自扫描光电二极管线阵图像传感器的灵敏度分析 被引量：3

1

作者 刘晓明 刘宗行 《传感技术学报》 CAS CSCD 1999年第2期119-122,共4页

自扫描光电二极管线阵图像传感器的灵敏度为单位曝光量下器件的输出电流或电压．本文用计算机辅助分析得出了灵敏度与每位二极管电容Ｃ_ｓ的关系．根据本文给出的程序框图与所编制的程序，可以计算出不同光照时，灵敏度大小的分散性，... 自扫描光电二极管线阵图像传感器的灵敏度为单位曝光量下器件的输出电流或电压．本文用计算机辅助分析得出了灵敏度与每位二极管电容Ｃ_ｓ的关系．根据本文给出的程序框图与所编制的程序，可以计算出不同光照时，灵敏度大小的分散性，对自扫描光电二极管线阵器件的选用与制造都有一定的参考价值． 展开更多

关键词 图像传感器 灵敏度 均匀性 光电二极管

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精密光学编码器用的自扫描光电二极管阵列传感器

2

作者 袁祥辉 吕果林 +1 位作者 黄友恕 蒋子平 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1999年第1期91-95,共5页

根据精密光学编码器的性能要求，设计和制造了一种具有１６个像元的专用的自扫描光电二极管阵列（ＳＳＰＡ）。通过分析ＳＳＰＡ的工作原理、设计和实验结果，表明此传感器能满足精密光学编码器的要求。

关键词 光学编码器 自扫描 光电二极管阵列 光电传感器

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新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制 被引量：3

3

作者 周鑫 朱大中 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期928-930,共3页

　本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时... 　本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60μm×60μm,其感光面积百分比(FillFactor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧～64ms/帧范围内调整. 展开更多

关键词 阵列式象限传感器 相关二次采样 互补金属氧化物半导体光电传感器 动态范围调整 二次扫描

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自扫描光电二极管阵列均匀性较正

4

作者 余传祥 刘晓明 黄智勇 《传感技术学报》 CAS CSCD 2002年第4期298-301,共4页

在利用自扫描光电二极管阵列 (SSPA)图像传感器进行图像处理的过程中 ,由于图像传感器存在着不均匀性问题 ,影响了图像的质量 ,为此研制了自扫描光电二极管均匀性校正电路。校正电路采用模数转换器 DAC0 80 8、存贮器 2 75 12、串行计数... 在利用自扫描光电二极管阵列 (SSPA)图像传感器进行图像处理的过程中 ,由于图像传感器存在着不均匀性问题 ,影响了图像的质量 ,为此研制了自扫描光电二极管均匀性校正电路。校正电路采用模数转换器 DAC0 80 8、存贮器 2 75 12、串行计数器 4 0 4 0等器件组成。当光强在 10 %到 90 %饱和范围内变化时 ,图像传感器的不均匀度从2 0 %校正到 3%。 展开更多

关键词 自扫描光电二极管阵列 图像传感器 均匀性

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多点分段单步校正法在接触式图像传感器扫描仪上的实现

5

作者 罗颖 唐雪松 +5 位作者 杨健君 刘霖 刘文聪 孙文缎 尹志强 刘永 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期44-49,共6页

提出了一种接触式图像传感器(CIS)扫描仪非均匀校正的新方法,能够快速高效地完成对CIS扫描仪彩色图像的非均匀校正,消除了CIS的颜色差异。采用多点分段单步法进行标定,采用现场可编程门阵列实现校正,并最终得到颜色均匀的彩色图像。对... 提出了一种接触式图像传感器(CIS)扫描仪非均匀校正的新方法,能够快速高效地完成对CIS扫描仪彩色图像的非均匀校正,消除了CIS的颜色差异。采用多点分段单步法进行标定,采用现场可编程门阵列实现校正,并最终得到颜色均匀的彩色图像。对于分辨率高达1200dpi的CIS扫描仪,采集一次样板纸完成全部颜色空间的分段标定,图像传输的同时完成校正,校正过程仅耗时0.125μs。实际应用效果显示校正后R,G,B三个通道的像素误差控制在5个像素以内,相比校正前图像均匀性提升10倍左右,比传统两点法提升3倍左右,且明显改善图像颜色突变、暗淡以及随机条纹等问题。 展开更多

