基于近似核密度估计的近场多声源定位算法 被引量：3

1

作者 房玉琢 许志勇 赵兆 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期106-116,共11页

针对混响环境下的近场多声源定位问题,提出了一种基于近似核密度估计(KDE)的算法模型。引入多阶段(MS)分频带处理有效解决宽间距时的空域模糊,同时,构建空域似然率函数(SLF)通过相加(S)及相乘(P)2种算子进行多维融合,从而衍生出S-KDE、P... 针对混响环境下的近场多声源定位问题,提出了一种基于近似核密度估计(KDE)的算法模型。引入多阶段(MS)分频带处理有效解决宽间距时的空域模糊,同时,构建空域似然率函数(SLF)通过相加(S)及相乘(P)2种算子进行多维融合,从而衍生出S-KDE、P-KDE、S-KDEMS和P-KDEMS 4种算法。通过对均方根误差(RMSE)以及表征辨识度的SLF百分比(PSLF)这2个统计指标的综合比较,证实了P-KDEMS是一种具有较高稳健性与辨识度的近场多声源定位算法。 展开更多

关键词 麦克风阵列 近似核密度估计 多阶段分频带处理 空域似然率函数 数据融合

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Ne-CH_4分子间相互作用势的局域密度近似计算(英文) 被引量：1

2

作者 周晓林 宗江琴 +2 位作者 王海燕 郭华忠 白玉林 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期525-528,共4页

利用基于密度泛函理论框架下的局域密度近似方法对Ne-CH4分子间的相互作用势进行了计算。发现:当Ne原子和CH4分子之间的距离约为5.8a.u.时,计算的势能曲线存在最小值,对应的势阱深度约为0.053eV。计算结果与实验值符合较好。

关键词 分子间相互作用势 局域密度近似 甲烷 惰性气体

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强场中真空正负电子对产生的低密度近似

3

作者 李烈娟 麦丽开·麦提斯迪克 +1 位作者 王莉 谢柏松 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期743-747,共5页

在空间均匀含时的强外场下真空正负电子对产生的研究中,从散射势转变点的角度,严格证明了源于量子Vlasov方程的低密度近似方法(low density approximation,LDA)与半经典的WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)方法等价.通过对典型例子进行数... 在空间均匀含时的强外场下真空正负电子对产生的研究中,从散射势转变点的角度,严格证明了源于量子Vlasov方程的低密度近似方法(low density approximation,LDA)与半经典的WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)方法等价.通过对典型例子进行数值计算和说明,对这2种方法的等价性进行了检验.当有较多转变点时,WKB积分变得烦琐,相较而言,LDA更具有计算优势.本研究将量子动力学过程和量子隧穿过程联系起来,有助于深入理解强场下真空中正负电子对的产生过程. 展开更多

关键词 强场物理 正负电子对产生 低密度近似

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密度泛函理论计算半导体材料的带隙误差研究 被引量：3

4

作者 张泽群 孙庆德 《济南大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第6期580-584,共5页

针对采用局域密度近似或广义梯度近似的密度泛函理论导致半导体材料的带隙计算值偏小的问题,选取砷化镓为研究对象,通过压缩晶格体积调节砷化镓的带隙,利用杂化泛函法与广义梯度近似法计算砷化镓的带隙。结果表明:利用局域密度近似或广... 针对采用局域密度近似或广义梯度近似的密度泛函理论导致半导体材料的带隙计算值偏小的问题,选取砷化镓为研究对象,通过压缩晶格体积调节砷化镓的带隙,利用杂化泛函法与广义梯度近似法计算砷化镓的带隙。结果表明:利用局域密度近似或广义梯度近似法计算的带隙误差会随着砷化镓带隙的减小而减小,但当实际带隙为0时,利用局域密度近似或广义梯度近似法计算的带隙误差仍然存在;引起局域密度近似或广义梯度近似法带隙计算值偏小的主要原因是半导体材料价带的最大值和导带的最小值处波函数的不连续性。 展开更多

