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基于0.13μm SOI COMS工艺的VCSEL驱动器设计 被引量:4

Design of VCSEL Driver Based on 0.13μm SOI COMS Process
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摘要 介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5Gbit/s,总功耗仅为48mW。 The design of low power high speed Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser(VCSEL)driver is introduced in this paper.The chip is designed based on the domestic 0.13μm SOI COMS process which can provide 6-8 mA adjustable modulation current and 4-7 mA adjustable bias current.The multi-stage amplifier combined with passive shunt peaking inductor is used to expand the bandwidth of the driver.The test results show that the maximum operating rate of the driver is 5 Gbit/s and the total consumption is only 48 mW under the single power supply voltage of 1.2 V.
出处 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第6期920-923,共4页 Piezoelectrics & Acoustooptics
基金 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CCNU16A05029)
关键词 绝缘衬底上的硅(SOI) 激光驱动器 并联峰化 高速 低功耗 silicon-on-insulator(SOI) laser driver shunt peaking high speed low power
作者简介 潘彦君(1991-),女,湖北武汉人,硕士生,主要从事模拟集成电路设计,在校期间从事激光驱动器的设计。;通信作者:孙向明(1981-),男,山东潍坊人,教授,博士生导师,主要从事像素探测器的设计与研究。
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