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基于纳米氧化钛电子传输层的量子点发光二极管器件的制备与研究
1
作者 张馨月 李芝 陈静 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第1期11-13,共3页
为了获得高效而经济的光电器件,采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QLED),并对其光电特性进行了测试。此器件基于纳米二氧化钛(Ti O2)的电子传输层,采用ITO玻璃作为阳极,Al为阴极,PEDOT为空穴注入层,TFB为空穴传输层,量子点(QD... 为了获得高效而经济的光电器件,采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QLED),并对其光电特性进行了测试。此器件基于纳米二氧化钛(Ti O2)的电子传输层,采用ITO玻璃作为阳极,Al为阴极,PEDOT为空穴注入层,TFB为空穴传输层,量子点(QD)作为发光层的结构。研究发现,QLED器件的开启电压为2.6 V,发光高度大于10 cd/m2。实验结果说明了Ti O2可以作为获得高效QLED器件以及其他光电器件的一种有效途径。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 湿法旋涂技术 二氧化钛 电子传输层
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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
2
作者 陈晓丽 陈佩丽 +3 位作者 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量... 采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。 展开更多
关键词 HF InP/GaP/ZnS量子点 光学性能 发光二极管
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基于多功能苯乙基溴化铵修饰层的喷墨打印钙钛矿量子点发光二极管 被引量：1
3
作者 陈逸群 林立华 +1 位作者 胡海龙 李福山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1343-1353,共11页
钙钛矿量子点(PQD)的喷墨打印技术在全彩显示应用中具有巨大潜力,但一些关键问题仍然影响其发光效率,例如不平衡的载流子注入、低质量的钙钛矿薄膜以及PQD自身的非辐射复合通道等。为解决这些问题,我们引入了界面修饰层苯乙基溴化铵(PEA... 钙钛矿量子点(PQD)的喷墨打印技术在全彩显示应用中具有巨大潜力,但一些关键问题仍然影响其发光效率,例如不平衡的载流子注入、低质量的钙钛矿薄膜以及PQD自身的非辐射复合通道等。为解决这些问题,我们引入了界面修饰层苯乙基溴化铵(PEABr)以平衡器件的载流子传输。PEABr与钙钛矿二元溶剂(甲苯、萘)具有相似的结构,可改善PQD的印刷特性和成膜能力,并有效钝化PQD膜的Br-空位和界面缺陷。基于这一策略,成功实现了在414 cd/m^(2)亮度下,最大外量子效率(EQE)达到8.82%、电流效率(CE)达到29.15 cd/A的喷墨打印钙钛矿量子点发光二极管(PeLED),为喷墨打印技术在未来显示领域中的应用提供了有益的思路。 展开更多
关键词 钙钛矿量子点 喷墨打印 电致发光器件 界面修饰
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自浸润式纳米压印耦合实现量子点发光二极管性能提升
4
作者 梁龙 郑悦婷 +2 位作者 林立华 胡海龙 李福山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期613-620,共8页
胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底... 胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底模式导致QLED器件大量光子被限制在内部无法利用。本文基于纳米压印工艺同时利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)材料本身的表面结合能开发出溶剂自浸润式纳米压印工艺,对压力依赖度低的同时简化了工艺流程,制备出高质量周期性的1.3,1,0.5μm三种尺寸的微纳结构图案层,对红、绿、蓝三色QLED器件进行耦合实现光提取。在这种情况下,1.3μm微纳结构耦合绿光QLED器件亮度达到715069 cd·m^(-2),最大外量子效率(External quantum efficiency,EQE)和电流效率分别提升至12.5%和57.3 cd·A^(-1);1μm尺寸耦合的蓝光QLED器件各电学性能提升接近200%;0.5μm尺寸耦合红光QLED器件EQE也从17.3%提升至20.5%。并通过角分布测试,证明微纳结构不会对QLED器件发光强度造成影响,仍然接近朗伯体发射。本工作提出的溶剂自浸润式纳米压印工艺及QLED光提取方法,为QLED的性能提升提供了一条简单有效的途径。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 纳米压印 耦合光学性能 光学仿真
