绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究

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作者 刘安生 邵贝羚 +2 位作者 李永洪 张鹏飞 钱佩信 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期458-458,共1页

绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近... 绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近年发展起来的一种新型的超大规模集成... 展开更多

关键词 集成电路 绝缘衬底 硅 薄膜 再结晶

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传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究 被引量：1

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作者 李向前 王蒙军 +4 位作者 吴建飞 李尔平 李彬鸿 郝宁 高见头 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第2期149-153,共5页

为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片与体硅芯片的抗扰度阈值曲线的变化趋势基本相同,但在... 为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片与体硅芯片的抗扰度阈值曲线的变化趋势基本相同,但在个别引脚和频段内SOI芯片具有更强的抗干扰能力。在不同工作温度下进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片在高温环境下具有较强的抗干扰能力。 展开更多

关键词 电磁兼容 电磁抗扰度 绝缘衬底上硅 CAN控制器

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铝衬底硅颗粒太阳电池制备工艺研究 被引量：1

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作者 刘维一 刘志永 +2 位作者 杨霞 王艳芳 江玉峰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期709-712,共4页

用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上... 用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上,在压力作用下,使PET渗入到硅颗粒的缝隙中,形成绝缘层。将硅颗粒上表面的绝缘层打磨掉,溅射沉积透明导电层,作为电池的上电极。制备成的太阳电池光电转换效率为4.3%。 展开更多

关键词 衬底 硅颗粒 太阳电池 电池制备 工艺研究 ALUMINUM SUBSTRATE SOLAR CELLS 绝缘层 选择性腐蚀 PET 转换效率 真空条件 压力作用 铝片 溅射沉积 支撑体 上电极 上表面 钎焊剂 聚酯膜

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绝缘体上硅（SOI）

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《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期226-226,共1页

SOI是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，这种基板由以下三层构成：薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路；相当薄的绝缘SiO2中间层；非常厚的体型Si衬底层。

关键词 绝缘体上硅 SIO2 机械支撑 基板 工程化 soi 单晶硅 中间层 体型 衬底 蚀刻

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基于内嵌空腔绝缘体上硅的GAA器件电学表征与分析

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作者 周虹阳 刘强 +2 位作者 赵兰天 陈锦 俞文杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期563-569,共7页

全包围环栅(GAA)器件具有极强的栅控能力,但工艺较为复杂,需采用先进工艺节点制备。基于新型内嵌空腔绝缘体上硅(VESOI)衬底,设计并制备了2种结构的GAA器件(纯GAA器件和π-GAA-π器件)和作为对照组的π器件,并进行了电学表征和分析。2种... 全包围环栅(GAA)器件具有极强的栅控能力,但工艺较为复杂,需采用先进工艺节点制备。基于新型内嵌空腔绝缘体上硅(VESOI)衬底,设计并制备了2种结构的GAA器件(纯GAA器件和π-GAA-π器件)和作为对照组的π器件,并进行了电学表征和分析。2种GAA器件均表现出良好的电学性能,开关比均达到108。纯GAA器件表现出更小的亚阈值摆幅(62 mV/dec)、更大的电流密度和更小的漏致势垒降低(DIBL)值,且不受背栅偏压的影响,但其底部栅极与源、漏存在交叠区,加剧了栅致泄漏电流(GIDL)效应;π-GAA-π器件虽然不受GIDL效应的影响,但由于其串联了π沟道,器件电学性能下降。实验结果证明了基于VESOI衬底制备GAA器件的可行性,同时进一步讨论了更高的栅极与空腔对准精度对器件性能的提升,为后续工艺改进提供了参考。 展开更多

关键词 全包围环栅(GAA)器件 内嵌空腔绝缘体上硅(VEsoi)衬底 亚阈值摆幅(SS) 背栅偏压 对准偏差

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SOI基底上制备的用于检测机器人手指接触力的微压阻式力传感器

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作者 范若欣 赖丽燕 李以贵 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第8期1232-1239,共8页

为了使工业机器人可以稳定、高效地完成夹持任务,设计并制备了三种不同结构的微压阻式力传感器。利用热氧化、硼扩散掺杂、光刻、反应离子刻蚀、物理气相沉积和阳极键合等微电子机械系统(MEMS)加工工艺在绝缘体上硅(SOI)基底上制备出了... 为了使工业机器人可以稳定、高效地完成夹持任务,设计并制备了三种不同结构的微压阻式力传感器。利用热氧化、硼扩散掺杂、光刻、反应离子刻蚀、物理气相沉积和阳极键合等微电子机械系统(MEMS)加工工艺在绝缘体上硅(SOI)基底上制备出了尺寸均为2 mm×2 mm×0.5 mm的三种微压阻式力传感器。通过封装前后对三种传感器在z方向上的应力灵敏度测试,结果表明第二种传感器的灵敏度较佳,封装前可达0.18 mV/mN,封装后仍可达0.096 mV/mN,仅减少了0.084 mV/mN,仍具有良好的线性关系,输出特性的趋势与预计一致。同时,这三种不同结构的传感器各方向之间的串扰均小于5%,非线性小于满量程的3%。通过封装前后力传感器性能对比,为优化此类传感器设计提供了实验数据,为后续配置在机器人的指尖上实现高效、稳定的操作提供了参考。 展开更多

