STM32驱动的可触摸调控DBD高压逆变电源

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作者 王兴权 余洁 +3 位作者 袁林森 刘玲丽 谭礼军 朱荣兴 《电机与控制学报》 北大核心 2025年第3期177-188,共12页

针对介质阻挡放电(DBD)等离子体高压逆变电源的许多参数只能用机械按钮调节,且电源内部封闭容易出现负载不适配的问题,设计了一款STM32驱动的可触摸调控DBD高压逆变电源,其频率、占空比连续可调,以匹配不同类型的DBD负载。电源电路主要... 针对介质阻挡放电(DBD)等离子体高压逆变电源的许多参数只能用机械按钮调节,且电源内部封闭容易出现负载不适配的问题,设计了一款STM32驱动的可触摸调控DBD高压逆变电源,其频率、占空比连续可调,以匹配不同类型的DBD负载。电源电路主要包括IGBT半桥逆变主电路、IGBT驱动及隔离电路、过流保护电路和过温保护电路。采用STM32F103ZET6作为主控芯片产生两路脉宽调制信号,信号经过电压放大后输入6N137芯片及图腾柱电路进行光电信号的隔离及功率放大,再驱动2个IGBT开关管G4PH50UD工作。电源利用STM32芯片对电流和温度反馈电压进行采样,根据电压大小来判断是否关闭输出。最后,搭建一台可触摸调控DBD高压逆变电源样机,参数为频率5.5~25 kHz可调,占空比0~40%可调,过温和过流保护关断响应时间0.05~500 ms可调,对等离子体负载进行放电匹配验证了样机的适应性和通用性。 展开更多

关键词 STM32芯片 绝缘栅双极性晶体管驱动及隔离 可触摸调控 介质阻挡放电 高压逆变电源 等离子体负载

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面向器件状态辨识的时域反射信号方法研究

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作者 成庶 游歆雨 +2 位作者 刘畅 袁炜钰 吕壮壮 《铁道科学与工程学报》 北大核心 2025年第6期2758-2768,共11页

为解决在进行电力电子器件故障状态辨识时因受原系统工作信号影响导致实时性、准确性和成本不理想的问题,提出一种基于扩展频谱时域反射法进行电力电子器件故障状态辨识的方法。由于电力电子器件在发生故障时其阻抗会发生变化,信号在遇... 为解决在进行电力电子器件故障状态辨识时因受原系统工作信号影响导致实时性、准确性和成本不理想的问题,提出一种基于扩展频谱时域反射法进行电力电子器件故障状态辨识的方法。由于电力电子器件在发生故障时其阻抗会发生变化,信号在遇到阻抗不匹配点时会发生反射,通过提取反射信号的特征可以对故障点的类型和位置进行分析。首先,根据反射信号传输特性构建基于扩展频谱时域反射法进行状态辨识的平台模型,并以IGBT为例,通过其阻抗特性和内部结构论证了利用该方法进行IGBT故障状态辨识的可行性。然后用Simulink搭建平台仿真模型,完成对器件的阻抗辨识,进而搭建硬件平台,包括高频信号的调制、发射电路和反射信号捕获电路,实现对反射特征的采集和预处理,对测试信号和反射信号进行相关运算,从相关波形中提取阻抗特征信息。平台实现了对电阻的阻抗值辨识,并对正常IGBT和短路IGBT进行测试,辨识出2种工况的IGBT在有触发信号和无触发信号状态时分别呈现出的阻抗特性。实验结果表明:相较于传统的基于侵入式信号的电力电子器件故障检测方法,该方法所采用的测试信号由于其高频的特性不会对原系统工作信号造成干扰,并且具有很强的抗干扰能力。研究结果可以为IGBT的健康状态评估和检修策略提供参考。 展开更多

关键词 绝缘栅双极性晶体管 扩展频谱时域反射法 相关运算分析 特征阻抗辨识 器件故障状态辨识

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采用动态电压上升控制的1700 V大功率IGBT有源门极驱动技术 被引量：6

