR、TPSR等方法考察了这类材料和典型的电子受体和电子给体反应分子间的电子和物种的交换,并研究了金属-半导体组合界面... 本文重点研究TiO_2、ZnO、SnO_2等半导体氧化物以及以此为担体的担载型金属-半导体组合催化材料;采用电导、TPD、TPR、TPSR等方法考察了这类材料和典型的电子受体和电子给体反应分子间的电子和物种的交换,并研究了金属-半导体组合界面上的电子传递特性。 根据测试结果及催化反应的例证说明,在金属-半导体氧化物组合材料中金属可以活化反应分子,沟通电荷物种的交换渠道,而氧化物类似于“电子储库”。二者协同作用使组合体系具有良好的氧化还原化学感应和催化作用。 展开更多
关键词 金属-半导体氧化物催化剂 担载型 电子传递特性
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复合稀土锰氧化物材料电阻温度特性
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作者 杨建辉 唐超群 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-21,共3页
用复合方法制备了五种以La0 8Ca0 2 MnO3 和La0 8Pb0 2 MnO3 为基料不同质量比的复合样品 ,测量了它们低温区电阻随温度变化曲线 ,讨论了复合样品的转变温度TP 随La0 8Ca0 2 MnO3 的质量分数变化的原因 ,并分析了低温 10
关键词 复合稀土锰氧化物 半导体性质 固相反应法 金属-半导体转变温度 电阻温度特性
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γ射线作用下氧化铪基MOS结构总剂量效应研究
6
作者 丁曼 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期114-118,共5页
使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射... 使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射线光电子能谱方法测量得到了HfO2薄膜在辐照前后的化学结构变化。研究发现,使用原子层淀积方法制备的HfO2薄膜表面质量较高;γ射线辐照在HfO2栅介质中产生了数量级为1012cm^-2的负的氧化层陷阱电荷;HfO2薄膜符合化学计量比,介质内部主要的缺陷为氧空位且随着辐照剂量的增加而增加,说明辐照在介质中引入了陷阱从而导致MOS结构性能的退化。 展开更多
关键词 氧化 金属-氧化物-半导体器件 伽马射线 电离总剂量效应
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SiC MOSFET结温监测与控制技术综述 被引量:2
7
作者 张擎昊 郑大勇 张品佳 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第3期1034-1051,I0019,共19页
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)性能优越、发展迅猛,在工业界获得广泛应用。其失效与结温息息相关,故SiC MOSFET结温监控技术至关重要,近年来成为... 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)性能优越、发展迅猛,在工业界获得广泛应用。其失效与结温息息相关,故SiC MOSFET结温监控技术至关重要,近年来成为研究热点。文中将该技术分为经典结温监测、考虑老化影响的结温监测、结温控制3部分。对于经典结温监测技术,重点介绍热模型法和热敏电参数法的原理、模型、发展历程、缺点及优势;对于考虑老化影响的结温监测技术,重点分析老化对结温监测的影响,论述老化补偿技术的必要性并指出现有方法的局限性;对于结温控制技术,分析其意义,重点介绍内部控制法和外部控制法的原理,比较各类方法的优劣。最后,综合以上分析,指出SiC MOSFET结温监控领域存在的关键问题和发展方向,旨在为相关研究人员提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管 温变机理 结温监测 结温控制 器件老化
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先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 被引量:4
8
作者 刘远 恩云飞 +2 位作者 李斌 师谦 何玉娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页
器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高... 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。 展开更多
关键词 辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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SiC-MOSFET与Si-IGBT混合开关车载双向充电器中线桥臂设计及控制 被引量:8
9
作者 付永升 任海鹏 +3 位作者 李翰山 石磊 雷鸣 闫克丁 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第19期6330-6344,共15页
为增强电动汽车与电网的互动能力,车载双向充电器已成为现研究的热点。设计采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide-metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管(silicon-i... 为增强电动汽车与电网的互动能力,车载双向充电器已成为现研究的热点。设计采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide-metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管(silicon-insulated gate bipolar transistor Si-IGBT)相结合,完成了基于双有源桥(dual active bridge,DAB)与三相四线逆变器级联的双向充电系统。通过建立逆变器数学模型分析了不平衡负载下产生分裂电容电压震荡的原因,描述了震荡幅值与负载不平衡度之间的关系,为分裂电容值的选择提供了理论依据。对实际控制系统中存在的延迟,分析使用Si-IGBT构建中线桥臂的可行性,提出了基于虚拟阻抗的双向充电器在不平衡负载下中线桥臂与其他3个桥臂之间的解耦控制方法。并使用10kHz与50kHz开关频率验证了不平衡负载下该控制方法对分裂电容电压震荡的抑制作用。提出该系统在V2G,G2V及V2H这3种不同工作模式下的详细控制策略,通过实验验证了不同模式下的控制策略及中线解耦控制方法的可行性和有效性。并进一步分析该拓扑结构在V2H模式下同时为多个不同住宅提供单相电的可能性,为采用SiC设计类似的电力电子设备提供系统的设计方案及控制方法。 展开更多
