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基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
1
作者 黄兴云 谢潇婷 +1 位作者 杨开宇 李福山 《发光学报》 北大核心 2025年第6期1120-1128,共9页
目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸... 目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)薄膜,并将其作为电荷阻挡层应用在QLED发光层中,成功获得了分辨率为8467像素每英寸(Pixel per inch,PPI)的红色QLED器件。由于PMMA良好的绝缘特性,电荷阻挡层成功隔绝了电子传输层和空穴传输层的直接接触,所制备器件的漏电流相较于无阻挡层图案化器件大幅降低,使其外量子效率(External quantum efficiency,EQE)得到较大提升,最大EQE达到了15.31%,最大亮度为100274 cd/m2。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) 纳米压印 高分辨率 电荷阻挡层
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载流子注入速率调控实现高效稳定的量子点发光二极管
2
作者 陈烨 杨尊先 郭太良 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第4期317-325,共9页
基于量子点(QDs)的发光二极管器件(QLEDs)因其出色的色彩饱和度和方便的溶液制造工艺而引起了学术界的极大兴趣。目前,镉基红绿蓝光QLEDs的外量子效率(EQE)都已经达到理论极限,但是还存在严重的载流子注入不平衡的现象,这会导致器件的... 基于量子点(QDs)的发光二极管器件(QLEDs)因其出色的色彩饱和度和方便的溶液制造工艺而引起了学术界的极大兴趣。目前,镉基红绿蓝光QLEDs的外量子效率(EQE)都已经达到理论极限,但是还存在严重的载流子注入不平衡的现象,这会导致器件的稳定性和寿命大幅度降低。文章通过一种简单的方法对电子传输层(ETL)进行掺杂处理,从而降低电子迁移率,使器件实现更为平衡的载流子注入。在ZnMgO的乙醇溶液中加入适量的乙醇胺(EA)溶液,胺根离子(NH_(2)^(-))可以填补ZnMgO中的氧空位,从而调控ZnMgO的电子迁移率。对比于控制器件,优化器件的EQE提升到14.6%,电流效率(CE)提升到60.7 cd/A,分别提升了1.87倍和1.94倍,同时峰值亮度达到252402 cd/m^(2)。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 电子传输层 载流子注入 乙醇胺
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基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
3
作者 廖明月 何敏 +2 位作者 陈平 张巧明 雷衍连 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1262-1270,共9页
量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空... 量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空穴注入层,绿色CdSe/ZnS量子点作为发光层,结合不同空穴传输层(Hole transport layer,简写为HTL),如PVK和Poly-TPD,通过溶液加工工艺制备了绿色QLED器件,并对比分析了交流驱动与直流驱动下器件的光电性能。研究发现,CuSCN与PVK之间的能级势垒导致界面电荷束缚,降低了器件性能;而引入poly-TPD后,由于其更高的空穴迁移率和更浅的HOMO能级,有效减少了界面电荷束缚,显著提高了器件的发光亮度和电流效率,最大发光亮度和最大电流效率分别为132 075 cd/m^(2)和15.6 cd/A。本研究揭示了CuSCN/HTL界面电荷束缚对QLED性能的影响机制,为无机CuSCN在高效溶液加工QLED中的应用提供了理论支持和实践指导。 展开更多
关键词 硫氰酸亚铜 量子点发光二极管 空穴注入层 束缚电荷 交流驱动
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量子点发光二极管传输层研究进展 被引量：1
4
作者 李晓云 杜晓宇 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第9期1-5,共5页
量子点发光二极管(QLED)凭借着色纯度好、半最大发射带宽窄、无机成分寿命长、合成工艺简单等优点,在显示和固态照明等领域表现出广泛的应用潜力。近年来,QLED的性能提升迅速,有取代有机发光二极管(OLED)的趋势。QLED的传输层材料的选... 量子点发光二极管(QLED)凭借着色纯度好、半最大发射带宽窄、无机成分寿命长、合成工艺简单等优点,在显示和固态照明等领域表现出广泛的应用潜力。近年来,QLED的性能提升迅速,有取代有机发光二极管(OLED)的趋势。QLED的传输层材料的选择对提高器件的载流子注入起到了至关重要的作用。传输层的化学性质及其界面也会对器件的稳定性和寿命产生影响。本文总结了QLED传输层的研究现状,分析了制约QLED性能的因素,介绍了其性能改进的方向方法,并展望了QLED的未来发展。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 电子传输层 空穴传输层
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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
5