关键词 密度泛函理论 半导体材料 带隙 局域密度近似 广义梯度近似

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香鱼配合饲料挤压加工工艺优化研究 被引量：3

5

作者 牛化欣 常杰 董志航 《广东农业科学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第23期93-97,共5页

为了生产出低污染、高转化率的环保型香鱼沉性挤压饲料,以沉性香鱼配合挤压饲料膨化度、近似密度和水中稳定性为重要特性指标,采用单因素和正交试验研究了物料含水率、螺杆转速和螺杆温度对其挤压工艺和饲料特性的影响。结果表明:物料... 为了生产出低污染、高转化率的环保型香鱼沉性挤压饲料,以沉性香鱼配合挤压饲料膨化度、近似密度和水中稳定性为重要特性指标,采用单因素和正交试验研究了物料含水率、螺杆转速和螺杆温度对其挤压工艺和饲料特性的影响。结果表明:物料含水率、螺杆转速和螺杆中、后部温度均影响饲料膨化度、近似密度和水中稳定性,正交方差分析显示,螺杆后部温度对近似密度有显著影响。通过单因素和正交试验确定香鱼配合饲料挤压工艺条件为:物料含水率30%、螺杆转速90 r/min、螺杆后部温度90℃,此条件下挤压饲料产品的近似密度最大,水中稳定性也较好,能很好地满足香鱼的摄食要求。 展开更多

关键词 香鱼 沉性饲料 挤压加工 近似密度 水中稳定性

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MgB_2状态方程的第一原理计算(英文) 被引量：3

6

作者 郭华忠 程艳 +1 位作者 赫彦军 邓烨 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期371-374,共4页

利用基于局域密度近似框架下的第一原理平面波方法,结合HGH型相对论分析赝势,对MgB2的晶格参数和状态方程进行了计算,所得结果与实验值及其他理论得到的计算值相符合。

关键词 状态方程 局域密度近似 MGB2

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Si表面Si-OH、SiO2结构的LDA与GGA研究 被引量：2

7

作者 杨春 廖子夷 +3 位作者 余毅 周明秀 郁卫飞 黄辉 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2008年第2期187-191,共5页

在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和... 在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和SiO2结构的计算. 展开更多

关键词 Si—OH SiO2 密度泛函 局域密度近似 广义梯度近似

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简谐势阱中弱相互作用玻色气体的临界温度及基态粒子占据率 被引量：10

8

作者 熊辉 苏国珍 陈丽璇 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期177-181,共5页

应用局域密度近似法 (LDA)对简谐势阱约束下的非理想玻色气体发生玻色 爱因斯坦凝聚 (BEC)时的临界温度作出计算 ,进而讨论了弱相互作用对临界温度及基态粒子占据率的影响 .

关键词 局域密度近似法 玻色气体 临界温度 简谐势阱 弱相互作用 基态粒子占据率 量子气体 玻色-爱因斯坦凝聚

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正切平方势阱中线性与非线性光学折射率变化的研究(英文) 被引量：2

9

作者 谭鹏 罗诗裕 陈立冰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1253-1256,共4页

利用正切平方势把电子的Schrdinger方程化为了超几何方程,并用超几何函数严格求解了电子的本征值和本征函数利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了正切平方势阱中的线性与三阶非线性光学折射率的解析表达式计算了该系统中的线性与... 利用正切平方势把电子的Schrdinger方程化为了超几何方程,并用超几何函数严格求解了电子的本征值和本征函数利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了正切平方势阱中的线性与三阶非线性光学折射率的解析表达式计算了该系统中的线性与非线性光学折射率变化的大小,讨论了影响折射率变化因素文章以典型的GaAs/Al GaAs势阱为例作了数值计算,数值计算结果表明,势阱的形状和入射光强对光学折射率的变化有着重要的影响. 展开更多

关键词 非线性光学 正切平方势阱 折射率 密度矩阵近似

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AlB_2弹性常数的第一性原理计算(英文) 被引量：2

10

作者 罗从正 刘科 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1155-1158,共4页

利用基于局域密度近似框架下的第一原理平面波赝势方法,结合HGH型相对论分析赝势,对AlB2的晶格参数和弹性常数进行了计算.结果显示:当晶格参数c和a的比率c/a为1.084时,具有最稳定的几何结构,与实验值及其他理论得到的计算值相符合.