关键词 接触式图像传感器扫描仪 实时校正 非均匀 现场可编程门阵列

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基于压电偏摆镜的SPAD阵列微扫描单光子成像方法

6

作者 赵焕卿 匡燕瑾 +5 位作者 吴冠霖 田又元 于相之 朱世豪 裘溯 金伟其 《光子学报》 北大核心 2025年第8期14-28,共15页

针对现有具有时间相关单光子计数功能的工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管阵列规模偏小、成像分辨率受限及三维重建精度不足的问题,研究了一种基于压电偏摆镜的微扫描单光子成像方法。结合单光子雪崩二极管的高灵敏度和微扫描提升空... 针对现有具有时间相关单光子计数功能的工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管阵列规模偏小、成像分辨率受限及三维重建精度不足的问题,研究了一种基于压电偏摆镜的微扫描单光子成像方法。结合单光子雪崩二极管的高灵敏度和微扫描提升空间采样率特点,研制了一套基于压电偏摆镜的单光子雪崩二极管阵列微扫描成像实验系统,实现了“2×2”四步亚像素微扫描成像。结合凸集投影算法,构建融合边缘自适应的点扩散函数优化的单光子二维强度/三维深度图像超分辨重建方法。实验结果表明:系统将32×32像素规模提升至64×64像素,二维强度成像分辨率提高了41.42%,三维深度成像分辨力达16.5 mm;基于像素互相关法的深度重建均方根误差对于直线横截面的三维目标降低了14.12%,对复杂几何目标的三维轮廓还原能力显著提升。该方法作为一种单光子雪崩二极管阵列的超分辨成像的技术途径,在单光子成像领域具有应用前景。 展开更多

关键词 微扫描技术 压电偏摆镜 超分辨重建 凸集投影算法 单光子雪崩二极管阵列 深度图像

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PIN结构自扫描光电二极管列阵的研究 被引量：2

7

作者 黄友恕 何清义 +1 位作者 朱维安 吕果林 《光电工程》 CAS CSCD 1995年第4期17-23,共7页

通过对再充电采样方式的自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＡ）工作原理分析，对列阵中光电二极管工作模式进行较深入的探讨，指出影响其性能的主要因素。提出了用ＰＩＮ结构代替常用的ＰＮ结结构的光电二极管组成ＳＳＰＡ。经过ＰＩＮ结构... 通过对再充电采样方式的自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＡ）工作原理分析，对列阵中光电二极管工作模式进行较深入的探讨，指出影响其性能的主要因素。提出了用ＰＩＮ结构代替常用的ＰＮ结结构的光电二极管组成ＳＳＰＡ。经过ＰＩＮ结构和ＭＯＳ电路兼容工艺方案的分析及实验，测试结果表明ＰＩＮ结构有利于改进ＳＳＰＡ的性能，是研究高性能ＳＳＰＡ的新结构。 展开更多

关键词 光电二极管阵列 PIN二极管 自扫描 结构

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基于CPLD的图像传感器非均匀性校正 被引量：1

8

作者 余传祥 汪泉弟 刘晓明 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期43-46,共4页

任何类型的图像传感器都存在着不可避免的非均匀性问题,非均匀性直接影响了传感器的成像质量及其应用范围.为此,讨论了多点校正方法的原理和算法,设计了基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)的非均匀性校正实现方案,并针对CL512J型自扫描光电... 任何类型的图像传感器都存在着不可避免的非均匀性问题,非均匀性直接影响了传感器的成像质量及其应用范围.为此,讨论了多点校正方法的原理和算法,设计了基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)的非均匀性校正实现方案,并针对CL512J型自扫描光电二极管阵列(SSPA)图像传感器进行了实时多点校正实验.结果表明,该校正系统能够将CL512J的非均匀性从40%降到2%. 展开更多

