調制摻杂場效应晶体管的研制与測試 被引量：1

1

作者 朱旗 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期88-94,共7页

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行... 对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。 展开更多

关键词 调制渗杂 场效应晶体管 砷化镓

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调制掺杂场效应晶体管的直流特性

2

作者 朱旗 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期208-212,共5页

对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。

关键词 场效应 晶体管 调制 掺杂 直流特性

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集成场效应晶体管光调制

3

作者 蒋锐 曹三松 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期120-120,共1页

关键词 硅基质光调制器 场效应晶体管 宽硅波导 发射光谱

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石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究 被引量：3

4

作者 魏子钧 王志刚 +5 位作者 李晨 郭剑 任黎明 张朝晖 傅云义 黄如 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期704-708,共5页

采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背... 采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下,光电流出现饱和现象,石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5μA/W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。 展开更多

关键词 石墨烯场效应晶体管 光电响应 背栅调制

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无结场效应晶体管生化传感器研究进展 被引量：1

5

作者 姜齐风 张静 +5 位作者 魏淑华 张青竹 王艳蓉 李梦达 胡佳威 闫江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期854-864,共11页

基于无结场效应晶体管(JLFET)的生化传感器制备工艺简单,不存在传统场效应晶体管(FET)源漏结构引起的pn结杂质扩散等问题,因而备受重视。以工作机制可将其分为离子敏感型与介电调制型两大类,分别通过电解液向半导体转移电荷和调制栅介... 基于无结场效应晶体管(JLFET)的生化传感器制备工艺简单,不存在传统场效应晶体管(FET)源漏结构引起的pn结杂质扩散等问题,因而备受重视。以工作机制可将其分为离子敏感型与介电调制型两大类,分别通过电解液向半导体转移电荷和调制栅介质电容使传感器阈值电压及电流发生变化以达到探测生化物质的目的。综述了两类JLFET生化传感器的工作原理,列举该器件在不同材料、结构等方面的改进并介绍其性能,以供微纳电子学与生物化学交叉学科领域的研究者参考。 展开更多

关键词 无结场效应晶体管(JLFET) 生化传感器 电解质 传感层 介电调制

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氮掺杂石墨烯的p型场效应及其精细调控（英文） 被引量：2

6

作者 彭鹏 刘洪涛 +2 位作者 武斌 汤庆鑫 刘云圻 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1282-1290,共9页

石墨烯因独特的性质和潜在的应用在过去十年受到广泛重视。得益于石墨烯研究的繁荣,氧化石墨烯作为石墨烯的最常见的衍生物,近年来也获得广泛的研究。氧化石墨烯不仅可以通过高温退火还原得到光电性质都类似石墨烯的还原氧化石墨烯,而... 石墨烯因独特的性质和潜在的应用在过去十年受到广泛重视。得益于石墨烯研究的繁荣,氧化石墨烯作为石墨烯的最常见的衍生物,近年来也获得广泛的研究。氧化石墨烯不仅可以通过高温退火还原得到光电性质都类似石墨烯的还原氧化石墨烯,而且因其结构中存在羧基、羰基和羟基等含氧基团,为石墨烯的性能调控提供了可能。常见的做法是通过引入外来原子比如氮原子来调控石墨烯的化学催化和光电性质。然而至今在氮掺杂石墨烯的研究中,氮的类型和所处化学环境对石墨烯电学性能的影响尚不清楚,而这会影响石墨烯后续的电学和催化应用。因此,合成特定类型的氮掺杂石墨烯并研究其对后续应用的影响是必要的。我们通过氧化石墨烯和邻芳基二胺的希夫碱缩合反应成功合成了吡嗪和吡啶氮掺杂石墨烯,研究了氮的类型对石墨烯电学性能的影响。吡嗪氮掺杂的石墨烯表现出弱的n型掺杂,而强吸电子的三氟甲基基团的引入,会让吡嗪氮掺杂的石墨烯由弱n型掺杂转变为明显的p型掺杂。当在吡嗪氮中同时引入吡啶氮时,石墨烯也表现为弱的p型掺杂。因此,石墨烯的性能可以通过控制吸电子基团和掺杂不同类型的氮来实现精细调控,从而为石墨烯的应用提供更多潜在可能。 展开更多

关键词 还原氧化石墨烯 氮掺杂 希夫碱反应 吸电子基团 场效应晶体管

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调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响

7

作者 许敏 袁凤坡 +3 位作者 陈国鹰 李冬梅 尹甲运 冯志宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期230-233,共4页

利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(nS×μ)可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×... 利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(nS×μ)可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×1018cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□。尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V.s)。分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围。 展开更多