关键词 局域密度近似 弹性常数 AlB2

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α-Al_2O_3基片(0001)表面及其对ZnO吸附位置研究 被引量：2

11

作者 杨春 李言荣 +3 位作者 陶佰万 刘兴钊 张鹰 刘永华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期5-10,共6页

建立了一种 2× 2α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面吸附ZnO模型 ,在周期边界条件下的k空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算... 建立了一种 2× 2α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面吸附ZnO模型 ,在周期边界条件下的k空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究。由于较大的表面弛豫 ,使得氧原子全部暴露于基片最外表面 ,明显地表现出O原子电子表面态 ;驰豫后的表面能对ZnO分子产生较强的化学吸附 ,表面电子结构将发生明显的变化 ,其表面最优吸附生长点的方位正好偏离α Al2 O3 (0 0 0 1)表面氧六角对称 30° ;并计算了这些吸附生长点处Zn与表面O的结合能。 展开更多

关键词 α-A12O3基片 氧化锌薄膜 局域密度近似平面波超软赝势法 吸附生长 半导体

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LiTaO_3晶体高压结构相变的理论研究 被引量：1

12

作者 李俊 周显明 +1 位作者 梁万珍 经福谦 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期641-646,共6页

利用基于密度泛函理论的平面波赝势结合局域密度近似的从头算方法，计算了LiTaO3晶体在0～200GPa压力范围内的冷压曲线（P—V／V0）和零温焓，以研究它的高压结构相变．参照同构体UNTO3的高压相结构，对LiTaO3的菱形相（R3c对称群，室... 利用基于密度泛函理论的平面波赝势结合局域密度近似的从头算方法，计算了LiTaO3晶体在0～200GPa压力范围内的冷压曲线（P—V／V0）和零温焓，以研究它的高压结构相变．参照同构体UNTO3的高压相结构，对LiTaO3的菱形相（R3c对称群，室温大气压结构）和正交相（Pbnm对称群）进行计算．结果表明，菱形相压缩线与低压冲击实验数据和静压结果符合较好，而正交相压缩线与扣除热压贡献的高压冲击实验数据相符；正交相更难压缩且各轴向的压缩率不同，对应的常态密度比菱形相高约24％．理论预测的相变起始压力约为23GPa．由此可见LiTaO3的冲击高压相具有正交对称性，与LiNbO3的室温高压相类似． 展开更多

关键词 LITAO3晶体 高压相变 密度泛函理论 平面波赝势 局域密度近似

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Pschl-Teller势阱中线性与非线性光学折射率变化(英文) 被引量：2

13

作者 谭鹏 路洪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期646-650,共5页

利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了Pschl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学折射率的解析表达式。Pschl-Teller势阱中有两个可调参数κ和λ,势阱的形状及其非对称性会随势阱参数的取值不同而明显不同,从而其线性与非线性光学折... 利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了Pschl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学折射率的解析表达式。Pschl-Teller势阱中有两个可调参数κ和λ,势阱的形状及其非对称性会随势阱参数的取值不同而明显不同,从而其线性与非线性光学折射率变化的大小也会随势阱参数和入射光强的变化而呈规律性的变化。文章以典型的GaAs/AlGaAs势阱为例作了数值计算,数值计算结果表明,势阱的形状和入射光强对光学折射率有着重要的影响。 展开更多