作者 陈晓丽 陈佩丽 +3 位作者 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量... 采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。 展开更多
关键词 HF InP/GaP/ZnS量子点 光学性能 发光二极管
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InP量子点发光材料:从合成到器件应用的研究进展(特邀)
6
作者 汪瑶 翁其新 +4 位作者 时应章 王志文 宋玉洁 孙小卫 张文达 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第7期39-53,共15页
量子点(Quantum Dots,QDs)作为一种新型纳米材料,具有优异的光学性质。随着研究的深入,量子点已在光电器件、生物成像、太阳能电池、显示技术等领域发挥重要作用。磷化铟(InP)量子点因其低毒性、高光效,被视为镉基量子点的潜在替代品而... 量子点(Quantum Dots,QDs)作为一种新型纳米材料,具有优异的光学性质。随着研究的深入,量子点已在光电器件、生物成像、太阳能电池、显示技术等领域发挥重要作用。磷化铟(InP)量子点因其低毒性、高光效,被视为镉基量子点的潜在替代品而受到广泛关注,其发光光谱覆盖整个可见光区域,光致发光量子产率(PLQY)、光电性能上与镉基量子点相当。然而,InP量子点在前驱体材料、生长机制、核壳晶格匹配性等方面与镉基量子点相比存在显著差异,这些差异在一定程度上影响了其光学性能,从而制约了在显示器件中的应用。综述了InP量子点材料及其量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)的发展现状。首先,系统地介绍了InP量子点的基本特性,重点从色纯度提升和缺陷态消除等角度深入探讨了其光学性能的优化与改进。随后,详细分析了量子点结构设计(电荷传输层和界面工程)对InP QLED器件性能的影响,并综述了近年来InP QLED的研究进展及其在相关领域的应用成果。最后,概述了InP量子点体系的发展以及面临的主要挑战,并提出了对InP量子点体系未来发展的期望,旨在为InP量子点体系的进一步研究和应用提供启示与方向。 展开更多
关键词 InP量子点 色纯度 发光二极管 显示器件
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自浸润式纳米压印耦合实现量子点发光二极管性能提升 被引量：1
7
作者 梁龙 郑悦婷 +2 位作者 林立华 胡海龙 李福山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期613-620,共8页
胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底... 胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底模式导致QLED器件大量光子被限制在内部无法利用。本文基于纳米压印工艺同时利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)材料本身的表面结合能开发出溶剂自浸润式纳米压印工艺,对压力依赖度低的同时简化了工艺流程,制备出高质量周期性的1.3,1,0.5μm三种尺寸的微纳结构图案层,对红、绿、蓝三色QLED器件进行耦合实现光提取。在这种情况下,1.3μm微纳结构耦合绿光QLED器件亮度达到715069 cd·m^(-2),最大外量子效率(External quantum efficiency,EQE)和电流效率分别提升至12.5%和57.3 cd·A^(-1);1μm尺寸耦合的蓝光QLED器件各电学性能提升接近200%;0.5μm尺寸耦合红光QLED器件EQE也从17.3%提升至20.5%。并通过角分布测试,证明微纳结构不会对QLED器件发光强度造成影响,仍然接近朗伯体发射。本工作提出的溶剂自浸润式纳米压印工艺及QLED光提取方法,为QLED的性能提升提供了一条简单有效的途径。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 纳米压印 耦合光学性能 光学仿真
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镉系量子点材料的制备及其发光二极管结构优化
8
作者 孟宗羿 杨尊先 郭太良 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期401-408,共8页
量子点(QDs)纳米晶体具备出众的窄半峰宽,且尺寸和发光波长易调节等优点,成为纳米材料领域的新星,而量子点电致发光二极管(QLED)的应用也随之得到研究人员的关注。文章的研究通过材料配比的设计,调节CdZnS-QDs的尺寸和发光波长,使其在Cd... 量子点(QDs)纳米晶体具备出众的窄半峰宽,且尺寸和发光波长易调节等优点,成为纳米材料领域的新星,而量子点电致发光二极管(QLED)的应用也随之得到研究人员的关注。文章的研究通过材料配比的设计,调节CdZnS-QDs的尺寸和发光波长,使其在CdSe-QDs基QLED中辅助器件的性能提升,最终能得到光致发光波长在425~455 nm的蓝紫色CdZnS-QDs。使用宽带隙的CdZnS-QDs作为器件的无机插入层材料,能够对CdSe-QDs作为发光层的QLED的能带匹配、激子传递和界面修饰等进行优化。通过对比实验探索最佳的QDs合成策略,精确控制QDs的发光峰位,并将得到的结晶性强且尺寸均匀的量子点制备CdSe-QDs基电致发光器件,在发光层与无机电子传输层之间插入制备的CdZnS-QDs,得到的器件在电流密度为1000 mA/cm^(2)时,亮度从227188 cd/m^(2)提升到313775 cd/m^(2),最大的电流效率达到38.1 Cd/A。该方法可以为QLED结构的设计提供新的思路。 展开更多
关键词 无机插入层 量子点发光二极管 CdZnS 量子点
