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6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
被引量:
3
1
作者
韩茹
杨银堂
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期16-20,共5页
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的...
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
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关键词
碳化硅
补偿电流源
冻析效应
普尔-弗兰克效应
体漏
电流
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职称材料
计及磁动态特性的变压器励磁涌流机理分析
被引量:
6
2
作者
王松
王翔
+1 位作者
曹阳
袁旭峰
《电力系统保护与控制》
EI
CSCD
北大核心
2008年第15期27-32,共6页
变压器的空载合闸过程容易引起较大的励磁涌流,进而影响甚至危害变压器和电力系统的正常运行。对变压器励磁涌流的机理进行深入研究及仿真,对于保证电力系统运行安全以及变压器的继电保护定值的设置具有十分重要意义。在考虑变压器的磁...
变压器的空载合闸过程容易引起较大的励磁涌流,进而影响甚至危害变压器和电力系统的正常运行。对变压器励磁涌流的机理进行深入研究及仿真,对于保证电力系统运行安全以及变压器的继电保护定值的设置具有十分重要意义。在考虑变压器的磁饱和及磁滞特性基础上,利用计及变压器铁心磁滞特性的非线性数学模型,对三相变压器励磁涌流形成的机理及影响因素进行了分析,并采用了并联的非线性补偿电流源来模拟变压器的非线性特性。最后,对三相变压器在不同合闸时间点的励磁涌流及谐波特性进行了仿真,结果表明文中所采用的方法是正确可行的。
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关键词
励磁涌流
磁滞特性
磁饱和特性
空载合闸
非线性
补偿电流源
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职称材料
题名
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
被引量:
3
1
作者
韩茹
杨银堂
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期16-20,共5页
基金
教育部重点科技项目(02074)
国家部委预研项目(513080302)
文摘
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
关键词
碳化硅
补偿电流源
冻析效应
普尔-弗兰克效应
体漏
电流
Keywords
SiC
compensating current elements
freeze-out effect
Poole-Frenkel effect
body leakage current
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
计及磁动态特性的变压器励磁涌流机理分析
被引量:
6
2
作者
王松
王翔
曹阳
袁旭峰
机构
贵州财经学院教务处
湖南省电力公司
贵州大学化学生物工程学院
贵州大学电气工程学院
出处
《电力系统保护与控制》
EI
CSCD
北大核心
2008年第15期27-32,共6页
文摘
变压器的空载合闸过程容易引起较大的励磁涌流,进而影响甚至危害变压器和电力系统的正常运行。对变压器励磁涌流的机理进行深入研究及仿真,对于保证电力系统运行安全以及变压器的继电保护定值的设置具有十分重要意义。在考虑变压器的磁饱和及磁滞特性基础上,利用计及变压器铁心磁滞特性的非线性数学模型,对三相变压器励磁涌流形成的机理及影响因素进行了分析,并采用了并联的非线性补偿电流源来模拟变压器的非线性特性。最后,对三相变压器在不同合闸时间点的励磁涌流及谐波特性进行了仿真,结果表明文中所采用的方法是正确可行的。
关键词
励磁涌流
磁滞特性
磁饱和特性
空载合闸
非线性
补偿电流源
Keywords
magnetic inrush current
magnetic hysteresis characteristics
magnetic saturation
switching with no-load
nonlinear compensating current source
分类号
TM406 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
韩茹
杨银堂
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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职称材料
2
计及磁动态特性的变压器励磁涌流机理分析
王松
王翔
曹阳
袁旭峰
《电力系统保护与控制》
EI
CSCD
北大核心
2008
6
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