3

作者 李明 王跃 +1 位作者 高远 王兆安 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2513-2519,共7页

为了抑制大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断电压尖峰,提出了一种有源门极控制方法及其优化方法。该控制方法采用电容反馈关断电压上升率来控制驱动电路,通过具备定时功能的高速高增益放大器降低反馈电容的容值,补偿集电极电流输出... 为了抑制大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断电压尖峰,提出了一种有源门极控制方法及其优化方法。该控制方法采用电容反馈关断电压上升率来控制驱动电路,通过具备定时功能的高速高增益放大器降低反馈电容的容值,补偿集电极电流输出响应相对于有源门极控制信号的延时,并保证所提出的有源门极控制方法仅在IGBT关断过程中工作,提高了电路工作的可靠性。通过SABER仿真分析了关键参数对该方法抑制关断电压尖峰效果的影响,提出了一套品质因数评价体系,用于定量评估不同参数下的控制效果。风力发电变流器在极端工况下的实验结果表明,所提出的方法使用较小容值的反馈电容依然能够在仅有400 V电压裕量的严厉条件下降低电流下降速率,从而保证了IGBT的安全工作。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 门极驱动 有源门极控制技术 有源钳位 开关 关断电压尖峰 风力发电

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一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量：1

4

作者 付永升 任海鹏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2774-2785,I0021,共13页

为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybr... 为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybrid switch,SiC/Si HyS)的可靠性与适用性,该文提出一种可变驱动电压的SiC/Si HyS栅极驱动电路结构,采用一路脉冲宽度调制(pulse width modulation,PWM)控制信号和一个驱动芯片产生不同电压幅值的栅极控制信号,分别控制SiC/Si HyS中的SiC-MOSFET和Si-IGBT。相比于传统采用2个独立驱动电路的SiC/Si HyS驱动结构,该驱动电路大幅度降低SiC/Si HyS栅极驱动电路的复杂度,降低SiC-MOSFET关断过程中Si-IGBT误导通的可能性,提升混合开关的工作可靠性。该文首先分析所设计驱动电路工作原理,给出驱动电压调节方法;其次,建立耦合电容端电压纹波和系统启动时电容端电压暂态数学模型,通过仿真和实验验证模型准确性;搭建2 kW的SiC/Si混合开关Buck电路,验证该文所提混合开关驱动电路可行性,从SiC/Si HyS功率器件关断损耗、驱动电路功率损耗、成本以及体积4个方面分析所提驱动结构的优势。 展开更多

关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 硅基绝缘栅极双极晶体管 混合开关 门极驱动电路 耦合电容

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压接型IGBT器件短路失效管壳爆炸特性及防护方法 被引量：2

5

作者 周扬 唐新灵 +5 位作者 王亮 张晓伟 代安琪 林仲康 金锐 魏晓光 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期2350-2361,I0023,共13页

压接型绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作为现有柔性直流输电设备的核心部件,在实际应用中,由于承受高电压、大电流的工作环境,容易发生短路过流失效,进而造成的结构爆炸现象。为研究这一爆炸现象的破坏效... 压接型绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作为现有柔性直流输电设备的核心部件,在实际应用中,由于承受高电压、大电流的工作环境,容易发生短路过流失效,进而造成的结构爆炸现象。为研究这一爆炸现象的破坏效应及其防护,该文结合多组模拟模块化多电平工况实验,得到IGBT器件短路过流失效爆炸后外壳结构的变形特征。结合电气能量特性的分析和实际爆炸失效形貌特点,建立该IGBT器件结构的数值仿真模型,初步确定实际爆炸过程中的等效TNT爆炸当量。在此基础上,从提高结构自身抗爆能力、增加能量外泄通道、替换结构材料等角度开展IGBT器件的结构优化设计,并进行相关试验验证。结果表明,将管壳的陶瓷材料替换为纤维增强复合材料可有效提高结构的防爆性能,降低器件的破坏程度。 展开更多