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LiCl掺杂PEDOT∶PSS提高蓝光量子点发光二极管的性能
9
作者 王艳林 曹松 +2 位作者 余春燕 周利通 翟光美 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期771-780,共10页
基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率... 基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率、透光性以及所制备QLEDs器件性能的影响规律。实验结果表明,Li Cl的掺杂浓度(质量分数)为2%时蓝光QLED器件性能的提升效果最佳,这主要归因于Li Cl掺杂后的PEDOT∶PSS薄膜导电率和透光性的增强以及器件中空穴注入效率的提高。相较于未掺杂的PEDOT∶PSS基QLED器件,基于Li Cl掺杂的蓝光QLED器件的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率分别从5 083 cd·m^(-2)、0.91 cd·A^(-1)、0.59 lm·W^(-1)和2.31%提升到7 451 cd·m^(-2)、1.38 cd·A^(-1)、0.89 lm·W^(-1)和3.51%。结果表明,采用Li Cl掺杂PEDOT∶PSS空穴注入层是提高蓝光QLED性能的一种有效策略。 展开更多
关键词 蓝光量子点发光二极管 PEDOT∶PSS LiCl掺杂 空穴注入层 空穴注入
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2-己基癸酸改性的全溶液制备的CsPbBr_(3)量子点发光二极管
10
作者 吴加其 王程杨 +1 位作者 陆红波 朱俊 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期875-882,共8页
钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子... 钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子点表面脱落,进而引发量子点的不稳定性现象。此外,油酸油胺的绝缘特性会阻碍发光二极管中载流子的传输并恶化器件性能。鉴于此,本文以CsPbBr_(3)量子点为研究对象,采用短链配体2-己基癸酸(DA)部分取代长链OA配体,系统探究了不同DA/OA摩尔比对CsPbBr_(3)量子点光学性能的影响。结果表明,经DA修饰的CsPbBr_(3)量子点表现出高达88.64%的光致发光量子产率。随后,将优化后的CsPbBr_(3)量子点应用到全溶液制备的发光二极管中,器件的最高亮度和最大外量子效率分别从9 cd·m^(-2)和0.04%提升至155 cd·m^(-2)和0.14%。接着,通过优化钙钛矿发光层和空穴传输层之间的能级匹配,进一步将器件的亮度和外量子效率提升至436 cd·m^(-2)和0.20%。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)量子点 新型显示技术 发光二极管 配体取代 全溶液制备
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团聚效应对基于CdSe/ZnS量子点的电致发光二极管性能的影响 被引量：3
11
作者 王立 荣佳玲 +2 位作者 曹进 朱文清 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1351-1356,共6页
通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄... 通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄膜形成,QD纳米颗粒发生团聚现象,并使器件亮度降低。此外,退火温度对QD薄膜形貌及其发光强度影响很大:当退火温度高于150℃时,产生的热量也会造成QD纳米粒子团聚,并导致QLED器件发光性能下降。 展开更多
关键词 量子点 发光二极管 团聚
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氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管 被引量：6
12
作者 马航 李邓化 +1 位作者 陈雯柏 叶继兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期507-513,共7页
为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真... 为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真分析了载流子在量子点(QDs)层的电流密度。研究发现,当ZnO厚度为50 nm时,poly-TPD的理论最优厚度为40 nm,载流子在QDs层的注入达到相对平衡。通过测试器件的电流密度-电压-亮度-发光效率特性,研究了空穴传输层厚度对QLED器件性能的影响。实验结果表明,当空穴传输层厚度为40 nm时,器件的开启电压为1.7 V,最大发光效率为1.18 cd/A。在9 V电压下,器件最大亮度达到5 225 cd/m^2,远优于其他厚度的器件。实验结果与仿真结果基本吻合。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 隧穿注入 空间电荷限制电流 电流密度 亮度 电流效率
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半导体量子点集成有机发光二极管的光光转换器进展 被引量：4
13
作者 杨宇 靳映霞 +3 位作者 王登科 杨杰 王茺 吕正红 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第10期599-606,649,共9页
