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复合稀土锰氧化物材料电阻温度特性: 1; 作者杨建辉唐超群《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-21,共3页; 用复合方法制备了五种以La0 8Ca0 2 MnO3 和La0 8Pb0 2 MnO3 为基料不同质量比的复合样品 ,测量了它们低温区电阻随温度变化曲线 ,讨论了复合样品的转变温度TP 随La0 8Ca0 2 MnO3 的质量分数变化的原因 ,并分析了低温 10; 关键词复合稀土锰氧化物半导体性质固相反应法金属-半导体转变温度电阻温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

浅论低温对金属材料性能的影响被引量：14: 2; 作者李红英《现代矿业》 CAS 2011年第4期113-115,共3页; 介绍了金属材料低温下的力学性能变化和韧—脆转化温度的测定方法,对影响金属的韧—脆性转变的内外部影响因素进行了重点介绍,指出了低温材料的基本性能要求与应用领域。; 关键词金属材料冷脆性晶格类型韧-脆转变温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性被引量：6: 3; 作者肖芝燕张伟力 +3 位作者张喜田关承祥刘益春张吉英《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期343-347,共5页; 报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系。首先利用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结... 展开更多; 关键词纳米ZNO薄膜激子光致发光特性温度半导体材料氧化锌薄膜低压-金属有机化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3∶Ag_x多晶靶材的制备及其电输运性质: 4; 作者曹明刚刘翔 +5 位作者张辉尚杰段云彪兰军张少春张鹏翔《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期214-216,262,共4页; 采用固相反应法制备了不同Ag掺杂量的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)∶Agx(x为摩尔百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶靶材,XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.4... 展开更多; 关键词 LCMO∶Agx 固相法多晶靶材金属-绝缘转变温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中的导电机制: 5; 作者刘新典刘金伟李志青《河北工业大学学报》 CAS 2001年第5期85-88,共4页; １９５１年Ｚｅｎｅｒ提出“双交换作用模型”以解释钙钛矿型锰氧化物中在居里温度处同时发生的铁磁相到顺磁相及金属－半导体转变，近年来，在这类材料中发现了所谓的庞磁电阻效应，对其中的导电机制的研究有了新的进展．本文综述了... 展开更多; 关键词双交换作用小极化子庞磁电阻金属-半导体转变导电机制居里温度稀土锰氧化物钙钛矿结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

银掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜性能的影响: 6; 作者曹晓凤蒋洪川 +2 位作者张万里彭斌杨仕清《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第4期222-225,共4页; 用射频磁控溅射法在不同温度的Si(001)基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1(mol)%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得... 展开更多; 关键词掺杂射频磁控溅射金属-绝缘转变温度附加峰; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1: 7; 作者高秀秀柯攀戴小平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期217-221,236,共6页; 为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175... 展开更多; 关键词 4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱沟道迁移率库仑散射温度指数 TCAD仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究: 8; 作者韦拢韦覃如 +5 位作者赵鹏李政槺周镇峰林晓玲章晓文高汭《电子产品可靠性与环境试验》 2022年第S02期40-42,共3页; 负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道... 展开更多; 关键词负偏置温度不稳定性沟道长度金属-氧化物半导体场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名复合稀土锰氧化物材料电阻温度特性: 1; 作者杨建辉唐超群; 机构华中科技大学物理系; 出处《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-21,共3页; 文摘用复合方法制备了五种以La0 8Ca0 2 MnO3 和La0 8Pb0 2 MnO3 为基料不同质量比的复合样品 ,测量了它们低温区电阻随温度变化曲线 ,讨论了复合样品的转变温度TP 随La0 8Ca0 2 MnO3 的质量分数变化的原因 ,并分析了低温 10; 关键词复合稀土锰氧化物半导体性质固相反应法金属-半导体转变温度电阻温度特性; Keywords composite rare earth manganites solid\|state reaction process metal\|semiconductor transition temperature T P; 分类号 O472 [理学—半导体物理] O614.33 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名浅论低温对金属材料性能的影响被引量：14: 2; 作者李红英; 机构大同大学煤炭工程学院; 出处《现代矿业》 CAS 2011年第4期113-115,共3页; 文摘介绍了金属材料低温下的力学性能变化和韧—脆转化温度的测定方法,对影响金属的韧—脆性转变的内外部影响因素进行了重点介绍,指出了低温材料的基本性能要求与应用领域。; 关键词金属材料冷脆性晶格类型韧-脆转变温度; 分类号 TG115.52 [金属学及工艺—物理冶金]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性被引量：6: 3; 作者肖芝燕张伟力张喜田关承祥刘益春张吉英; 机构哈尔滨师范大学物理系中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期343-347,共5页; 基金中国科学院百人计划国家自然科学基金 +3 种基金黑龙江省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目黑龙江科学技术攻关计划项目资助项目; 文摘报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系。首先利用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构且具有择优(002)取向。室温下观察到一束强的紫外(3 26eV)光致发光(PL)和很弱的深能级(DL)发射。根据激子峰的半高宽(FWHM)与温度的关系,确定了激子纵向光学声子(LO)的耦合强度(ГLO)。