关键词 压接型绝缘栅双极性晶体管器件 短路失效 爆炸特性 防爆 仿真

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一种三电平高压变频器IGBT驱动电路的实现 被引量：2

6

作者 梁中华 欧立生 +1 位作者 关新 成燕 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2002年第4期309-312,共4页

三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管(IGBT)驱动电路有特殊的要求,比如:高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求.采用美国UNITRODE公司生产的UC3726/3727驱动IGBT芯片对,两芯片可组合使用,从而... 三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管(IGBT)驱动电路有特殊的要求,比如:高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求.采用美国UNITRODE公司生产的UC3726/3727驱动IGBT芯片对,两芯片可组合使用,从而可以达到理想的驱动效果.测试结果表明了该方法的可行性. 展开更多

关键词 IGBT 驱动电路 三电平高压变频器 绝缘门极双极性晶体管 UC3726芯片 UC3727芯片

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抑制高压直流换相失败的串联电压换相变流器及控制方法 被引量：14

7

作者 侯灵犀 魏应冬 +2 位作者 张树卿 姜齐荣 韩英铎 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第22期6481-6490,共10页

为有效降低电网换相高压直流(line-commutated converterhighvoltagedirectcurrent,LCC-HVDC)输电系统换相失败的概率,提出串联电压换相变流器(seriesvoltage commutated converter,SVCC)方案。该方案以直接增加换流阀换相电压面积为目... 为有效降低电网换相高压直流(line-commutated converterhighvoltagedirectcurrent,LCC-HVDC)输电系统换相失败的概率,提出串联电压换相变流器(seriesvoltage commutated converter,SVCC)方案。该方案以直接增加换流阀换相电压面积为目标,将级联的全桥子模块变流链接入换流变压器与LCC换流阀交流端口之间,通过灵活控制串联电压对阀组辅助换相。基于全桥子模块的8种工作状态,设计变流链串联电压辅助换相策略及电容电压控制方法;以SVCC临界换相电压为依据,提出子模块电容容值及额定电压的优选方法。PSCAD/EMTDC仿真结果表明,SVCC拓扑能灵活切换子模块变流链的工作状态,所提出电容电压控制效果良好,与仿真结果吻合度高。相比其他方案,SVCC对交流系统电压暂降的电压补偿响应速度快,可显著提高LCC-HVDC防御换相失败的能力。此外,当交流系统故障超出SVCC抑制换相失败范围,SVCC所采取的紧急应对措施降低了变流链内开关器件的电流应力要求,提高了其工程实用性。 展开更多

关键词 电网换相高压直流输电 换相失败 全桥子模块 绝缘门极双极性晶体管 电压补偿

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适用于复杂电路分析的IGBT模型 被引量：48

8

作者 邓夷 赵争鸣 +2 位作者 袁立强 胡斯登 王雪松 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第9期1-7,共7页

推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概... 推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点。描述模型的等效原理、构成和参数提取过程,并在PSIM软件包下建立其等效电路。以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数,并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。 展开更多

关键词 绝缘栅双极性晶体管 模型 PSIM 开关特性 缓冲吸收电路 并联运行

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碳化硅功率器件技术综述与展望 被引量：126

9

作者 盛况 任娜 徐弘毅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1741-1752,共12页

碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶... 碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。 展开更多

关键词 碳化硅 功率器件 二极管 结型场效应晶体管 金氧半场效晶体管 绝缘栅双极型晶体管 门极可断晶闸管

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一种中电压大功率IGBT模块行为模型 被引量：17

10

作者 陈玉林 孙驰 +1 位作者 艾胜 胡亮灯 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期25-34,共10页