关键词 调制掺杂 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 迁移率

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石墨烯PN结的调制掺杂生长与光电转换器件研究取得进展

8

《中国光学》 EI CAS 2013年第1期120-121,共2页

石墨烯因独特的二维层状原子晶体结构和狄拉克锥形电子能带结构而具有新奇的电学、光学和光电子学性质。PN结则是双极型晶体管和场效应晶体管的核心结构,更是现代电子技术的基础。石墨烯中的PN结将具有电子负折射率效应和分数量子霍尔... 石墨烯因独特的二维层状原子晶体结构和狄拉克锥形电子能带结构而具有新奇的电学、光学和光电子学性质。PN结则是双极型晶体管和场效应晶体管的核心结构,更是现代电子技术的基础。石墨烯中的PN结将具有电子负折射率效应和分数量子霍尔效应，此外， 展开更多

关键词 光电转换器件 PN结 调制掺杂 石墨 电子能带结构 分数量子霍尔效应 生长 场效应晶体管

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利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形 I.任意整形电脉冲发生器 被引量：1

9

作者 王春 陈绍和 +4 位作者 马忠林 许世忠 沈磊 邵宗书 蒋民华 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期411-415,共5页

本文利用ＧａＡｓ场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器，该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同，幅度由加在ＧａＡｓ场效应晶体管上的负偏压决定，各基... 本文利用ＧａＡｓ场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器，该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同，幅度由加在ＧａＡｓ场效应晶体管上的负偏压决定，各基元电路产生的用于叠加的基元电脉冲相互独立，使计算机控制栅极偏压进而控制整形电脉冲的形状成为可能． 展开更多

关键词 ICF固体激光驱动器 场效应晶体管 集成光学 调制器 惯性约束核聚变

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基于可控Cd掺杂In_2O_3纳米线的电学特性研究

10

作者 郭慧尔 葛焱 +2 位作者 王春来 李琳珑 于永强 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期780-783,共4页

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达... 文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1cm2/(V.s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。 展开更多

关键词 In2O3纳米线 化学气相沉积 Cd掺杂 场效应晶体管

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用掺杂法改进碳纳米管气敏传感器的机理 被引量：6

11

作者 袁悦华 刘之景 李兴旺 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2004年第10期7-9,共3页

碳纳米管气敏传感器在敏感性、选择性、操纵性等性能上,远胜于传统的金属氧化物膜传感器。但由于受本征碳纳米管(纯净碳纳米管)吸附能力的限制,碳纳米管气敏传感器能检测的气体种类很少。斯坦福大学的ShuPeng等人的实验发现,掺杂了B、N... 碳纳米管气敏传感器在敏感性、选择性、操纵性等性能上,远胜于传统的金属氧化物膜传感器。但由于受本征碳纳米管(纯净碳纳米管)吸附能力的限制,碳纳米管气敏传感器能检测的气体种类很少。斯坦福大学的ShuPeng等人的实验发现,掺杂了B、N原子的碳纳米管第一次成功地检测出了CO和H2O分子。在详细阐述碳纳米管传感器工作机理的基础上,用半导体杂质理论和离子对吸附模型对这一最新实验结果作出理论解释。这种掺杂方法,很有可能从根本上解决碳纳米管气敏传感器检测范围小的问题。 展开更多

关键词 单壁碳纳米管 场效应晶体管 本征碳钠米管 离子对模型 气敏传感器 掺杂

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考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法 被引量：4

12

作者 任鹏 涂春鸣 +3 位作者 侯玉超 郭祺 刘海军 王鑫 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期128-136,共9页

首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一... 首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一个直流侧电压为半桥子模块一半的SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)全桥子模块,整体经济性较好。其次,提出一种面向输出电平数倍增的HMMC高、低频混合调制策略,并充分发挥SiC MOSFET开关损耗低的优势,在减小HMMC输出谐波的同时降低整体运行损耗。此外,分析混合调制策略下HMMC异质子模块直流侧能量的波动规律,提出一种高、低频模块直流侧电压稳定控制策略。最后,仿真和实验验证了所提HMMC拓扑结构和调制策略的可行性,并将所提HMMC、基于单一器件MMC和现有HMMC在损耗和成本方面进行综合对比,证明了该方案在降低损耗和减小成本方面优势显著。 展开更多

关键词 模块化多电平换流器 Si绝缘栅双极晶体管 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管 混合调制 电压平衡控制 效率优化

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基于温和氧等离子体实现硫化钼Ｐ型掺杂的研究

13

作者 刘明雪 冯少朋 +3 位作者 肖少庆 南海燕 张秀梅 顾晓峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1778-1783,1797,共7页