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LiCl掺杂PEDOT∶PSS提高蓝光量子点发光二极管的性能
5
作者 王艳林 曹松 +2 位作者 余春燕 周利通 翟光美 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期771-780,共10页
基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率... 基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率、透光性以及所制备QLEDs器件性能的影响规律。实验结果表明,Li Cl的掺杂浓度(质量分数)为2%时蓝光QLED器件性能的提升效果最佳,这主要归因于Li Cl掺杂后的PEDOT∶PSS薄膜导电率和透光性的增强以及器件中空穴注入效率的提高。相较于未掺杂的PEDOT∶PSS基QLED器件,基于Li Cl掺杂的蓝光QLED器件的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率分别从5 083 cd·m^(-2)、0.91 cd·A^(-1)、0.59 lm·W^(-1)和2.31%提升到7 451 cd·m^(-2)、1.38 cd·A^(-1)、0.89 lm·W^(-1)和3.51%。结果表明,采用Li Cl掺杂PEDOT∶PSS空穴注入层是提高蓝光QLED性能的一种有效策略。 展开更多
关键词 蓝光量子点发光二极管 PEDOT∶PSS LiCl掺杂 空穴注入层 空穴注入
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2-己基癸酸改性的全溶液制备的CsPbBr_(3)量子点发光二极管
6
作者 吴加其 王程杨 +1 位作者 陆红波 朱俊 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期875-882,共8页
钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子... 钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子点表面脱落,进而引发量子点的不稳定性现象。此外,油酸油胺的绝缘特性会阻碍发光二极管中载流子的传输并恶化器件性能。鉴于此,本文以CsPbBr_(3)量子点为研究对象,采用短链配体2-己基癸酸(DA)部分取代长链OA配体,系统探究了不同DA/OA摩尔比对CsPbBr_(3)量子点光学性能的影响。结果表明,经DA修饰的CsPbBr_(3)量子点表现出高达88.64%的光致发光量子产率。随后,将优化后的CsPbBr_(3)量子点应用到全溶液制备的发光二极管中,器件的最高亮度和最大外量子效率分别从9 cd·m^(-2)和0.04%提升至155 cd·m^(-2)和0.14%。接着,通过优化钙钛矿发光层和空穴传输层之间的能级匹配,进一步将器件的亮度和外量子效率提升至436 cd·m^(-2)和0.20%。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)量子点 新型显示技术 发光二极管 配体取代 全溶液制备
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IPX7级防水柔性超高分辨量子点发光二极管
7
作者 董志华 林立华 +1 位作者 郭太良 李福山 《光电子技术》 2024年第4期282-288,共7页
采用封装胶/密封脂/封口膜的三重封装策略,柔性超高分辨量子点发光二极管(FUQLED)达到IPX7级防水标准。该FUQLED具备9 072 ppi的分辨率和10.8%的外量子效率(EQE),以及卓越的防水性能。在水下的工作寿命(LT50)超过60 min,即使在36 h的水... 采用封装胶/密封脂/封口膜的三重封装策略,柔性超高分辨量子点发光二极管(FUQLED)达到IPX7级防水标准。该FUQLED具备9 072 ppi的分辨率和10.8%的外量子效率(EQE),以及卓越的防水性能。在水下的工作寿命(LT50)超过60 min,即使在36 h的水下浸泡后,亮度依然保持在5 000 cd/m^(2)以上。这一防水架构为高信息密度的可穿戴医疗监测系统提供了极具前景的解决方案。 展开更多
关键词 封装 防水 纳米压印 量子点发光二极管
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无镉无铅环保型蓝光量子点及其发光二极管器件 被引量：3
8
作者 赵芳青 郝建华 王恺 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期203-215,共13页
量子点及其发光二极管器件在显示领域展现出极大的潜力。然而,研究较为成熟的镉系量子点和钙钛矿纳米晶由于含有镉和铅等元素,对环境和人类健康有着较大威胁,限制了其更大规模的应用,无镉无铅量子点及其发光二极管器件显示出更大的潜力... 量子点及其发光二极管器件在显示领域展现出极大的潜力。然而,研究较为成熟的镉系量子点和钙钛矿纳米晶由于含有镉和铅等元素,对环境和人类健康有着较大威胁,限制了其更大规模的应用,无镉无铅量子点及其发光二极管器件显示出更大的潜力。目前,红光和绿光的研究进展较快,而蓝光的报道较少,器件性能也明显落后。本文总结了以磷化铟(InP)、硒化锌(ZnSe)和卤化铜基钙钛矿(Cs3Cu2I5)为代表的几种无镉无铅蓝光量子点材料及其发光二极管器件的研究进展,分别从材料的结构设计、制备工艺以及器件的结构优化、性能表征等方面进行了总结和分析,并对未来无镉无铅环保型蓝光量子点及其发光二极管器件的发展进行了展望,从材料和器件两方面分别提出了可以继续探索和发展的方向。 展开更多