目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型未专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上,提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块... 目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型未专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上,提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块封装键合丝带来的寄生电感,考虑反并联PIN二极管行为模型,从而有针对性地实现了完整中电压大功率IGBT模块行为模型。同时提出了新的米勒电容函数拟合方法,量化分析行为模型完整开关过程中典型行为与模型参数的关系,通过较简便的方法实现了模型参数的提取。最后在Pspice环境下实现了一种3.3k V/1.5k A等级IGBT行为模型,并通过在Buck电路下仿真与实验波形对比证明了该行为模型的可行性和有效性。 展开更多

关键词 中电压大功率 绝缘栅双极性晶体管 行为模型 动态特性

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IGBT模块电气模型及实时仿真研究 被引量：7

11

作者 徐延明 赵成勇 +3 位作者 徐莹 刘启建 许建中 周飞 《华北电力大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2016年第2期8-16,共9页

IGBT模块中IGBT与二极管各自详细暂态电气特性及相互影响少有研究,因此提出一种适于实时仿真的IGBT模块电气模型。模型采用机理推导、电气等效、曲线拟合等方法在PSCAD、SABER、SIMULINK等电路仿真平台建模并基于FPGA模型实时化,可以在... IGBT模块中IGBT与二极管各自详细暂态电气特性及相互影响少有研究,因此提出一种适于实时仿真的IGBT模块电气模型。模型采用机理推导、电气等效、曲线拟合等方法在PSCAD、SABER、SIMULINK等电路仿真平台建模并基于FPGA模型实时化,可以在纳秒级步长下模拟IGBT模块电压电流尖峰、拖尾电流、米勒平台等暂态电气特性。通过与SABER中通用模型仿真结果、实验实测波形对比分析以及搭建的FPGA实时仿真系统,验证了IGBT模块电气模型和参数提取方法的有效性,为进一步将模型应用于柔性直流输电系统仿真、电磁干扰及损耗分析、控制策略等研究打下了基础。 展开更多

关键词 绝缘栅双极性晶体管(IGBT) 二极管 电气模型 实时仿真

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IGBT过流保护电路设计 被引量：15

12

作者 张海亮 陈国定 夏德印 《机电工程》 CAS 2012年第8期966-970,共5页

为解决绝缘栅双极性晶体管(IGBT)在实际应用中经常出现的过流击穿问题,在分析了IGBT过流特性和过流检测方法的基础上,根据过流时IGBT集电极电流的大小分别设计了过载保护电路和短路保护电路。过载保护电路在检测到过载时立即关断IGBT,... 为解决绝缘栅双极性晶体管(IGBT)在实际应用中经常出现的过流击穿问题,在分析了IGBT过流特性和过流检测方法的基础上,根据过流时IGBT集电极电流的大小分别设计了过载保护电路和短路保护电路。过载保护电路在检测到过载时立即关断IGBT,根据不同的过载保护要求可实现持续封锁、固定时间封锁及单周期封锁IGBT的驱动信号;短路保护电路通过检测IGBT通态压降判别短路故障,利用降栅压、软关断和降频综合保护技术降低短路电流并安全关断IGBT。详细阐述了保护电路的保护机制及电路原理,最后对设计的所有保护电路进行了对应的过流保护测试,给出了测试波形图。试验结果表明,IGBT保护电路能及时进行过流检测并准确动作,IGBT在不同的过流情况下都得到了可靠保护。 展开更多

关键词 绝缘栅双极性晶体管 过流保护 降栅压 软关断

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160mW大功率固态调制器的设计与实验 被引量：7

13

作者 杨景红 郑新 +1 位作者 钱锰 廖源 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2011年第9期72-75,80,共5页