采用一种处于电容放电模式(E-mode)的温和氧气电容耦合等离子体技术对薄层MoS_2进行处理,实现了P型掺杂。通过光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱和场效应晶体管的转移曲线测试,对MoS_2的掺杂机理进行了分析,发现温和氧气等离子体... 采用一种处于电容放电模式(E-mode)的温和氧气电容耦合等离子体技术对薄层MoS_2进行处理,实现了P型掺杂。通过光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱和场效应晶体管的转移曲线测试,对MoS_2的掺杂机理进行了分析,发现温和氧气等离子体处理过程中氧和钼能形成Mo-O键,从而提供额外的空穴使其电子浓度下降,最终导致其开启电压变高、输出电流下降,同时氧气的化学吸附诱导在MoS_2层中引入了P型掺杂。此研究为实现MoS_2的P型掺杂提供了新途径。 展开更多

关键词 二硫化钼 温和等离子体 P型掺杂 场效应晶体管

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6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现

14

作者 李鑫 肖曼琳 +1 位作者 蒋明 杜鑫威 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第11期105-109,共5页

设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大... 设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。 展开更多

关键词 Ku波段 中功率放大器 砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺 共源共栅 单片微波集成电路

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GaN基微波半导体器件研究进展 被引量：4

15

作者 杨燕 郝跃 +1 位作者 张进城 李培咸 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期367-372,421,共7页

GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体... GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势. 展开更多

关键词 GAN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管

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偏压对HEMT嵌入式微加速度计电学参数的温度特性影响 被引量：2

16

作者 谭振新 薛晨阳 +3 位作者 史伟莉 胡全忠 刘俊 张斌珍 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第1期15-17,共3页

研究了HEMT嵌入式微加速度计在不同偏压下的温度效应。研究结果表明由于选择的偏压不同,输出电流的温度系数大小不同。其主要原因是漏极电流的温度效应由迁移率的温度系数和阈值电压的温度系数共同决定,两种效应一正一负,根据选择偏压大... 研究了HEMT嵌入式微加速度计在不同偏压下的温度效应。研究结果表明由于选择的偏压不同,输出电流的温度系数大小不同。其主要原因是漏极电流的温度效应由迁移率的温度系数和阈值电压的温度系数共同决定,两种效应一正一负,根据选择偏压大小,可以调整各自的贡献,确定合适的工作点,从而减小电学参数的温度漂移,甚至可以使某些电学参数的温度系数为零。因此,以HEMT作为微传感器的敏感单元,可以在较宽的温度范围内工作,解决由于温度的影响所带来的测量误差,为温度难以控制的恶劣环境的测试提供一定的依据。 展开更多

关键词 场效应晶体管 温度系数 偏压调制

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Trench MOSFET的研究与进展 被引量：12

17

作者 苏延芬 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期277-280,292,共5页

研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势。介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了Trench MOSFET与VDMOS相比的电学性能特点。最后对其发展现状,关键技术和结构... 研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势。介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了Trench MOSFET与VDMOS相比的电学性能特点。最后对其发展现状,关键技术和结构参数及其发展趋势进行了概括、总结和展望。 展开更多

关键词 Trench金属氧化物场效应晶体管 比导通电阻 击穿电压 元胞面积 箱型掺杂

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X波段功率驱动模块的设计与实现 被引量：1

18

作者 张毅 马兴胜 《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期581-584,共4页

本文论述了一种X波段10W功率驱动模块的设计和实施方案,对模块的高频部分和偏压电路的工作原理和设计思想进行了论述。功率模块的偏压电路可实现模块的供电、调制、保护和温度补偿等功能。功放模块的测试结果表明,模块输出功率大于10W... 本文论述了一种X波段10W功率驱动模块的设计和实施方案,对模块的高频部分和偏压电路的工作原理和设计思想进行了论述。功率模块的偏压电路可实现模块的供电、调制、保护和温度补偿等功能。功放模块的测试结果表明,模块输出功率大于10W、上升下降沿小于150ns,杂散小于-65dBc。 展开更多

关键词 砷化镓场效应晶体管 偏置电路 功率模块 调制电路 温度补偿

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GaAs MISFET制备中的选择性腐蚀研究

19

作者 陈宏江 杨瑞霞 +1 位作者 武一宾 杨克武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期22-25,共4页

研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体... 研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。 展开更多

关键词 选择湿法腐蚀 柠檬酸 调制掺杂沟道 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管

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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展

20

作者 周志文 沈晓霞 李世国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页

Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。 展开更多

关键词 锗(Ge) N型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻

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