关键词 车载双向充电器 碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET) 中线桥臂 三相四线逆变器 虚拟阻抗 控制延时
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亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型 被引量:1
10
作者 韩名君 柯导明 +2 位作者 王保童 王敏 徐春夏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2237-2241,共5页
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小... 本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合. 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应管 电势解析模型 氧化 空间电荷区
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考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型
11
作者 代月花 陈军宁 +2 位作者 柯导明 吴秀龙 徐超 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期333-337,共5页
基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明... 基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明该模型是基于物理的解析模型,具有相当精度,便于电路模拟与设计. 展开更多
关键词 量子效应 栅电容 反型层电容 耗尽层电容 表面电场 金属-氧化物-半导体场效应管
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基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能 被引量:3
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作者 周晓敏 马后成 高大威 《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页
为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器... 为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、SiC二极管]、SiC MOSFET和Si二极管的混合器件和全硅Si[绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、Si二极管]的变换器在电路损耗。结果表明:Si IGBT的开通和关断损耗约是SiC MOSFET的3倍和10倍,在不同工况下,全SiC变换器的转换效率比全Si变换器高1%~3.1%。因而,SiC功率器件在大功率DC-DC变换器的应用中,能够提高功率密度、可靠性和动力系统工作效率。 展开更多
关键词 燃料电池汽车 直流-直流(DC-DC)变换器 交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗
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一种基于等效栅极电阻控制的SiC MOSFET结温波动抑制方法
13
作者 王若隐 郑宏 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第12期4858-4869,I0028,共13页
通常限制碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)可靠性的根本因素是非平稳工况下的结温波动。文中提出的等效栅极电阻控制方法克服了在线连续修改驱动电阻的困难;在此... 通常限制碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)可靠性的根本因素是非平稳工况下的结温波动。文中提出的等效栅极电阻控制方法克服了在线连续修改驱动电阻的困难;在此基础上,提出一种主动热管理方法,通过改变开关损耗的方式来抑制结温波动,同时给出结温调节范围的推导过程;搭建逆变器实验平台,验证理论分析的正确性。实验结果表明,该方法可显著降低SiC MOSFET各功率波动阶段的温度波动,最大波动范围由18.83℃降至9.85℃,SiC MOSFET的寿命延长约2.18倍。此外,考虑系统的效率因素,提出温控操作区间和结温控制系数的概念;最后,通过实验验证所提出的方法的有效性。 展开更多
关键词 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 结温波动 主动热管理 等效栅极电阻控制 可靠性
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利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性
14
作者 陈平 黄美浅 +1 位作者 李旭 李观启 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期70-74,共5页
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率... 用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率先增大后 减小,阈值电压先减小后增大,而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明,上述参数的变化 是硅—二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果. 展开更多
关键词 背面Ar^+轰击 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 跨导 阈值电压 噪声
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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
15
作者 周志文 沈晓霞 李世国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。 展开更多
关键词 锗(Ge) N型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻
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高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究
16
作者 王锦荣 吴双娥 +5 位作者 米成栋 朱梦琦 程子源 高旭珍 史旭蓉 杜胜利 《量子电子学报》 北大核心 2025年第2期238-245,共8页
声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,... 声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,设计了一款高性能声光调制器驱动源。该驱动源以射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管放大模块RA07H0608M为核心器件,输入信号经阻抗匹配电路、高通滤波放大电路、功率放大电路后,最终输出到声光调制器中,同时,监测电路对工作温度和信号功率进行实时监测。实验结果表明,该声光调制器驱动源能够实现频率和功率的连续调谐,在75~85 MHz的工作频率范围内,输入输出信号具有良好的线性关系,输出功率高达1 W,并且同时具有超温和超功率自动关断保护功能,完全满足声光调制器长时间稳定运行的要求。 展开更多
关键词 光电子学 声光调制器驱动源 射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管 连续调谐 自动关断保护电路
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基于Au@PPy核壳结构纳米粒子自组装阵列的可程序化负微分电阻效应研究
17
作者 韩布兴 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第5期455-456,共2页
随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分... 随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分电阻效应现象经常出现在金属-氧化物-半导体器件或者半导体器件中。 展开更多
关键词 电阻效应 核壳结构纳米粒子 负微分 金属-氧化物-半导体器件 程序化 自组装 模拟数字转换 电子器件
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基于∑-ΔADC的低功耗运算放大器设计 被引量:2
18
作者 艾万朋 黄鲁 王建设 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期433-435,共3页
介绍了一种用于∑-ΔADC的低功耗运算放大器电路。该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压。仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益68 dB、单位增益带宽6.8 MHz、功耗仅为87.5μW,适... 介绍了一种用于∑-ΔADC的低功耗运算放大器电路。该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压。仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益68 dB、单位增益带宽6.8 MHz、功耗仅为87.5μW,适用于∑-ΔADC。 展开更多
关键词 -△模数转换器 互补金属氧化物半导体 运算放大器 折叠-共源共栅
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考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法 被引量:4
19
作者 任鹏 涂春鸣 +3 位作者 侯玉超 郭祺 刘海军 王鑫 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期128-136,共9页
首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一... 首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一个直流侧电压为半桥子模块一半的SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)全桥子模块,整体经济性较好。其次,提出一种面向输出电平数倍增的HMMC高、低频混合调制策略,并充分发挥SiC MOSFET开关损耗低的优势,在减小HMMC输出谐波的同时降低整体运行损耗。此外,分析混合调制策略下HMMC异质子模块直流侧能量的波动规律,提出一种高、低频模块直流侧电压稳定控制策略。最后,仿真和实验验证了所提HMMC拓扑结构和调制策略的可行性,并将所提HMMC、基于单一器件MMC和现有HMMC在损耗和成本方面进行综合对比,证明了该方案在降低损耗和减小成本方面优势显著。 展开更多
关键词 模块化多电平换流器 Si绝缘栅双极晶体管 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管 混合调制 电压平衡控制 效率优化
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栅氧老化下SiC MOSFET开通瞬态栅极振荡特性研究 被引量:1
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作者 李豪 成芮俊杰 +1 位作者 向大为 田鑫 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第9期3656-3664,I0027,共10页
栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素,该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息,重点研究... 栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素,该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息,重点研究栅氧老化对开通瞬态栅极高频振荡特性的影响。首先,分析SiC MOSFET栅氧老化机理及其对器件开通时间的影响。然后,建立开通瞬态栅极回路分阶段高频等效电路模型,揭示SiC MOSFET栅极开通振荡电流的形成机理和影响因素。最后,通过33 V高压栅偏加速老化实验进行验证。研究结果表明,随着栅氧老化程度的加深,SiC MOSFET阈值电压会逐渐增加而开通速度变慢,导致栅极开通振荡电流显著减小(约28%)。该文的工作有望为SiC MOSFET栅氧老化在线监测提供一种新的思路。 展开更多
关键词 碳化硅金属半导体氧化物场效应管(SiC MOSFET) 栅氧老化 栅极振荡 在线状态监测
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