为提高脉冲调制器的可靠性,设计了基于大功率绝缘栅双极性晶体管模块为开关的大功率固态调制器系统。调制器采用加法器结构,设计输出脉冲功率160 mW,脉冲电压80 kV,脉冲电流2 kA。详细介绍了大功率调制器的电路拓扑和系统参数,重点阐述... 为提高脉冲调制器的可靠性,设计了基于大功率绝缘栅双极性晶体管模块为开关的大功率固态调制器系统。调制器采用加法器结构,设计输出脉冲功率160 mW,脉冲电压80 kV,脉冲电流2 kA。详细介绍了大功率调制器的电路拓扑和系统参数,重点阐述了大功率调制器的组件电路。介绍了绝缘栅双极性晶体管的驱动电路,给出了组件的输出波形,进行了调制器组件负载打火实验,给出了实验结果,证实组件保护电路可行。介绍了调制器的系统结构,分析了影响调制器输出波形的关键因素,给出了调制器的实验结果,并模拟了调制器负载过流情况,验证了调制器过流保护电路的可靠性。实验结果表明,调制器系统满足设计要求。 展开更多

关键词 固态调制器 加法器结构 组件 绝缘栅双极性晶体管 脉冲变压器

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适用于电路仿真的IGBT模块暂态模型研究 被引量：12

14

作者 徐延明 赵成勇 +2 位作者 周飞 徐莹 刘启建 《电源学报》 CSCD 2016年第3期28-37,共10页

高压IGBT与二极管构成IGBT模块已经广泛应用于柔性直流输电技术领域。然而现有仿真研究难以模拟IGBT模块中IGBT与二极管各自详细开关暂态特性及相互影响,因此提出一种适用于电路仿真的IGBT模块暂态模型及其参数通用提取方法。模型采用... 高压IGBT与二极管构成IGBT模块已经广泛应用于柔性直流输电技术领域。然而现有仿真研究难以模拟IGBT模块中IGBT与二极管各自详细开关暂态特性及相互影响,因此提出一种适用于电路仿真的IGBT模块暂态模型及其参数通用提取方法。模型采用机理推导、电气等效、曲线拟合等方法在PSCAD、SABER等电路仿真平台实现,无需获取器件底层参数和求解复杂物理方程,不仅可以实现电路仿真中IGBT模块的各种运行状态,而且可以在纳秒级步长下模拟其电压电流尖峰、拖尾电流、米勒平台等开关暂态特性。通过与SABER中通用模型仿真结果及实验实测波形对比分析,验证了IGBT模块暂态模型和参数提取方法的正确性和通用性,为进一步将模型应用于柔性直流输电系统仿真、电磁干扰及损耗分析、控制策略等研究打下基础。 展开更多

关键词 绝缘栅双极性晶体管(IGBT) 二极管 参数提取 暂态模型

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一种简单的IGBT驱动和过流保护电路 被引量：24

15

作者 王永 沈颂华 《电测与仪表》 北大核心 2004年第4期25-27,共3页

讨论了IGBT驱动电路对其静态和动态特性的影响以及对驱动电路与过流保护电路的要求。利用IGBT的通态饱和压降与集电极电流呈近似线性关系的特性,设计了一个具有完善的过流保护功能的IGBT驱动电路。经分析和实验表明,该电路具有简单、实... 讨论了IGBT驱动电路对其静态和动态特性的影响以及对驱动电路与过流保护电路的要求。利用IGBT的通态饱和压降与集电极电流呈近似线性关系的特性,设计了一个具有完善的过流保护功能的IGBT驱动电路。经分析和实验表明,该电路具有简单、实用、可靠性高等优点。 展开更多

关键词 绝缘门极双极型晶体管 IGBT 驱动电路 过流保护

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加法器结构的大功率固态脉冲调制器的研究 被引量：7

16

作者 杨景红 郑新 钱锰 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2009年第4期80-83,共4页

介绍了大功率固态调制器电路常用的拓扑结构,讨论了开关直接串联与加法器叠加两种拓扑结构的特点。设计了基于绝缘栅双极性晶体管的加法器结构的大功率固态脉冲调制器,探讨了该类型大功率调制器的关键技术,介绍了调制器系统参数,并与国... 介绍了大功率固态调制器电路常用的拓扑结构,讨论了开关直接串联与加法器叠加两种拓扑结构的特点。设计了基于绝缘栅双极性晶体管的加法器结构的大功率固态脉冲调制器,探讨了该类型大功率调制器的关键技术,介绍了调制器系统参数,并与国内外大功率调制器进行了对比。重点阐述了调制器实验,给出了实验结果,并对实验结果进行了分析。最后探讨了加法器结构的大功率固态脉冲调制器的优势及应用潜力。 展开更多

