期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析
被引量：
1
1
作者
李公平
丁宝卫
+4 位作者
张小东
丁印锋
刘正民
朱德彰
包良满
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期191-194,共4页
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明...
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA/cm2Ar+束,预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异。
展开更多
关键词
铜团簇束
碰撞沉积
单晶硅
XPS谱
薄膜中的原子结合能
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析
被引量：
1
1
作者
李公平
丁宝卫
张小东
丁印锋
刘正民
朱德彰
包良满
机构
兰州大学物理科学与技术学院现代物理系
中国科学院核分析技术研究重点实验室
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期191-194,共4页
基金
中科院核分析技术(联合)开放实验室(上海应用物理所)资助项目
文摘
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA/cm2Ar+束,预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异。
关键词
铜团簇束
碰撞沉积
单晶硅
XPS谱
薄膜中的原子结合能
Keywords
Copper cluster beam
Collision deposition
Mono crystalline silicon
XPS spectrum
Atomic binding energy of thin film
分类号
O484.2 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析
李公平
丁宝卫
张小东
丁印锋
刘正民
朱德彰
包良满
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