; 关键词纳米ZNO薄膜激子光致发光特性温度半导体材料氧化锌薄膜低压-金属有机化学气相沉积; Keywords nanocrystalline ZnO thin film excitonic luminescence photoluminescence thermal oxidation LP-MOCVD; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3∶Ag_x多晶靶材的制备及其电输运性质: 4; 作者曹明刚刘翔张辉尚杰段云彪兰军张少春张鹏翔; 机构昆明理工大学光电子新材料研究所德国马普固体物理所; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期214-216,262,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50974066) 云南省自然科学基金资助项目(2009ZC013M); 文摘采用固相反应法制备了不同Ag掺杂量的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)∶Agx(x为摩尔百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶靶材,XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.40范围内有微小的涨落;另外R-T曲线显示,0≤x≤0.05时,金属-绝缘转变温度(Tp)开始升高很快,0.05<x≤0.40时逐渐变缓,最大值为192K,这比化学共沉淀法制备的多晶靶材(273K)低约80K,分析其原因可能是粉体粒度的不同所致。; 关键词 LCMO∶Agx 固相法多晶靶材金属-绝缘转变温度; Keywords LCMO∶Ag_x solid-phase sintering polycrystalline target metal-insulation transition temperature; 分类号 TM205 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中的导电机制: 5; 作者刘新典刘金伟李志青; 机构河北工业大学文理学院; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2001年第5期85-88,共4页; 文摘１９５１年Ｚｅｎｅｒ提出“双交换作用模型”以解释钙钛矿型锰氧化物中在居里温度处同时发生的铁磁相到顺磁相及金属－半导体转变，近年来，在这类材料中发现了所谓的庞磁电阻效应，对其中的导电机制的研究有了新的进展．本文综述了类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中导电机制的研究进展．; 关键词双交换作用小极化子庞磁电阻金属-半导体转变导电机制居里温度稀土锰氧化物钙钛矿结构; Keywords double-exchange small polaron colossal magnetoresistence metal-semiconductor transition; 分类号 TN304.3 [电子电信—物理电子学] O482.54 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名银掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜性能的影响: 6; 作者曹晓凤蒋洪川张万里彭斌杨仕清; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第4期222-225,共4页; 基金电子科技大学青年基金资助; 文摘用射频磁控溅射法在不同温度的Si(001)基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1(mol)%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得以改善,结晶温度降低至773 K以下,晶粒内双交换作用在晶界的传导加强,薄膜金属-绝缘转变温度升高到261 K,并在高温处薄膜的电阻-温度曲线有附加峰的出现。; 关键词掺杂射频磁控溅射金属-绝缘转变温度附加峰; Keywords Doping RF- magnetron sputtering metal-insulator（MI） transitiom appendent peaks; 分类号 TB42 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1: 7; 作者高秀秀柯攀戴小平; 机构湖南国芯半导体科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期217-221,236,共6页; 基金湖南省科技创新计划项目(2018XK2202)。; 文摘为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响。实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且沟道迁移率中库仑散射温度指数增加;高温N_(2)退火对静态电参数没有影响;界面空穴陷阱能级宽度对阈值电压的高温漂移量起主要作用;漏源电流随沟道迁移率的增加呈非线性增长。; 关键词 4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱沟道迁移率库仑散射温度指数 TCAD仿真; Keywords 4H-SiC double implanted metal-oxide-semiconductor field effect transistor(DIMOSFET) interface trap channel mobility Coulomb scattering temperature index TCAD simulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究: 8; 作者韦拢韦覃如赵鹏李政槺周镇峰林晓玲章晓文高汭; 机构工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室华南理工大学电子与信息学院; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2022年第S02期40-42,共3页; 基金广州市科技计划项目(202002030299)资助; 文摘负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道器件,沟道长度越短,NBTI效应越严重。但是,针对多个器件单元串联组成的长沟道器件,NBTI效应只与每个器件单元的沟道长度有关,与器件单元数量无关。; 关键词负偏置温度不稳定性沟道长度金属-氧化物半导体场效应晶体管; Keywords Negative Bias Temperature Instability channel length pMOSFET; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	复合稀土锰氧化物材料电阻温度特性	杨建辉唐超群	《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	浅论低温对金属材料性能的影响	李红英	《现代矿业》 CAS	2011	14	在线阅读下载PDF 职称材料
3	纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性	肖芝燕张伟力张喜田关承祥刘益春张吉英	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3∶Ag_x多晶靶材的制备及其电输运性质	曹明刚刘翔张辉尚杰段云彪兰军张少春张鹏翔	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中的导电机制	刘新典刘金伟李志青	《河北工业大学学报》 CAS	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	银掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜性能的影响	曹晓凤蒋洪川张万里彭斌杨仕清	《红外技术》 CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响	高秀秀柯攀戴小平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究	韦拢韦覃如赵鹏李政槺周镇峰林晓玲章晓文高汭	《电子产品可靠性与环境试验》	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料