关键词 压阻式力传感器 微电子机械系统(MEMS) 压阻效应 手指接触力 绝缘体上硅(soi)基底

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SDB-SOI制备过程中工艺控制

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作者 刘洋 《电子工业专用设备》 2024年第3期20-23,共4页

SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加... SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加工难度,最终制备出高质量的产品。 展开更多

关键词 硅晶圆 绝缘衬底上硅(soi) 键合 磨削

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基于CMOS SOI工艺的射频开关设计 被引量：7

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作者 蒋东铭 陈新宇 +1 位作者 许正荣 张有涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期142-145,162,共5页

采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻... 采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 绝缘衬底上硅 射频开关 驱动器 集成

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SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文) 被引量：5

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作者 蒋文静 欧文 +2 位作者 明安杰 刘战锋 袁烽 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期218-221,共4页

在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直... 在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直接覆盖于二极管表面,其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面,使吸收结构能够达到80%,大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时,器件的灵敏度可达到7.75×10^(-3)V/K,等效功率噪声(NETID)可减小至43 mK(F/10.0).同时,ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高,证明了此结构的可行性. 展开更多

关键词 绝缘衬底上的硅 二极管 填充系数 红外焦平面

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SOI技术及其发展和应用 被引量：3

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作者 古美良 胡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第2期236-239,共4页

绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SO... 绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SOI在抗辐照、耐高温等高性能专用电路、光电子、微机械方面以及三维集成电路等领域的主要应用,最后讨论了近几年来SOI技术研究和发展的新动向。 展开更多

关键词 绝缘衬底上的硅(soi) 外延层转移 应用

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基于0.13μm SOI COMS工艺的VCSEL驱动器设计 被引量：4

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作者 潘彦君 孙向明 +5 位作者 黄光明 叶竞波 龚达涛 董业民 杨文伟 杨苹 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第6期920-923,共4页

介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结... 介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5Gbit/s,总功耗仅为48mW。 展开更多

关键词 绝缘衬底上的硅(soi) 激光驱动器 并联峰化 高速 低功耗

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部分耗尽SOI ESD保护电路的研究 被引量：2

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作者 汤仙明 韩郑生 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第2期208-211,共4页

为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响... 为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响,我们发现综合考虑这些因素,就能够在SOI技术上获得良好的抗ESD性能。 展开更多

关键词 绝缘衬底上的硅 静电放电 栅控二极管 人体放电模型

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SOI基级联双微环滤波器研究 被引量：1

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作者 顾晓文 牛斌 郁鑫鑫 《光电子技术》 CAS 2017年第2期104-107,111,共5页

研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。... 研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。通过对微环谐振器进行热调谐,在0~4V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性。 展开更多

关键词 绝缘衬底上硅 微环谐振器 光栅耦合 可调谐

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一种集成控制模块的微波SOI SPDT开关

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作者 杨爽 赵明付 +2 位作者 顾建忠 高兴振 孙晓玮 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第3期89-92,共4页

采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能... 采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能。制作的SOI开关具有良好的性能,芯片测试表明,开关导通状态下从DC到9 GHz范围内插损小于1.7 d B,关断状态下隔离度大于28.5 d B,回波损耗小于-15 d B,开关开启时间为1.06μs。芯片的尺寸为0.87 mm×1.08 mm。 展开更多

关键词 微波 绝缘衬底上硅 单刀双掷 开关

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SOI压阻式面内加速度传感器的交叉灵敏度

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作者 袁本铸 许煜 贾琛 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第10期822-827,共6页

设计了一种基于绝缘衬底上硅(SOI)片的面内振动压阻式加速度传感器,并针对其交叉灵敏度性能进行了研究,分析得出传感器的灵敏度与压阻微梁的轴向应力呈正比关系,并通过仿真说明该结构形式的加速度传感器具有非常低的交叉灵敏度,对检测... 设计了一种基于绝缘衬底上硅(SOI)片的面内振动压阻式加速度传感器,并针对其交叉灵敏度性能进行了研究,分析得出传感器的灵敏度与压阻微梁的轴向应力呈正比关系,并通过仿真说明该结构形式的加速度传感器具有非常低的交叉灵敏度,对检测方向的输出干扰非常小。进行了工艺加工和实验测试,实验结果表明,该面内振动的压阻式加速度传感器在20℃下,工作方向上的灵敏度为0.67 mV/g,而另外两个非工作方向(x轴和z轴)上的交叉灵敏度分别为7.3×10-4%和6.6×10-4%,对工作方向的加速度检测影响非常小,此结构的设计方法对于高性能的加速度传感器的研究具有重要的参考意义。 展开更多

关键词 绝缘衬底上硅(soi)片 面内振动 压阻式传感器 加速度传感器 交叉灵敏度

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Soitec提供SOI晶圆支持Sematech进行MuGFET研究

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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期77-77,共1页

