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超大规模集成电路布图规划方法研究综述
1
作者 史梓慧 欧阳丹彤 张立明 《吉林大学学报(理学版)》 北大核心 2025年第1期139-150,共12页
综述超大规模集成电路(VLSI)布图规划方法,探讨布图规划在集成电路设计中的重要性,以及其对芯片面积、互连线长和设计周期的影响.首先,回顾集成电路技术的发展历程,强调布图规划在确定模块位置、尺寸和旋转角度中的作用.其次,详细介绍4... 综述超大规模集成电路(VLSI)布图规划方法,探讨布图规划在集成电路设计中的重要性,以及其对芯片面积、互连线长和设计周期的影响.首先,回顾集成电路技术的发展历程,强调布图规划在确定模块位置、尺寸和旋转角度中的作用.其次,详细介绍4类主要的VLSI布图规划方法:直观构造方法、分析法、迭代法和基于机器学习的方法.再次,讨论两个VLSI设计领域中常用的基准数据集MCNC和GSRC对测试和评估布图设计方法的重要性.最后,总结布图规划领域的研究进展,并指出未来的研究方向. 展开更多
关键词 超大规模集成电路 布图规划 布局 构造法 分析法 迭代法 机器学习方法
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超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析 被引量：55
2
作者 苏建修 康仁科 郭东明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期27-32,共6页
目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有... 目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。 展开更多
关键词 化学机械抛光 材料去除机理 CMP系统过程变量 超大规模集成电路
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面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法 被引量：5
3
作者 刘耿耿 李泽鹏 +2 位作者 郭文忠 陈国龙 徐宁 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期2575-2583,共9页
随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通... 随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通孔数量:(1)一种高效的基于区域划分的并行策略,实现各区域在并行布线阶段负载均衡,以提高并行布线的效率;(2)基于线网等效布线方案感知的通孔优化策略,决定各线网对布线资源使用的优先级,进而减少层分配方案的通孔数量.最终将上述两种策略相结合,提出了一种面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法.实验结果表明该算法对通孔数量和运行时间均有良好的优化效果. 展开更多
关键词 并行算法 层分配 通孔 区域划分 负载均衡 超大规模集成电路
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超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术 被引量：4
4
作者 宋登元 王秀山 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期11-13,共3页
介绍了激光扫描散射检测超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）芯片上缺陷的原理，描述了对芯片沾污杂质粒子与芯片电路图形缺陷的检测方法，并对它们的特点进行了比较。
关键词 vlsi 缺陷检测 集成电路 激光技术
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降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型 被引量：6
5
作者 闻瑞梅 梁骏吾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1601-1604,共4页
本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一... 本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 . 展开更多
关键词 超大规模集成电路 总有机碳 185纳米紫外 光化学
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超大规模集成电路互连线时延分析方法 被引量：2
6
作者 陈春鸿 王家诒 +1 位作者 龙忠琪 赵文庆 《浙江工业大学学报》 CAS 1997年第3期181-187,共7页
介绍近十年来互连线时延领域的主要研究方法，并指出存在的问题及将来值得进一步探索的课题和方向。
关键词 集成电路 互连线时延 vlsi 互连线电阻
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化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展 被引量：3
7
作者 杨志刚 钟声 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1049-1053,共5页
随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大... 随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大马士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状. 展开更多
关键词 超大规模集成电路 金属化 铜互连 阻挡层
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控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究 被引量：3
8
作者 闻瑞梅 陈胜利 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1009-1012,共4页
本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水... 本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧 .结合用双级反渗透 (RO)及电脱盐 (EDI) [1～ 3 ] 再加上 185nm紫外光照射高纯水 ,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至 0 6 μg/L和 0 7μg/L,并用键能理论解释了 展开更多
关键词 超大规模集成电路 溶解氧 总有机碳
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超大规模集成电路的无损内窥显微分层体视检测 被引量：1
9
作者 胡问国 李萍 +5 位作者 徐晓华 李亚文 肖玲 周开邻 朱世秋 Э.И.РАУ 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期682-682,共1页
当今世界已进入信息时代。信息时代的主要基础是计算机、通讯和自动化设备及其软件。而这些设备又是以微电子器件为基础。面对信息爆炸时代，每日每时都在产生着的数量巨大的信息，需要对其进行处理、传输、存储、显示、打印和应用，这... 当今世界已进入信息时代。信息时代的主要基础是计算机、通讯和自动化设备及其软件。而这些设备又是以微电子器件为基础。面对信息爆炸时代，每日每时都在产生着的数量巨大的信息，需要对其进行处理、传输、存储、显示、打印和应用，这就需要研制和生产集成度更高的集成电... 展开更多
关键词 超大规模 集成电路 无损检测 显微分层体视
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超大规模集成电路的板级测试研究 被引量：3
10
作者 李志威 潘中良 叶小敏 《重庆理工大学学报（自然科学）》 CAS 北大核心 2019年第9期170-175,共6页
为检测以超大规模集成电路为核心的电子设备,设计了基于边界扫描技术的电路测试系统。对超大规模集成电路进行板级测试,并提出在互连网络两端的边界扫描单元分别做输出操作的针对互连测试和簇测试过程的测试方法。测试结果表明:利用该方... 为检测以超大规模集成电路为核心的电子设备,设计了基于边界扫描技术的电路测试系统。对超大规模集成电路进行板级测试,并提出在互连网络两端的边界扫描单元分别做输出操作的针对互连测试和簇测试过程的测试方法。测试结果表明:利用该方法,提高了超大规模集成电路板级故障的分辨能力,获得了更好的测试效果。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 板级测试 互连测试 簇测试