关键词 图像传感器 非均匀性 复杂可编程逻辑器件 自扫描光电二极管阵列

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SSPA图像传感器的非线性电路模型 被引量：1

9

作者 刘宗行 刘晓明 江泽佳 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1-4,共4页

基于改善自扫描光电二极管阵列图像传感器的特性的要求 ,根据传感器的工作原理构造了光电二极管的非线性电路模型。通过对该非线性电路模型进行分析 ,列出该电路模型的状态方程 ,并用龙格库塔算法对该状态方程求解。用C语言实现龙格库... 基于改善自扫描光电二极管阵列图像传感器的特性的要求 ,根据传感器的工作原理构造了光电二极管的非线性电路模型。通过对该非线性电路模型进行分析 ,列出该电路模型的状态方程 ,并用龙格库塔算法对该状态方程求解。用C语言实现龙格库塔算法 ,得出电路的数值解。其数值解结果表明 :减少该类型图像传感器的PN结电容 ,改善了传感器的非线性特性 :在图像传感器上并联电容CM 可增大图像传感器的动态特性 ,上述特性与传感器实测结果一致。 展开更多

关键词 SSPA图像传感器 非线性电路模型 光电二极管 模型

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二维数字阵列光电位置敏感器件新式结构研究

10

作者 李田泽 王生德 +1 位作者 申晋 王淑云 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期46-49,共4页

简要阐述光电位置敏感器件的特点、工作原理,根据光电位置敏感器件的原理和光电位置方程,分析了背景光与测量精度的关系。在此基础上,利用低峰探测仪的双极性三极管将像素M(i,j)的行与列位线联系起来,用来检测最大光强度的像素,显示出... 简要阐述光电位置敏感器件的特点、工作原理,根据光电位置敏感器件的原理和光电位置方程,分析了背景光与测量精度的关系。在此基础上,利用低峰探测仪的双极性三极管将像素M(i,j)的行与列位线联系起来,用来检测最大光强度的像素,显示出最低输出电压,使位线与其输出电压相对应;采用分布图像的峰值检波器来模拟预处理光电信号,通过数字转换得到图像的重心位置;采用集中平行的模拟计算估算射到感光区的光分布的重心,并通过时钟比较器得到数字化图像。给出了检测位置的二维光电传感器阵列、显示与图像数量的平方根成正比功耗关系式以及几个重要结论。 展开更多

关键词 光电位置敏感器件 峰值检波器 二维光传感器阵列 数字化图像

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非晶硅CCD列阵图像传感器的设计考虑

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作者 张坤 温志渝 《红外与激光工程》 EI CSCD 1997年第6期46-51,共6页

文中讨论了非晶硅光电二极管及CCD器件的设计考虑。用α－Si：H光电二极管构成CCD器件的光敏元，提高了光敏单元填充因子，并提出了图像传感器的结构和制作工艺。

关键词 非晶硅 光电二极管 电荷耦合器件 图像传感器

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高速CMOS图像传感器及其应用 被引量：9

12

作者 窦润江 曹中祥 +4 位作者 李全良 冯鹏 刘力源 刘剑 吴南健 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2021年第4期426-434,共9页

设计了一种基于新型像素结构的高速低功耗图像传感器芯片.芯片采用提出的梯度掺杂掩埋型光电二极管(PPD)和非均匀掺杂沟道传输管的像素结构,有效地提高了PPD中光生载流子的横向转移速度,降低了光生载流子的残留,减少了图像传感器芯片的... 设计了一种基于新型像素结构的高速低功耗图像传感器芯片.芯片采用提出的梯度掺杂掩埋型光电二极管(PPD)和非均匀掺杂沟道传输管的像素结构,有效地提高了PPD中光生载流子的横向转移速度,降低了光生载流子的残留,减少了图像传感器芯片的拖尾现象.芯片采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列,降低了图像传感器芯片的整体功耗.图像传感器芯片采用0.18μm CMOS工艺制备,像素尺寸为18μm×18μm,数字量化精度为12 bit.设计了高速CMOS成像系统,并在暗室环境下搭建了图像传感器的光电测试平台.测试得到高速CMOS图像传感器的灵敏度为11 V/(lx·s),动态范围为65 dB,在816×600的分辨率下可稳定输出1000帧/s的高速图像数据.图像传感器工作在最大增益为4、帧率为1000帧/s的工作条件时的功耗为830 mW.基于设计的高速CMOS图像传感器芯片,试制了一款高速CMOS相机.将试制的高速相机应用到高速目标跟踪和大容量存储系统中.实验结果表明,整体系统工作稳定,高速CMOS图像传感器可以长时间地稳定传输高质量的高速图像数据,同时跟踪系统可以稳定跟踪目标、存储系统可以正确存储高速图像数据. 展开更多