关键词 环保型 蓝光 量子点 量子点发光二极管
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量子点发光在显示器件中的应用 被引量：26
9
作者 张锋 薛建设 +2 位作者 喻志农 周伟峰 惠官宝 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期163-167,共5页
介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展。量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们的重视,成为显示领域新的研究热点。
关键词 量子点 发光二极管 显示器件 色域
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界面调控对柔性量子点电致发光器件性能的影响 被引量：5
10
作者 刘萍 李宇 +4 位作者 韦闯闯 钱磊 訚哲 邓振波 唐爱伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期641-656,共16页
近年来,柔性显示技术引起了人们的广泛关注,尤其在折叠手机、可穿戴电子等领域,柔性显示屏幕更是不可或缺。量子点发光二极管(Quantum dot light emitting diodes,QLEDs)因具有高色纯度、高效率、高稳定性等特点而在柔性显示领域展现了... 近年来,柔性显示技术引起了人们的广泛关注,尤其在折叠手机、可穿戴电子等领域,柔性显示屏幕更是不可或缺。量子点发光二极管(Quantum dot light emitting diodes,QLEDs)因具有高色纯度、高效率、高稳定性等特点而在柔性显示领域展现了独特的优势。本文首先介绍了柔性量子点发光二极管(flex-QLEDs)及其近期进展,然后讨论了器件结构及界面调控对发光性能的影响。在多层异质结构的flex-QLEDs的基础上,总结了三种界面调控方法:阳极界面调控、阴极界面调控、发光层调控。调控聚焦于降低表面粗糙度、增强界面结合力、优化各层能级。最后,对目前flex-QLEDs的性能进行了比较与总结,并对未来面临的挑战和机遇进行了展望。 展开更多
关键词 界面调控 柔性器件 电致发光 量子点
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团聚效应对基于CdSe/ZnS量子点的电致发光二极管性能的影响 被引量：3
11
作者 王立 荣佳玲 +2 位作者 曹进 朱文清 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1351-1356,共6页
通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄... 通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄膜形成,QD纳米颗粒发生团聚现象,并使器件亮度降低。此外,退火温度对QD薄膜形貌及其发光强度影响很大:当退火温度高于150℃时,产生的热量也会造成QD纳米粒子团聚,并导致QLED器件发光性能下降。 展开更多
关键词 量子点 发光二极管 团聚
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氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管 被引量：6
12
作者 马航 李邓化 +1 位作者 陈雯柏 叶继兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期507-513,共7页
为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真... 为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真分析了载流子在量子点(QDs)层的电流密度。研究发现,当ZnO厚度为50 nm时,poly-TPD的理论最优厚度为40 nm,载流子在QDs层的注入达到相对平衡。通过测试器件的电流密度-电压-亮度-发光效率特性,研究了空穴传输层厚度对QLED器件性能的影响。实验结果表明,当空穴传输层厚度为40 nm时,器件的开启电压为1.7 V,最大发光效率为1.18 cd/A。在9 V电压下,器件最大亮度达到5 225 cd/m^2,远优于其他厚度的器件。实验结果与仿真结果基本吻合。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 隧穿注入 空间电荷限制电流 电流密度 亮度 电流效率
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半导体量子点集成有机发光二极管的光光转换器进展 被引量：4
13
作者 杨宇 靳映霞 +3 位作者 王登科 杨杰 王茺 吕正红 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第10期599-606,649,共9页
