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硅异质结和赝异质结双极器件研究进展: 1; 作者郑茳许居衍《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期144-147,共4页; 本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。; 关键词硅异质结赝异质结双极器件双极晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析: 2; 作者黄流兴魏同立《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1994年第2期8-14,共7页; 具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，... 展开更多; 关键词双极晶体管赝异质结硅电子参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现: 3; 作者李鑫肖曼琳 +1 位作者蒋明杜鑫威《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第11期105-109,共5页; 设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大... 展开更多; 关键词 Ku波段中功率放大器砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺共源共栅单片微波集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ka波段单片自偏压低噪声放大器被引量：2: 4; 作者高兴振杨爽孙晓玮《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期289-292,共4页; 本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放... 展开更多; 关键词赝调制掺杂异质结场效应晶体管 KA波段低噪声放大器自偏压单片微波集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅异质结和赝异质结双极器件研究进展: 1; 作者郑茳许居衍; 机构东南大学-华晶无锡微电子应用研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期144-147,共4页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。; 关键词硅异质结赝异质结双极器件双极晶体管; Keywords Silicon Heterojunction Pseudo-heterojunction Bipolar device; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析: 2; 作者黄流兴魏同立; 机构东南大学微电子中心; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1994年第2期8-14,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。; 关键词双极晶体管赝异质结硅电子参数; Keywords bipolar transistors cutoff frequency low temperature/ pseudo heterojunction currentgain base sheet resistance; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现: 3; 作者李鑫肖曼琳蒋明杜鑫威; 机构上海工程技术大学城市轨道交通学院国网湖南省电力有限公司衡阳供电分公司; 出处《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第11期105-109,共5页; 文摘设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。; 关键词 Ku波段中功率放大器砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺共源共栅单片微波集成电路; Keywords Ku band medium power amplifier GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(GaAs pHEMT)process cascode monolithic microwave integrated circuit(MMIC); 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ka波段单片自偏压低噪声放大器被引量：2: 4; 作者高兴振杨爽孙晓玮; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海科技大学信息学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期289-292,共4页; 文摘本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放大器在26~40GHz频段内增益为22±1dB,噪声优于3dB;在36GHz处噪声优于2.5dB。芯片尺寸为2.0mm×1.0mm×0.1mm。; 关键词赝调制掺杂异质结场效应晶体管 KA波段低噪声放大器自偏压单片微波集成电路; Keywords pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) Ka band low noise amplifier(LNA) self-bias monolithic microwave integrated circiuit(MMIC); 分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	硅异质结和赝异质结双极器件研究进展	郑茳许居衍	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析	黄流兴魏同立	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现	李鑫肖曼琳蒋明杜鑫威	《现代雷达》 CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ka波段单片自偏压低噪声放大器	高兴振杨爽孙晓玮	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料