关键词 高速 低功耗 CMOS图像传感器 掩埋型光电二极管 高速成像

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8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究 被引量：2

13

作者 傅婧 李豫东 +2 位作者 冯婕 文林 郭旗 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2128-2134,共7页

本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。... 本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。 展开更多

关键词 CMOS图像传感器 钳位光电二极管 质子辐照 电离总剂量 位移损伤剂量

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高集成神经形态人工视觉光电传感器问世

14

《机床与液压》 北大核心 2021年第7期13-13,共1页

中科院金属所沈阳材料科学国家研究中心与南京理工大学、中科院苏州纳米所、东北大学、南京大学等单位合作,开发出一种柔性碳纳米管-量子点神经形态人工视觉光电传感器。该成果以“面向神经形态视觉系统的柔性超灵敏光电传感阵列”为题... 中科院金属所沈阳材料科学国家研究中心与南京理工大学、中科院苏州纳米所、东北大学、南京大学等单位合作,开发出一种柔性碳纳米管-量子点神经形态人工视觉光电传感器。该成果以“面向神经形态视觉系统的柔性超灵敏光电传感阵列”为题,在《自然·通讯》在线发表。人工视觉系统的开发,既要重新创建人工系统的灵活性、复杂性和适应性,又要通过高效率计算和简洁的方式来实现它。目前,人工视觉系统往往采用传统的互补金属氧化半导体(CMOS)或者电荷耦合器件(CCD)图像传感器,通过和执行机器视觉算法的数字系统连接,进而实现人工视觉功能。 展开更多

关键词 人工视觉 光电传感器 图像传感器 人工系统 视觉系统 传感阵列 南京理工大学 南京大学

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CMOS有源像素传感器光响应分析及实验模型建立 被引量：8

15

作者 徐江涛 姚素英 朱天成 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期334-337,共4页

在分析CMOS工艺中的N+/P衬底光电二极管光电响应特性的基础上,提出了一个用于光电响应估算的模型.采用chartered0.35μm2P4MN阱工艺,设计并制造了一个三管有源像素传感器及其测试电路以获得模型的精确实验数据.根据在室光下测试得到的... 在分析CMOS工艺中的N+/P衬底光电二极管光电响应特性的基础上,提出了一个用于光电响应估算的模型.采用chartered0.35μm2P4MN阱工艺,设计并制造了一个三管有源像素传感器及其测试电路以获得模型的精确实验数据.根据在室光下测试得到的灵敏度(0.76V/lx.s)和从像素中提取的电容值,可得电流密度和入射光强度之间的线性系数为7.542×10-4A/m2.lx.这个简单、精确的模型适合在设计CMOS图像传感器中,预测光电二极管和CMOS图像传感器的性能. 展开更多

关键词 CMOS图像传感器 光电二极管 光电响应 实验模型 有源像素

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新型精密位移传感器用的CG200型SSPA器件 被引量：3

16

作者 吕果林 袁祥辉 陈小强 《光电工程》 EI CAS CSCD 1995年第3期53-58,共6页

介绍新型自扫描光栅精密位移传感器用的ＣＧ２００型ＳＳＰＡ器件，它是一种专用固体图象传感器。文中叙述了其电路工作原理、结构特点和功能及光学增透膜的作用，给出了器件的主要性能指标。最后，简单介绍了ＣＧ２００构成的自扫描光... 介绍新型自扫描光栅精密位移传感器用的ＣＧ２００型ＳＳＰＡ器件，它是一种专用固体图象传感器。文中叙述了其电路工作原理、结构特点和功能及光学增透膜的作用，给出了器件的主要性能指标。最后，简单介绍了ＣＧ２００构成的自扫描光栅传感器的示意图。实验结果令人满意。 展开更多