关键词 固态调制器 加法器结构 组件 绝缘栅双极性晶体管 脉冲变压器

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大功率IGBT参数建模与仿真分析 被引量：4

17

作者 刘超 钱锰 杨明 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第8期88-90,94,共4页

介绍了绝缘栅双极性晶体管的模型分类及常见的电力电子仿真软件,并分析了各自的特点。针对2 kV/2 kA全固态调制器组件设计中使用的大功率绝缘栅双极性晶体管(3.3 kV/1.2 kA),根据具体参数,建立了基于Saber的行为模型。重点分析了该模型... 介绍了绝缘栅双极性晶体管的模型分类及常见的电力电子仿真软件,并分析了各自的特点。针对2 kV/2 kA全固态调制器组件设计中使用的大功率绝缘栅双极性晶体管(3.3 kV/1.2 kA),根据具体参数,建立了基于Saber的行为模型。重点分析了该模型的静态和动态特性仿真表现。通过对比手册参数曲线和实际测量结果,验证了该大功率绝缘栅双极性晶体管模型的有效性,为大功率脉冲电路的进一步分析和优化设计提供了参考。 展开更多

关键词 绝缘栅双极性晶体管 建模 仿真 大功率调制器

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基于IGBT特性的电路改进 被引量：3

18

作者 梁中华 李勇 胡庆 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2004年第1期23-25,共3页

绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)和门极可关断晶闸管(GTO)的特性各不相同,因此对它们的过电流保护方法也不相同.IGCT或者GTO的过电流保护一般在主电路中实现,使主电路复杂、成本高、体积大.IGBT的过电流保护一般在自... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)和门极可关断晶闸管(GTO)的特性各不相同,因此对它们的过电流保护方法也不相同.IGCT或者GTO的过电流保护一般在主电路中实现,使主电路复杂、成本高、体积大.IGBT的过电流保护一般在自身的驱动电路中实现,而主电路相对简单、体积小.用IGBT改造已有的IGCT或者GTO主电路,可使主电路得到简化,减小体积.保证过电流保护的同时,还提高了开关频率,减小了输出谐波. 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 集成门极换流晶闸管 过流保护

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IGBT驱动保护电路的设计与测试 被引量：9

19

作者 胡宇 吕征宇 《机电工程》 CAS 2008年第7期58-60,71,共4页

在分析了绝缘栅双极性晶体管(IGBT)动态开关特性和过流状态下的电气特性的基础上,对常规的IGBT推挽驱动电路进行了改进,得到了具有良好过流保护特性的IGBT驱动电路。实践应用证明该电路结构简单,使用可靠,易于操作,配合数字信号处理器(D... 在分析了绝缘栅双极性晶体管(IGBT)动态开关特性和过流状态下的电气特性的基础上,对常规的IGBT推挽驱动电路进行了改进,得到了具有良好过流保护特性的IGBT驱动电路。实践应用证明该电路结构简单,使用可靠,易于操作,配合数字信号处理器(DSP)等控制芯片能达到很好的驱动效果。 展开更多

关键词 绝缘栅双极性晶体管 开关特性 数字信号处理器 过流保护 场效应晶体管

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采用逆阻型IGBT的零电流开关PWM电流源型半桥变换器 被引量：6

20

作者 肖华锋 谢少军 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第31期110-114,共5页

电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖... 电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖峰和有效减小谐振电流峰值。该文详细分析了这种新型变换器的工作原理和特性,并在一个600W的原理样机上进行验证,最后给出试验结果。 展开更多

关键词 电流源型半桥变换器 零电流开关 逆阻型绝缘栅 双极性晶体管

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