摘要
针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq_3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当Alq_3厚度为30nm时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注入速率达到相对平衡。为进一步研究器件的发光特性,在QDs和Alq_3接触界面嵌入电子阻塞层TPD。研究发现,当TPD的厚度为1 nm时,器件发出红光;当TPD厚度为3 nm和5 nm时,器件开始出现绿光。实验结果表明,在选取电子阻塞层时,应选择LUMO较低的材料且阻塞层的厚度必须很薄。
In view of carrier injection unbalance problem of the quantum dot light emitting diode（ QLED）,the injection rate of holes and electrons in the quantum dots（ QDs） layer was studied.QLED with structure of ITO / PEDOT∶ PSS / Poly-TPD / QDs / Alq3 was fabricated. The experiment results show that all the devices exhibit red light and the turn-on voltage rises as the Alq3 thickness increases from 25 nm to 45 nm. When the Alq3 thickness is 30 nm,the current efficiency of the device is high and the injection rate of holes and electrons in the QDs layer reaches a relative balance.Then,the luminescence properties of the devices were further studied through imbedding an electron blocking layer TPD into the QDs / Alq3 interface. When the TPD thickness is 1 nm,the device still exhibits red light,and green light begins to appear when the TPD thickness is 3 nm and 5 nm. The experiment results show that a thinner thickness and lower LUMO should be chosen for the electron blocking layer.
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期85-90,共6页
Chinese Journal of Luminescence
基金
国家重点基础研究发展计划(973)(2015CB654605)资助项目~~
关键词
量子点发光二极管
厚度
能级
电流密度
亮度
电流效率
quantum dot light emitting diode
thickness
energy level
current density
luminance
current efficiency
作者简介
马航（1985-），男，河南邓州人，博士研究生，2011年于中北大学获得硕士学位，主要从事量子点发光二极管方面的研究。E—mail：12111004@bjtu．edu．cn
李邓化（1956-），女，河南邓州人，教授，博士生导师，1999年于西安交通大学获得博士学位，主要从事功能材料与器件、自动检测技术等方面的研究。E-mail：ldh@bistu．edu．cn