关键词 Poschl—Teller势阱 折射率 密度矩阵近似

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一种稳健的室内无模糊多声源TDOA估计算法 被引量：1

14

作者 房玉琢 许志勇 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期1143-1150,共8页

该文针对室内环境下的宽间距多声源到达时间差(TDOA)估计问题,研究了一种基于近似核密度估计(KDE)的无模糊算法。根据声频信号的短时频谱稀疏性,利用相关性检测(CT)提取单个声源能量占优的时频支撑域,进而将观测信号的归一化互功率谱(N... 该文针对室内环境下的宽间距多声源到达时间差(TDOA)估计问题,研究了一种基于近似核密度估计(KDE)的无模糊算法。根据声频信号的短时频谱稀疏性,利用相关性检测(CT)提取单个声源能量占优的时频支撑域,进而将观测信号的归一化互功率谱(NCS)所构建的近似核函数通过累加平均削弱室内混响的干扰,同时引入多阶段(MS)分频带处理有效解决宽间距时的空域模糊。理论推导及仿真研究验证了该算法是一种稳健的室内无模糊多声源TDOA估计算法。 展开更多

关键词 语音信号处理 麦克风阵列 归一化互功率谱 相关性检测 近似核密度函数 无模糊到达时间差估计

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微小尺寸立方氮化硼晶体蓝紫光发射光谱的测量与分析

15

作者 刘海波 贾刚 +2 位作者 徐仲晖 孟庆巨 孙晓冰 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期595-598,共4页

对于微小尺寸的N型宽禁带立方氮化硼（CBN）半导体晶体,在施加恒稳电场的情况下,观察到电致发光现象。通过置CBN单晶样品于光栅单色仪抛物面反射镜焦点的方法,对于CBN的蓝紫光辐射获得了测试系统的最大入射光通量和理想的信噪比。在350~... 对于微小尺寸的N型宽禁带立方氮化硼（CBN）半导体晶体,在施加恒稳电场的情况下,观察到电致发光现象。通过置CBN单晶样品于光栅单色仪抛物面反射镜焦点的方法,对于CBN的蓝紫光辐射获得了测试系统的最大入射光通量和理想的信噪比。在350~450 nm波长范围内,CBN加上4.7×106V.cm-1恒稳电场条件下,测量出立方氮化硼的蓝紫光发射光谱。同时,结合基于第一性原理的GGA方法计算出的立方氮化硼能带结构和电子态密度,以及测量得到的非线性j-E关系和电击穿特性,讨论了发光机理。提出了在雪崩击穿前的缺陷偶极子极化和击穿后,产生大量的激发态电子,电子在Γ能谷和X能谷间迁移的发光机制。 展开更多

关键词 立方氮化硼单晶 蓝紫光辐射 能谷 梯度矫正局域密度近似(GGA)

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水分子在不同电荷态的重离子作用下的离化作用

16

作者 张艳萍 张丰收 +1 位作者 蒙克来 肖国青 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期17-20,共4页

运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法，计算了水分子H2O在速度为12．5a0／fs的重离子C^＋和C^2＋作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率，平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化，计算结果表明，在重离子势最大时，电偶极... 运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法，计算了水分子H2O在速度为12．5a0／fs的重离子C^＋和C^2＋作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率，平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化，计算结果表明，在重离子势最大时，电偶极矩的变化最大；重离子远离分子时，重离子的电荷态越高，产生高电荷态分子的几率反而越小。 展开更多

关键词 重离子 离化几率 水分子 含时局域密度近似

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乙烯分子在激光场中的多光子电离及高次谐波的产生

17

作者 王志萍 张丰收 王菁 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期25-27,共3页

本文运用含时密度泛函理论和局域密度近似方法,分别研究了乙烯分子在单色激光场、双色激光场中电离和高次谐波的产生。计算结果表明,在单色激光场中,乙烯分子的高次谐波谱呈现出明显的平台区和奇次谐波加强的特征:在双色激光场中,乙烯... 本文运用含时密度泛函理论和局域密度近似方法,分别研究了乙烯分子在单色激光场、双色激光场中电离和高次谐波的产生。计算结果表明,在单色激光场中,乙烯分子的高次谐波谱呈现出明显的平台区和奇次谐波加强的特征:在双色激光场中,乙烯分子的电离增强而出现高电荷态几率,并伴有偶次谐波的出现。 展开更多

关键词 含时局域密度近似:离化几率 高次谐波

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正切平方势阱中光学吸收系数的研究(英文)