关键词 光电二极管阵列 位移测量 光栅传感器

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提高强度调制型光纤传感器动态探测范围的方法 被引量：2

17

作者 邝泳聪 刘桂雄 +1 位作者 危遂薏 郑时雄 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期36-38,共3页

研究了扩大强度调制光纤传感器动态探测范围的方法 ,通过采用自扫描光电二极管阵列(SSPA)曝光时间控制、激光源输出功率控制和可编程信号调理等措施 。

关键词 强度调制 光纤传感器 动态探测范围 SSPA 自扫描光电二极管阵列

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SSPD图象传感器视频输出电压的分析 被引量：1

18

作者 刘晓明 刘宗行 黄友恕 《传感器技术》 CSCD 1998年第5期29-32,共4页

用计算机辅助分析方法得出了视频输出电压与每位二极管电容Ｃｄ的关系。根据给出的程序框图与所编制的程序，可以计算出不同光照时的视频输出电压和灵敏度大小的分散性，对自扫描光电二极管线阵器件的选用和制造都有一定的参考价值。

关键词 自扫描 光电二极管线阵 图象传感器 SSPD

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光学传感、传感器

19

《中国光学》 EI CAS 2003年第3期63-64,共2页

TP212.14 2003032080基于CMOS图像传感器的成像系统设计=Imaging systemdesign based on CMOS image sensors[刊,中]/宋勇(北京理工大学信息工程学院.北京(100081)),郝群…∥光学技术.—2002,28(3).—253-254,256以OV5116CMOS图像传感... TP212.14 2003032080基于CMOS图像传感器的成像系统设计=Imaging systemdesign based on CMOS image sensors[刊,中]/宋勇(北京理工大学信息工程学院.北京(100081)),郝群…∥光学技术.—2002,28(3).—253-254,256以OV5116CMOS图像传感器为例,讨论了基于CMOS图像传感器的成像系统的电路设计方法及系统设计中应注意的问题;通过对CMOS图像传感器外围电路的优化设计,实现了成像系统的微型化和轻量化。图2表1参5(方舟) 展开更多

关键词 图像传感器 集成传感器 成像系统设计 设计方法 优化设计 光学技术 哈特曼传感器 信息工程学 光电二极管 荧光增强

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安捷伦推出支持全谱色彩检测的最小CMOS传感器

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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期82-82,共1页

安捷伦科技公司(Agilent Technologies)日前推出业内最小的互补金属氧化半导体(CMOS)色彩传感器 HDJD-S722-QR999，体积仅为5×5×1mm。这款器件可以检测出色彩的存在，并在整个色谱范围内识别出确切位置。这款5V电源供电的传... 安捷伦科技公司(Agilent Technologies)日前推出业内最小的互补金属氧化半导体(CMOS)色彩传感器 HDJD-S722-QR999，体积仅为5×5×1mm。这款器件可以检测出色彩的存在，并在整个色谱范围内识别出确切位置。这款5V电源供电的传感器在一个紧凑的封装中集成了色彩滤波器、光电二极管阵列、放大器和增益选择。它在整个光电二极管活动区域中采用一致的色彩滤波阵列，帮助解决由于光线梯度、光圈未对准及封装表面倾斜和不规则等原因引起的潜在不确定性。安捷伦HDJD-S722-QR999色彩传感器的工作温度范围为-40℃到+85℃。 展开更多

关键词 CMOS传感器 色彩检测 最小 推出 互补金属氧化半导体 安捷伦科技公司 光电二极管阵列 色彩传感器 工作温度范围 电源供电 活动区域 不确定性 表面倾斜 滤波器 放大器 不规则 封装 器件

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