介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件,红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器,直接实现了红外光到可见光的集成转换,在红外凝视技术中有极大的应用潜... 介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件,红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器,直接实现了红外光到可见光的集成转换,在红外凝视技术中有极大的应用潜力。综述了无机红外探测与有机发光的光-光转换器的研究进展。 展开更多
关键词 半导体量子点 有机发光二极管 光-光转换器
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电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响 被引量：3
14
作者 马航 李邓化 +1 位作者 陈雯柏 叶继兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期85-90,共6页
针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq_3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开... 针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq_3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当Alq_3厚度为30nm时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注入速率达到相对平衡。为进一步研究器件的发光特性,在QDs和Alq_3接触界面嵌入电子阻塞层TPD。研究发现,当TPD的厚度为1 nm时,器件发出红光;当TPD厚度为3 nm和5 nm时,器件开始出现绿光。实验结果表明,在选取电子阻塞层时,应选择LUMO较低的材料且阻塞层的厚度必须很薄。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 厚度 能级 电流密度 亮度 电流效率
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量子点发光二极管功能层厚度确定方法 被引量：2
15
作者 陈雯柏 叶继兴 +1 位作者 马航 李邓化 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期8-14,共7页
为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧穿模型进行仿真分析确定电子传输层厚度;然后采用空间电荷限制电流模型进行仿真分析确定空穴传输层厚度.采... 为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧穿模型进行仿真分析确定电子传输层厚度;然后采用空间电荷限制电流模型进行仿真分析确定空穴传输层厚度.采用CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层、Alq_3作为电子传输层,按照该方法仿真分析得到各功能层厚度进行旋涂-蒸镀法实物器件制备.对比实验结果表明:当poly-TPD、QDs及Alq_3厚度分别为45nm、25nm及35nm时,获得了较高的发光效率及色纯度,器件性能最好.该方法确定的各功能层厚度有助于减少载流子在发光界面积累,获得载流子的注入平衡,从而改善QLEDs发光性能. 展开更多
关键词 量子点发光二极管 载流子注入平衡 空穴传输层 发光层 电子传输层 隧穿模型 空间电荷限制电流模型
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喷墨打印量子点电致发光显示关键材料与技术的前世与今生 被引量：2
16
作者 刘辰 魏昌庭 +3 位作者 罗鑫 孙智国 徐勃 曾海波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1410-1430,共21页
胶体半导体量子点因其独特的纳米级传输效应、自发光特性以及与大面积工业印刷工艺兼容的流变学属性而备受学术界和工业界的关注。喷墨打印作为一种新兴技术,有望实现新一代可印刷、大面积、高性能图案化量子点发光二极管(QLED)。然而,... 胶体半导体量子点因其独特的纳米级传输效应、自发光特性以及与大面积工业印刷工艺兼容的流变学属性而备受学术界和工业界的关注。喷墨打印作为一种新兴技术,有望实现新一代可印刷、大面积、高性能图案化量子点发光二极管(QLED)。然而,目前喷墨打印QLED的制备过程存在墨水配方不当造成的界面侵蚀以及成膜后发光效率降低等问题,导致其性能与旋涂器件存在较大差距。本文首先概述了量子点显示技术的基本概念及发展现状,分析了三种喷墨打印技术的分类、原理及其优缺点。然后介绍了含镉、含铅和无铅无镉三类量子点,分析了它们在喷墨打印QLED中的研究进展,接着重点介绍了利用喷墨打印实现高性能QLED的几种典型策略,最后展望了喷墨打印QLED的发展趋势和美好前景。 展开更多
关键词 量子点 喷墨印刷 电致发光二极管 墨水工程 表界面调控
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ZnSe基蓝光量子点的中间壳层结构调控及其发光性能研究
17
作者 伍仕停 余春燕 +2 位作者 方佳庆 徐阳 翟光美 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1160-1169,共10页
ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将... ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将均质的单层ZnSeS合金层替换为具有组分渐变结构的ZnSeS合金层,合成了具有径向方向Se/S浓度渐变梯度的ZnSeS合金中间壳层的ZnSeTe/ZnSe/ZnSeS/ZnS量子点,并利用X射线衍射谱、稳态光致发光光谱、时间分辨发光光谱、透射电镜和电致发光测试等表征手段研究了不同合金中间壳层对量子点结构、形貌和光学性能的影响。结果表明,所合成的具有组分梯度ZnSeS壳层的量子点的发射波长均为深蓝色(444.5 nm),发射线宽窄(<18 nm),尺寸均一,具有闪锌矿结构,结晶度高;随着ZnSeS合金中间壳层沿量子点径向方向组分渐变平滑度的不断提高,量子点的荧光量子效率(PLQY)和色纯度等光学性质依次改善,其中通过S原子扩散形成的具有线性缓变ZnSeS壳层的量子点具有最窄的发射线宽(15.8 nm)和最高的PLQY(20.7%)。利用这种具有最优荧光性能的量子点作为发光材料制备的发光二极管器件的最大外量子效率为1.8%,最高亮度为750 cd/m^(2)。本研究提出的量子点合成方案和结构优化策略有助于促进高质量无毒蓝光ZnSe基核/壳量子点的发展。 展开更多
关键词 无毒蓝光量子点 核/壳结构 梯度合金壳 ZNSE 量子点发光二极管 发光性能
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基于TiO_(2)修饰层的量子点发光二极管设计及其性能
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作者 刘卫卫 孔佑超 +2 位作者 陈小波 胡小艳 苗中正 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期381-387,共7页
量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一。由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题。本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)... 量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一。由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题。本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)电子传输层和量子点(QDs)发光层之间插入不同厚度的二氧化钛(TiO_(2))薄层,对ZnO和QDs发光层之间的界面进行修饰。发现插入0.270 nm的TiO_(2)后,器件的漏电流降低约一个量级,激子的平均寿命从15.94 ns增加到16.61 ns,说明插入TiO_(2)修饰层可以有效降低QDs发光层中激子猝灭,从而提高器件在低驱动电压下的电流效率(约提高15%)。上述结果有望为QLEDs在照明和显示领域的产业化提供参考。 展开更多
关键词 量子点 发光二极管 二氧化钛 界面修饰
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量子点发光二极管中电荷累积行为 被引量：5
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作者 王成 张弛 +3 位作者 黎瑞锋 陈琪 钱磊 陈立桅 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第8期51-57,共7页
量子点发光二极管(QLED)是不需要额外光源的主动发光技术,在显示领域中的应用前景被广泛看好。寿命较短是影响QLED商业化的重要因素之一,并且其老化机理尚不清晰。在本工作中,我们通过自主搭建电荷提取装置,证实红光QLED在恒流驱动过程... 量子点发光二极管(QLED)是不需要额外光源的主动发光技术,在显示领域中的应用前景被广泛看好。寿命较短是影响QLED商业化的重要因素之一,并且其老化机理尚不清晰。在本工作中,我们通过自主搭建电荷提取装置,证实红光QLED在恒流驱动过程中,存在显著的电荷累积。累积电荷量随着驱动电流密度增加而增加,但当超过阈值电流密度(对应于开启电压)后逐渐趋于饱和。随着器件老化,亮度下降伴随着累积电荷量进一步增加。本工作对QLED老化过程中电荷累积规律的理解,能为QLED材料和界面的优化设计提供直观判据。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 寿命 注入势垒 电荷累积 注入平衡
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高效、稳定Ⅱ-Ⅵ族量子点发光二极管(LED)的研究进展 被引量：3
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作者 柳杨 刘志伟 +1 位作者 卞祖强 黄春辉 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1751-1760,共10页
量子点通常具有核-壳型的基本结构,它的发光效率及色纯度高。因具有优异的性能和可控合成的优点,Ⅱ-Ⅵ族量子点在发光二极管(light-emitting diode,LED)中的应用研究最为丰富。为了制备高效、稳定的量子点LED,量子点的结构、器件结构和... 量子点通常具有核-壳型的基本结构,它的发光效率及色纯度高。因具有优异的性能和可控合成的优点,Ⅱ-Ⅵ族量子点在发光二极管(light-emitting diode,LED)中的应用研究最为丰富。为了制备高效、稳定的量子点LED,量子点的结构、器件结构和载流子传输层都需要进行设计和优化。如今,量子点LED的效率已接近Organic LED(OLED),但它的发展仍存在挑战。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 器件效率 稳定性
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