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SO_2分子荧光辐射的时间分辨测量被引量：1: 1; 作者张贵银靳一东《华北电力大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第3期101-104,共4页; 用Nd·YAG激光器的四倍频输出（266nm）做激发源,得到了266 Pa样品气压条件下,SO2分子在270～470nm波长范围内的激光诱导色散荧光光谱.光谱呈现出以325.0 nm、370.0 nm和425.4 nm波长为中心的弥散结构特征,产生于受激SO2分子通过碰... 展开更多; 关键词 SO2分子荧光时间分辨谱辐射寿命碰撞淬灭速率常数; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型酰腙配体及其Sn配合物的荧光特性研究被引量：5: 2; 作者高学喜王文军 +3 位作者刘云龙李大成张丙元徐建华《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期147-151,共5页; 用稳态荧光和时间分辨荧光研究了一种新型酰腙配体2-羟基甲醛-5-氯水杨酰腙(H3L)及Sn配合物(n-Bu2)Sn(HL)晶体、溶液和旋涂膜的光谱特性与分子结构的关系。实验结果表明,对H3L而言,与其稀溶液相比,晶体及旋涂膜的荧光强度依次增强,荧光... 展开更多; 关键词酰腙配体金属配合物稳态、时间分辨荧光谱分子结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光诱导等离子体碘甲烷裂解动力学过程: 3; 作者张连水肖广长生党伟《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1194-1198,共5页; 采用色散荧光谱和时间分辨光谱方法,研究了532 nm强激光场诱导等离子体作用下碘甲烷分解动力学过程.通过对所得色散荧光谱归属,确定了碘甲烷分解的主要荧光产物粒子:CH3I+、CH3、CH2、CH、C、H、C+、C2+、I+I、2+;通过时间分辨光谱分析... 展开更多; 关键词分子光谱裂解过程色散荧光谱和时间分辨光谱碘甲烷; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用被引量：1: 4; 作者周之琰杨坤 +2 位作者黄耀民林涛冯哲川《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1722-1729,共8页; 为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方... 展开更多; 关键词 InGaN/GaN多层量子阱光致荧光时间分辨荧光谱硅衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SO_2分子荧光辐射的时间分辨测量被引量：1: 1; 作者张贵银靳一东; 机构华北电力大学数理学院; 出处《华北电力大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第3期101-104,共4页; 基金河北省博士科研基金项目(05547001D-3) 华北电力大学青年科研基金资助项目(09320028); 文摘用Nd·YAG激光器的四倍频输出（266nm）做激发源,得到了266 Pa样品气压条件下,SO2分子在270～470nm波长范围内的激光诱导色散荧光光谱.光谱呈现出以325.0 nm、370.0 nm和425.4 nm波长为中心的弥散结构特征,产生于受激SO2分子通过碰撞及内转换过程,布居到A1A2＋B1B1耦合激发电子态多个振转能级的荧光辐射.通过测量受激SO2分子在包络中心波长处的荧光辐射寿命随样品气压的变化,得到了受激SO2分子对应三个中心波长的自发辐射寿命及碰撞淬灭速率常数.; 关键词 SO2分子荧光时间分辨谱辐射寿命碰撞淬灭速率常数; Keywords SO2 molecules time-resolved fluoresoence spectrum radiant lifetime rate constant of collision quenching; 分类号 O433.5 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型酰腙配体及其Sn配合物的荧光特性研究被引量：5: 2; 作者高学喜王文军刘云龙李大成张丙元徐建华; 机构聊城大学物理科学与信息工程学院聊城大学化学化工学院精密光谱科学与技术国家重点实验室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期147-151,共5页; 基金国家自然科学基金项目(10874063) 山东省科技攻关计划项目(2010GGX10127) 山东省教育厅科技发展计划项目(J10LA60)资助; 文摘用稳态荧光和时间分辨荧光研究了一种新型酰腙配体2-羟基甲醛-5-氯水杨酰腙(H3L)及Sn配合物(n-Bu2)Sn(HL)晶体、溶液和旋涂膜的光谱特性与分子结构的关系。实验结果表明,对H3L而言,与其稀溶液相比,晶体及旋涂膜的荧光强度依次增强,荧光峰位都有所红移,荧光寿命有所延长,其单分子跃迁能为240.2kJ.mol-1;对[(n-Bu2)Sn(HL)]而言,其晶体稳态荧光强度比在溶液中强且荧光峰位红移,旋涂膜产生了荧光猝灭,单分子跃迁能为230.4kJ.mol-1;与H3L相比较,(n-Bu2)Sn(HL)晶体的荧光强度要强接近4倍,荧光寿命变长。这些现象的物理机制是分子的共轭体系越大、分子的刚性越大其荧光强度越强,荧光寿命越长。; 关键词酰腙配体金属配合物稳态、时间分辨荧光谱分子结构; Keywords Acylhydrazone ligands Metal complexes Steady s tate and time resolved fluorescence spectrum Molecular structure; 分类号 O433.4 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光诱导等离子体碘甲烷裂解动力学过程: 3; 作者张连水肖广长生党伟; 机构河北大学物理科学与技术学院; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1194-1198,共5页; 基金河北省自然科学基金(A2005000091); 文摘采用色散荧光谱和时间分辨光谱方法,研究了532 nm强激光场诱导等离子体作用下碘甲烷分解动力学过程.通过对所得色散荧光谱归属,确定了碘甲烷分解的主要荧光产物粒子:CH3I+、CH3、CH2、CH、C、H、C+、C2+、I+I、2+;通过时间分辨光谱分析,讨论了荧光产物粒子的形成动力学机理,归结出了碘甲烷分解所经历的主要过程为"共振多光子激发电离→CH3I+解离→库仑爆炸脱氢→电子碰撞激发或电离→次级碰撞电离"的物理过程.所得结果将对其他多原子分子的强激光场作用下激光诱导等离子体分解动力学过程的研究具有参考价值.; 关键词分子光谱裂解过程色散荧光谱和时间分辨光谱碘甲烷; Keywords molecular spectrum, dissociation process, disperse fluorescence and temporal-resolved spectrum,methyl iodide; 分类号 O433.54 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用被引量：1: 4; 作者周之琰杨坤黄耀民林涛冯哲川; 机构广西大学物理科学与工程技术学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1722-1729,共8页; 基金国家自然科学基金(61504030,11533003,U1731239) 广西自然科学基金(2015GXNSFCA139007)资助项目~~; 文摘为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度(10～300K)的变化规律。实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后,非辐射复合平均激活能由(18±3)meV升高到(38±10)meV,对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓,室温下非辐射复合速率下降,体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小,PL峰位由531nm左右红移至579nm左右,样品PL效率随温度的衰减受到抑制。使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层,由于应力释放,降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度,使得器件性能得到了改善。; 关键词 InGaN/GaN多层量子阱光致荧光时间分辨荧光谱硅衬底; Keywords InGaN/GaN multiple quantum well luminescence time-resolved photoluminescence silicon substrate; 分类号 O433.1 [机械工程—光学工程] O474 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SO_2分子荧光辐射的时间分辨测量	张贵银靳一东	《华北电力大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种新型酰腙配体及其Sn配合物的荧光特性研究	高学喜王文军刘云龙李大成张丙元徐建华	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2012	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	激光诱导等离子体碘甲烷裂解动力学过程	张连水肖广长生党伟	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用	周之琰杨坤黄耀民林涛冯哲川	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料