18

作者 李斌 陈国杰 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期330-334,共5页

研究了正切平方势阱中的线性与非线性光学吸收系数。使用密度矩阵近似的方法推导了该势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式;以典型的AlGaAs/GaAs正切平方势阱为例计算了该系统中的线性与三阶非线性光学吸收系数的大小,数值计... 研究了正切平方势阱中的线性与非线性光学吸收系数。使用密度矩阵近似的方法推导了该势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式;以典型的AlGaAs/GaAs正切平方势阱为例计算了该系统中的线性与三阶非线性光学吸收系数的大小,数值计算结果表明,势阱的形状和入射光强对该势阱中的光学吸收系数有着重要的影响。 展开更多

关键词 非线性光学 正切平方势阱 吸收系数 密度矩阵近似

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氢气在Na-MAZ和Li-MAZ沸石原子簇上的吸附 被引量：2

19

作者 梁建明 章日光 +3 位作者 赵强 董晋湘 王宝俊 李晋平 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1647-1653,共7页

采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)/PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)交换相关泛函和双数值基加p极化(DNP)基组对氢气分子在Na-MAZ和Li-MAZ沸石原子簇上的吸附进行了研究,计算得到吸附复合物的平衡几何结构参数、振动频率以及... 采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)/PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)交换相关泛函和双数值基加p极化(DNP)基组对氢气分子在Na-MAZ和Li-MAZ沸石原子簇上的吸附进行了研究,计算得到吸附复合物的平衡几何结构参数、振动频率以及吸附能等数据.结果表明:MAZ沸石中存在四个稳定的吸附位点,分别为Sl'、Sl"Sll'和Sll"位点;氢气分子在Na-MAZ沸石的Sll"位点吸附时最稳定,而在Li-MAZ沸石中,氢气分子处于Sl"和Sll"位点时最稳定.吸附能越大,氢气分子键长越长,振动频率减少也越多.Li-MAZ沸石对氢气的吸附能力要明显强于Na-MAZ沸石的吸附能力,理论上Li-MAZ沸石具有更高的氢气储量,可能是一种潜在的储氢材料. 展开更多

关键词 MAZ沸石:氢气:吸附 密度泛函理论:广义梯度近似

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二价与三价铕共掺杂的硫酸锶荧光特性

20

作者 李筠申 翟保改 +2 位作者 刘大庆 杨龙 黄远明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期143-149,共7页

以三价铕离子为单一铕源,采用化学共沉淀法制备了二价铕与三价铕共掺杂的SrSO_4荧光粉体材料.通过X射线衍射仪、扫描电镜、光致发光谱仪对该荧光粉的晶体结构、形貌、光致发光特性进行分析.研究发现:所合成的SrSO_4粉体材料为二价铕与... 以三价铕离子为单一铕源,采用化学共沉淀法制备了二价铕与三价铕共掺杂的SrSO_4荧光粉体材料.通过X射线衍射仪、扫描电镜、光致发光谱仪对该荧光粉的晶体结构、形貌、光致发光特性进行分析.研究发现:所合成的SrSO_4粉体材料为二价铕与三价铕共掺杂的SrSO_4微晶,其大小在1~10μm之间.在325nm的紫外光激发下该微晶能发射很强的绛红色荧光,其光致光谱由一个位于379nm的宽发光带和位于575nm、591nm和612nm的三个窄发光带组成.基于局域密度近似的密度泛函理论,计算了SrSO_4的能带结构及其氧缺陷能级,然后以能带结构为基础讨论了二价铕与三价铕共掺杂SrSO_4的发光机理.峰位于379nm的宽发光带可归因于SrSO_4微晶中二价铕离子发光中心的4f^65d^1→4f^7的电子跃迁,而三个红色窄发光峰分别来自三价铕离子~5D_0→~7F_0,~5D_0→~7F_1,~5D_0→~7F_2的电子跃迁.实验表明二价铕与三价铕共掺杂的SrSO_4能作为高效的绛红色荧光粉. 展开更多

关键词 SrSO4 铕掺杂 光致发光 局域密度近似 密度泛函计算

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