介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件,红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器,直接实现了红外光到可见光的集成转换,在红外凝视技术中有极大的应用潜... 介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件,红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器,直接实现了红外光到可见光的集成转换,在红外凝视技术中有极大的应用潜力。综述了无机红外探测与有机发光的光-光转换器的研究进展。 展开更多
关键词 半导体量子点 有机发光二极管 光-光转换器
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电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响 被引量：3
14
作者 马航 李邓化 +1 位作者 陈雯柏 叶继兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期85-90,共6页
针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq_3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开... 针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq_3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当Alq_3厚度为30nm时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注入速率达到相对平衡。为进一步研究器件的发光特性,在QDs和Alq_3接触界面嵌入电子阻塞层TPD。研究发现,当TPD的厚度为1 nm时,器件发出红光;当TPD厚度为3 nm和5 nm时,器件开始出现绿光。实验结果表明,在选取电子阻塞层时,应选择LUMO较低的材料且阻塞层的厚度必须很薄。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 厚度 能级 电流密度 亮度 电流效率
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基于锗量子点的硅基发光器件 被引量：1
15
作者 夏金松 蒋最敏 +1 位作者 曾成 张永 《光通信研究》 北大核心 2015年第6期1-5,29,共6页
硅基光源是实现硅基集成光电子芯片的核心器件,虽然近年来国内外已经取得多项重要成果,但适合于下一代大规模光电集成芯片的小尺寸、低功耗、工艺兼容的高效硅基发光器件仍然缺乏。文章介绍了基于嵌入光学微腔中的锗量子点实现硅基发光... 硅基光源是实现硅基集成光电子芯片的核心器件,虽然近年来国内外已经取得多项重要成果,但适合于下一代大规模光电集成芯片的小尺寸、低功耗、工艺兼容的高效硅基发光器件仍然缺乏。文章介绍了基于嵌入光学微腔中的锗量子点实现硅基发光器件方面的研究成果,通过将分子束外延生长的锗自组装量子点嵌入硅光子晶体微腔中,实现了室温下处于通信波段的共振发光。通过在图形化衬底上生长实现锗量子点的定位,并精确嵌入光子晶体微腔中,实现了基于锗单量子点的硅基发光器件。 展开更多
关键词 硅基发光器件 锗量子点 光学微腔
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褶皱衍射光栅提升绿光量子点发光二极管的光耦合输出效率
16
作者 戚辉 陈铃 +5 位作者 郭鹏 袁佩玲 臧帅普 丁星星 张莹 曾灏宪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第10期1572-1577,共6页
为了解决绿光量子点发光二极管(QLED)基底模式陷入光问题,首先通过在柔性聚二甲基硅氧烷基底上蒸镀铝层,自发形成了准周期褶皱结构。这种简单、有效的方法可以制作大面积的褶皱结构,所制作的褶皱结构具有随机取向和宽周期分布的特点。然... 为了解决绿光量子点发光二极管(QLED)基底模式陷入光问题,首先通过在柔性聚二甲基硅氧烷基底上蒸镀铝层,自发形成了准周期褶皱结构。这种简单、有效的方法可以制作大面积的褶皱结构,所制作的褶皱结构具有随机取向和宽周期分布的特点。然后,将褶皱结构作为外结构引入到QLED中,构筑了高效的绿光QLED。与参考QLED相比,褶皱QLED的外量子效率(EQE)从12.09%增加到16.06%,提升了32.8%;最大亮度从184600cd·m^(-2)增加到226500cd·m^(-2),在不改变发光峰位的情况下实现了基底模式陷入光的高效提取,为提升绿光QLED性能提供了一种新的选择。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(QLED) 褶皱结构 衍射光栅 柔性材料 光耦合输出效率 基底模式陷入光
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氩等离子体处理聚合物/量子点表面对量子点发光二极管性能的影响
17
作者 吴薇 李福山 +4 位作者 吴朝兴 吴晓晓 胡雪花 寇丽杰 郭太良 《光电子技术》 CAS 2015年第2期81-84,110,共5页