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超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究 被引量：1
11
作者 杜磊 薛丽君 +1 位作者 庄奕琪 徐卓 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1062-1065,共4页
通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可... 通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大 3个微观结构变化的阶段 .上述 3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程 ,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路 (VLSI) 展开更多
关键词 超大规模集成电路 金属互连线 指示参量 噪声点功率谱幅值 电迁移 低频涨落 频率指数
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应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展 被引量：3
12
作者 王平 杨银堂 +1 位作者 徐新艳 杨桂杰 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期274-281,共8页
本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行... 本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 研究进展 高密度等离子体源 电子回旋共振 感应耦合等离子体 螺旋波等离子体 生产工艺
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日本超大规模集成电路研究组合的若干经验 被引量：3
13
作者 冯昭奎 《科技进步与对策》 1984年第2期50-52,共3页
一九七六年至一九八零年,在日本通产省的主持下,日本最大的五家计算机公司(富士通、日本电气、日立、东芝和三菱电机)组成“超大规模集成电路技术研究组合”(以下简称“超LSI组合”或“组合”),共同研究为制造超LSI所必要的技术。经过... 一九七六年至一九八零年,在日本通产省的主持下,日本最大的五家计算机公司(富士通、日本电气、日立、东芝和三菱电机)组成“超大规模集成电路技术研究组合”(以下简称“超LSI组合”或“组合”),共同研究为制造超LSI所必要的技术。经过四年的努力,“组合”不仅在技术上取得了成功,而且为国家主持大型技术开发项目提供了不少成功的经验。 展开更多
关键词 日本 开发项目 集成电路产业 大公司 富士通 开发计划 超大规模集成电路技术 研究组合 协作企业 三菱
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超大规模集成电路成功布线的策略
14
作者 孙建红 沙涛 孙宪君 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期494-498,共5页
该文对超大规模集成电路 (VLSI)的成功布线给出一些策略。运用这些策略可以确定通道区最优布线 ,避免出现“开关盒”问题 ,还可以预知成功布线的可实现性 ,保证在通道区扩张阶段需要重新布线的通道区数目最少。这些策略均以图论为基础 ,... 该文对超大规模集成电路 (VLSI)的成功布线给出一些策略。运用这些策略可以确定通道区最优布线 ,避免出现“开关盒”问题 ,还可以预知成功布线的可实现性 ,保证在通道区扩张阶段需要重新布线的通道区数目最少。这些策略均以图论为基础 ,对VLSI布图设计具有一定的理论和实用意义。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 开关盒 自由边通道区 通道区布线 布线策略 布图设计
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国外军用超大规模集成电路的应用与发展趋势
15
作者 章晓文 林晓玲 阮春郎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期13-17,共5页
论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用。介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策。分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有更多质优价廉的民用集成电路产... 论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用。介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策。分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有更多质优价廉的民用集成电路产品适合军事装备的需要,民技军用是国外军用集成电路今后的发展趋势。 展开更多
关键词 军用超大规模集成电路 武器装备 民技军用 发展趋势
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超大规模集成电路波导光互连技术的现状与前景
16
作者 祖继锋 邹立勋 《应用光学》 CAS CSCD 1992年第6期1-3,11,共4页
介绍超大规模集成电路(VLSI)波导(?)互连技术的最新进展,并预测其发展方向,以及如阿解决存在的实际问题。
关键词 超大规模 集成电路 波导 互连工艺
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超大规模集成电路的栅氧化技术
17
作者 卢豫曾 蒋保运 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期72-76,共5页
本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10^(10)cm^(-2),固定电荷密度约为10^(11)cm^(-2)的... 本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10^(10)cm^(-2),固定电荷密度约为10^(11)cm^(-2)的优质超薄氧化层。 展开更多
关键词 超大规模 集成电路 栅氧化技术
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超大规模集成电路用超纯水制备系统的设计 被引量：4
18
作者 刘朋 王水弟 +1 位作者 杨宝和 陈为红 《实验技术与管理》 CAS 2003年第6期15-19,共5页
本文介绍了一套超大规模集成电路(VLSI)用10m3/h超纯水系统的设计要点.经实际运行,性能稳定、操作简单、自动化程度高,有很好的示范作用.
关键词 超大规模集成电路 超纯水制备系统 流程 水质 自动化
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超大规模集成电路硅片的内吸杂 被引量：2
19
作者 汤艳 杨德仁 +3 位作者 马向阳 李东升 樊瑞新 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期73-75,81,共4页
介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,井讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。
关键词 超大规模集成电路 硅片 内吸杂工艺 金属 氧 杂质 热处理
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超大规模集成电路布局的优化模型与算法 被引量：6
20
作者 黄志鹏 李兴权 朱文兴 《运筹学学报》 CSCD 北大核心 2021年第3期15-36,共22页
布局确定集成电路单元在芯片中的具体位置,在单元互不重叠的基础上优化一些性能指标。该问题是NP困难的组合优化问题,是超大规模集成电路物理设计的核心问题之一,对集成电路的性能指标,如线网可布通性、时延、功耗、电路可靠性等有重大... 布局确定集成电路单元在芯片中的具体位置,在单元互不重叠的基础上优化一些性能指标。该问题是NP困难的组合优化问题,是超大规模集成电路物理设计的核心问题之一,对集成电路的性能指标,如线网可布通性、时延、功耗、电路可靠性等有重大影响。在现代的集成电路设计中,布局问题通常包含数百万个集成电路单元,以及大小相异的异质性模块,和各种复杂的布局约束。目前的超大规模集成电路布局算法通常分解为总体布局、布局合法化和详细布局三个步骤。根据近年来集成电路布局算法的研究进展,综述并分析集成电路的总体布局、布局合法化和详细布局的相关优化模型和算法,并展望进一步的研究方向。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 总体布局 合法化 优化算法
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