Soitec SA日前表示，该公司正在为Sematech旗下先进技术开发设施(ATDF)的研究课题提供绝缘硅(SOI)衬底，用于开发多门场效应晶体管(MuGFET)。

关键词 soi 晶圆 场效应晶体管 衬底 绝缘硅 SA 研究课题 公司 支持 先进技术

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基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器

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作者 单春燕 卢新民 +2 位作者 蒋东铭 钱峰 周猛 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第2期130-134,共5页

基于0.18μm SOI CMOS工艺研制了一款高集成度的天线调谐器芯片,该芯片集成了射频开关、电容阵列和数模混合控制电路,面积仅为1433μm×760μm。芯片核心射频电路由5 bit电容阵列和SP3T射频开关并联组成,其中电容阵列采用了基于射... 基于0.18μm SOI CMOS工艺研制了一款高集成度的天线调谐器芯片,该芯片集成了射频开关、电容阵列和数模混合控制电路,面积仅为1433μm×760μm。芯片核心射频电路由5 bit电容阵列和SP3T射频开关并联组成,其中电容阵列采用了基于射频开关的二进制加权并行结构,具有较高的电容值调节精度和调谐比。测试结果表明:电容阵列的电容值由0.3 pF步进到3.4 pF,每级步进0.1 pF,最大品质因数为36@1 GHz,SP3T开关的直流导通电阻为1Ω,关断电容为180 fF@2.7 GHz,插入损耗为0.86 dB@2.7 GHz,输入功率为35 dBm时的二次谐波和三次谐波分别为-62 dBm和-57 dBm。 展开更多

关键词 绝缘衬底上硅 射频开关 天线调谐器 电容阵列

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IBM推出45nm SOI代工服务

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《中国集成电路》 2008年第12期6-6,共1页

为了在SOI（绝缘体上的硅）这一新兴技术上确立优势，IBM目前宣布推出业界首个45nmSOI代工服务。据悉，IBM将在自己的晶圆厂中提供45nmSOI代工服务。此外新加坡特许半导体将作为该服务的“第二来源”。ARM则宣布向IBMSOI技术提供物理IP... 为了在SOI（绝缘体上的硅）这一新兴技术上确立优势，IBM目前宣布推出业界首个45nmSOI代工服务。据悉，IBM将在自己的晶圆厂中提供45nmSOI代工服务。此外新加坡特许半导体将作为该服务的“第二来源”。ARM则宣布向IBMSOI技术提供物理IP。SOI技术用一块SOI晶圆代替普通体硅衬底，在此基础上制造的器件具有寄生电容减少的特点，从而提高器件性能。IBM称45nmSOI技术较体硅技术可改善30％的性能，功耗降低40％。 展开更多

关键词 soi技术 IBM 服务 soi晶圆 器件性能 寄生电容 硅衬底 绝缘体

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SOI技术与SOC基础设计服务平台

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作者 王浩 《中国集成电路》 2012年第9期45-54,共10页

本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型建模(model),数字单元库(library),参数化设计套件(PDK),以及针对性的EDA主流设计流程几个方面来阐述如何... 本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型建模(model),数字单元库(library),参数化设计套件(PDK),以及针对性的EDA主流设计流程几个方面来阐述如何实现华润上华0.18微米60VSOI工艺设计服务平台。 展开更多

关键词 soi(绝缘体上的硅) FB(浮衬底) BC(衬底连接) PDK(参数化设计套件) EDA(电子设计自动化) 优势 难点 解决

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采用菱形辐条的高对称MEMS蜘蛛网状盘式谐振陀螺仪

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作者 许杨 王琮琛 +2 位作者 杨军营 陈建霖 王诗男 《微纳电子技术》 CAS 2024年第11期91-97,共7页

微电子机械系统(MEMS)陀螺仪因抵抗制造误差能力差和品质因数低等问题限制了其在高端领域的应用。通过对MEMS陀螺仪的理论分析和有限元仿真,基于绝缘体上硅(SOI)工艺设计并制备出了一种由多个同心嵌套的蜘蛛网环和菱形辐条组成的新型MEM... 微电子机械系统(MEMS)陀螺仪因抵抗制造误差能力差和品质因数低等问题限制了其在高端领域的应用。通过对MEMS陀螺仪的理论分析和有限元仿真,基于绝缘体上硅(SOI)工艺设计并制备出了一种由多个同心嵌套的蜘蛛网环和菱形辐条组成的新型MEMS盘式谐振陀螺仪。实验结果表明,该陀螺仪的驱动谐振频率为42.749 kHz,感应谐振频率为42.798 kHz,频率失配为1.145×10^(-3),实测谐振频率与仿真结果差异为8.5%,优于采用相同工艺制作的环形盘式谐振陀螺仪。该MEMS陀螺仪不仅性能优异、工艺流程简单,而且由于采用全线性结构,所以对制造误差也相对不敏感,适合批量生产,具有较高的产业价值。 展开更多

关键词 微电子机械系统(MEMS) 陀螺仪 绝缘衬底上硅(soi) 蜘蛛网环 菱形辐条

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