采用旋转涂布的方法在大气中制备了聚合物/量子点发光复合层,利用氩等离子体处理的方法以去除聚合物/量子点复合层的表面的氧原子等猝灭中心。结果发现,相较于无等离子处理的器件,经过氩等离子处理,量子点发光二极管能够产生具有狭窄发... 采用旋转涂布的方法在大气中制备了聚合物/量子点发光复合层,利用氩等离子体处理的方法以去除聚合物/量子点复合层的表面的氧原子等猝灭中心。结果发现,相较于无等离子处理的器件,经过氩等离子处理,量子点发光二极管能够产生具有狭窄发光峰的橙色光,器件的启亮电压为3.5伏,亮度更高,并且电流密度没有明显的衰减现象,器件更加稳定。 展开更多
关键词 量子点 发光二极管 柔性 氩等离子处理
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基于TiO_(2)修饰层的量子点发光二极管设计及其性能
18
作者 刘卫卫 孔佑超 +2 位作者 陈小波 胡小艳 苗中正 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期381-387,共7页
量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一。由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题。本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)... 量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一。由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题。本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)电子传输层和量子点(QDs)发光层之间插入不同厚度的二氧化钛(TiO_(2))薄层,对ZnO和QDs发光层之间的界面进行修饰。发现插入0.270 nm的TiO_(2)后,器件的漏电流降低约一个量级,激子的平均寿命从15.94 ns增加到16.61 ns,说明插入TiO_(2)修饰层可以有效降低QDs发光层中激子猝灭,从而提高器件在低驱动电压下的电流效率(约提高15%)。上述结果有望为QLEDs在照明和显示领域的产业化提供参考。 展开更多
关键词 量子点 发光二极管 二氧化钛 界面修饰
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喷墨打印量子点电致发光显示关键材料与技术的前世与今生
19
作者 刘辰 魏昌庭 +3 位作者 罗鑫 孙智国 徐勃 曾海波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1410-1430,共21页
胶体半导体量子点因其独特的纳米级传输效应、自发光特性以及与大面积工业印刷工艺兼容的流变学属性而备受学术界和工业界的关注。喷墨打印作为一种新兴技术,有望实现新一代可印刷、大面积、高性能图案化量子点发光二极管(QLED)。然而,... 胶体半导体量子点因其独特的纳米级传输效应、自发光特性以及与大面积工业印刷工艺兼容的流变学属性而备受学术界和工业界的关注。喷墨打印作为一种新兴技术,有望实现新一代可印刷、大面积、高性能图案化量子点发光二极管(QLED)。然而,目前喷墨打印QLED的制备过程存在墨水配方不当造成的界面侵蚀以及成膜后发光效率降低等问题,导致其性能与旋涂器件存在较大差距。本文首先概述了量子点显示技术的基本概念及发展现状,分析了三种喷墨打印技术的分类、原理及其优缺点。然后介绍了含镉、含铅和无铅无镉三类量子点,分析了它们在喷墨打印QLED中的研究进展,接着重点介绍了利用喷墨打印实现高性能QLED的几种典型策略,最后展望了喷墨打印QLED的发展趋势和美好前景。 展开更多
关键词 量子点 喷墨印刷 电致发光二极管 墨水工程 表界面调控
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面向显示应用的量子点发光器件研究进展 被引量：11
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作者 关小雅 王洪哲 +1 位作者 申怀彬 杜祖亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期176-186,共11页
胶体量子点是一种半径接近于激子玻尔半径的新型优质光电材料,其特殊的尺寸效应使其能通过调整尺寸大小实现高纯度的三原色发光、连续可调的光谱以及宽色域。量子点特殊的核壳结构保证了其良好的光/热稳定性;同时,量子点还具有优异的可... 胶体量子点是一种半径接近于激子玻尔半径的新型优质光电材料,其特殊的尺寸效应使其能通过调整尺寸大小实现高纯度的三原色发光、连续可调的光谱以及宽色域。量子点特殊的核壳结构保证了其良好的光/热稳定性;同时,量子点还具有优异的可溶液处理特性,是显示领域研究的热门材料。基于量子点构筑的量子点发光二极管器件也一直被看作是有望取代有机发光二极管的极具潜力的技术。过去的几十年间,量子点发光二极管取得了巨大的成功和快速的发展,被看作是显示领域最具潜力的优质候选材料之一。因此,对量子点发光器件性能进行研究分析并优化,对于加快其商业市场化有很重要的意义。本文从量子点发光器件优化到大面积生产的角度总结了国内外研究者在构筑高效、稳定的面向显示应用的量子点发光器件的研究进展,并分析了其未来发展将面临的困难和挑战。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 量子点 显示设备
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